专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于潜变量特征生成的图像多风格转化方法-CN201911204107.7有效
  • 张冀聪;胡静斐;王华;武广 - 北京航空航天大学合肥创新研究院
  • 2019-11-29 - 2023-05-12 - G06T3/00
  • 本发明的一种基于潜变量特征生成的图像多风格转化方法,可解决现有的图像转换方法在风格表示和图像质量上都不能满足需求的技术问题。包括以下步骤:S100、采集图像数据;S200、对图像进行预处理;S300、构建图像转化模型并优化;S400、基于步骤S300的图像转化模型,以步骤S200的图像数据作为输入,对图像进行转化处理;S500、对转换得到的图像质量进行评估。本发明在MUNIT的基础上对模型进行了扩充和改进,通过设计跳跃连接对图像的风格转换提供了充分的内容特征信息的传递;风格编码生成器对图像风格编码的潜在变量进行学习,可以实现丰富的图像风格转换;同时模型可以根据输入的风格图像为参考实现特定风格的转换,对于特定风格转换任务的开展具有重大指导意义。
  • 一种基于变量特征生成图像风格转化方法
  • [发明专利]一种基于DICE抗单粒子翻转的磁存储器读电路-CN202010910613.4有效
  • 张德明;王贤;张凯丽;赵巍胜 - 北京航空航天大学合肥创新研究院
  • 2020-09-02 - 2023-04-07 - G11C11/16
  • 本发明的一种基于DICE抗单粒子翻转的磁存储器读电路,包括预充电电路模块的输入端连接预充电信号PRE;预充电电路模块的输出端与锁存电路模块的内部节点Q1、内部节点Q2、内部节点Q3和内部节点Q4相连接;锁存电路模块的输出端与读电路分离模块的输入端相连接;读电路分离模块的输出端与待读取数据信息的磁随机存储器存储单元的位线BL1和位线BL2相连接;输出电路模块的输入端与所述锁存电路模块的内部节点Q1和内部节点Q3相连接;输出电路模块的输出端OUT为基于DICE抗单粒子翻转的磁存储器读电路的输出端。本发明不仅可实现速度快、功耗低的数据信息读取功能,而且在数据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。
  • 一种基于dice粒子翻转磁存储器电路
  • [发明专利]用于细胞迁移实验的芯片装置、制备方法及实验方法-CN201911184644.X有效
  • 张冀聪;王玄 - 北京航空航天大学合肥创新研究院
  • 2020-01-09 - 2023-03-31 - C12M1/00
  • 本发明的一种用于细胞迁移实验的芯片装置、制备方法及实验方法,可解决使用细胞布置器过程繁琐,且对细胞污染几率大影响实验精度的技术问题。所述芯片表面包含多个重复功能单元;每个功能单元至少包含接种区、隔离区和迁移区三个功能区域;接种区是细胞起始接种黏附的区域,接种区表面具有疏水性;隔离区是位于接种区外围设置隔离柱体阵列,隔离柱体阵列将接种区包围形成一个环形结构,相邻隔离柱体之间保留设定的间隙,隔离柱体外表面具有疏水性;迁移区位于隔离区外围。本发明实现细胞起始接种范围的限定,并能控制细胞向指定区域范围和方向迁移,同时能模拟体内不同迁移界面的结构,无需对细胞进行损伤操作,也不需要对芯片进行拆卸和组装。
  • 用于细胞迁移实验芯片装置制备方法
  • [发明专利]基于STT-MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置-CN202010391874.X有效
  • 王佑;侯正义;张德明;赵巍胜 - 北京航空航天大学合肥创新研究院
  • 2020-05-11 - 2023-03-14 - G11C11/16
  • 本发明的一种基于STT‑MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置,基于两个译码器,一个STT‑MRAM存储阵列,两个多路选择器,以及一个传感放大电路;其中所述译码器与STT‑MRAM存储阵列相连,STT‑MRAM分为两部分,每部分接一个多路选择器。译码器根据输入激励对STT‑MRAM存储阵列中对应每部分的磁性隧道结MTJ位元进行寻址,寻址选定的MTJ位元通过所述两个多路选择器与传感放大电路相连,两两比较所选MTJ位元的电阻值大小,传感放大电路的输出即为该PUF电路的输出响应。通过对STT‑MRAM存储阵列中的部分磁性隧道结MTJ位元写入不同的初始状态实现可重构PUF。本发明通过选取任意数量的磁性隧道结MTJ比较组合,利用组合中的磁性隧道结MTJ两两比较来产生PUF输出,可大大提高响应速度,降低电路功耗。
  • 基于sttmram可重构物理不可克隆函数生成方法装置

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