“加藤敦史”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980089809.7有效
发明人：籏崎晃次;加藤敦史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一实施方式的半导体装置具备：第1芯片，具有第1半导体衬底、设置于第1半导体衬底的第1半导体元件、连接于第1半导体元件的第1配线层、及连接于第1配线层的第1焊垫；以及第2芯片，具有第2半导体衬底、设置于第2半导体衬底的第2半导体元件、连接于第2半导体元件的第2配线层、及连接于第2配线层并且接合于第1焊垫的第2焊垫。第1焊垫及第2焊垫中的至少一个具有与另一个焊垫接合的第1金属层、热膨胀率高于第1金属层的第2金属层、及设置于第1金属层与第2金属层之间的势垒金属层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210797560.9在审
发明人： 加藤敦史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。一实施方式的半导体装置具备：第1绝缘膜；配线，配置在第1绝缘膜，包含铜、钴、镍、或锰；第2绝缘膜，具有与配线连接的第1部分，包含硅及氮；第3绝缘膜，具有与第1部分连接的第2部分；第1导电体，配置在第1部分，与配线相接；膜，覆盖第2部分的侧面，包含金属，或包含硅及氮；以及第2导电体，配置在第2部分，与膜相接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010758379.8在审
发明人： 加藤敦史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第1衬底、逻辑电路、第1绝缘膜、配线、插塞、及包含金属氧化物或金属氮化物的第1层。逻辑电路设置在第1衬底上。第1绝缘膜设置在逻辑电路的上方。配线设置在第1绝缘膜内，在沿着第1衬底的上表面的第1方向延伸，且具有含有金属的第1膜及介隔第1膜配置在第1绝缘膜内的第1金属层。插塞设置在配线下，在与第1方向交叉的第2方向延伸，且与配线电连接。第1层设置在插塞的上端与配线的下端之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202011478647.7在审
发明人：北村政幸;加藤敦史;松田浩亮 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备配线，所述配线包含第1层和设置在所述第1层上且含有铜的第2层。所述装置还具备插塞，所述插塞设置在所述配线上，且包含含有钛及氮的第3层和设置在所述第3层上且含有钨的第4层。进而，所述第3层内的氯浓度为5.0×1021atoms/cm3以下，所述第3层与所述第4层的界面的氧浓度为5.0×1021atoms/cm3以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电磁阀-CN202011043643.6在审
发明人：井藤胜之;加藤敦史;井口圣士;吉野航平 -专利权人： CKD株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本发明涉及电磁阀。提供了一种即使反复使用电磁阀一千万次也不会有板簧因疲劳而损坏的电磁阀。本体‑管材组装体3具有垫片凸缘部(43)，线圈组装体(2)具有芯凸缘部(34)，并且板簧部(93、96)装在垫片凸缘部(43)与芯凸缘部(34)之间。夹子(91)具有：顶端开口的具有圆弧状内周部(92A、95A)的夹子主体(91A)；顶端开口的板簧部(93、96)；以及连结夹子主体(91A)的后端和板簧部(93、96)的后端的连结部(94、99)。夹子(91)的夹子主体(91A)与垫片凸缘部(43)的下表面抵接。板簧部(93、96)具有抵接部(93A、96A)，并且抵接部(93A、96A)抵接在芯凸缘部(34)的上表面上。
电磁阀

[发明专利]电磁阀-CN201810246392.8有效
发明人： 加藤敦史;井藤胜之;井口圣士;吉野航平 -专利权人： CKD株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本发明为一种电磁阀(1)，其通过对中空圆筒形状的螺线管部通电来吸引柱塞(60)而使阀体(75)移动，该电磁阀(1)具有喇叭管(50)，所述喇叭管(50)具有供柱塞(60)滑动的滑动内面(51a)，并且，喇叭管(50)具有直径比滑动内面大的大径部(53)，在大径部(53)的内部收纳有朝阀座(73)的方向对柱塞(60)施力的压缩弹簧(59)。
滑动电磁阀喇叭管柱塞大径部内面中空圆筒形状收纳螺线管部压缩弹簧阀体阀座施力通电移动吸引

[发明专利]电磁阀以及电磁阀的制造方法-CN201810247840.6有效
发明人： 加藤敦史;井藤胜之;井口圣士;吉野航平 -专利权人： CKD株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本发明为一种电磁阀(1)，其通过对中空圆筒形状的线圈模塑部(20)通电来吸引柱塞(60)而使阀体(75)移动，该电磁阀(1)具有以环绕线圈模塑部(20)的方式形成磁路的磁性体铁心(上部铁心(10)、下部铁心(30))，上部铁心(10)的一部分突出至线圈模塑部(20)的中空部(24A)而形成在顶端部具备底板部(12a)的中空圆筒形状的突出部(12)，底板部(12a)的附近的突出部(12)的周面板部(12b)的厚度(W1)为上板部(11)的厚度(W2)的80％以上。
电磁阀铁心模塑部中空圆筒形状底板部突出部磁性体顶端部面板部上板部中空部磁路阀体柱塞环绕通电移动制造吸引

[发明专利]蓄热系统和蓄热系统的运转方法-CN201880037852.4在审
发明人：川上理亮;加藤敦史;高桥康文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：在具有对合金温度的解离压力的特性相互不同的多个的吸氢合金罐(10)、(11)的蓄热系统(1)中，执行：使氢气从第1罐(10)内的吸氢合金(A)向第2罐(11)内的吸氢合金(B)移动，利用通过吸氢反应产生的温热制造温水的第1运转模式；和使氢气从第2罐(11)内的吸氢合金(B)向第1罐(10)内的吸氢合金(A)移动的第2运转模式。
吸氢合金运转模式氢气吸氢反应蓄热系统温热温水移动解离合金制造

[发明专利]安装基板以及使用了安装基板的电路装置-CN201210285405.5无效
发明人： 加藤敦史;成濑俊道;五十岚优助 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种安装基板以及使用了安装基板的电路装置。该安装基板具有：芯层，其由绝缘树脂形成；第一导电图案，其设置于上述芯层的表面侧；第二导电图案，其设置于上述芯层的背面侧；以及通路孔，其设置在第一电极与外部电极之间，该第一电极是上述第一导电图案中的大电流用的电极，该外部电极与上述第一电极对应地设置，由上述第二导电图案形成，其中，上述第一导电图案与上述第二导电图案的膜厚相同，上述通路孔的电阻值被设为小于上述第一导电图案的电阻值，使得上述大电流经由上述通路孔流向上述外部电极。
安装以及使用电路装置

[发明专利]制造金属-碳纳米复合材料的方法-CN200880000599.1有效
发明人：新井启太;加藤敦史;菅沼雅资 -专利权人：日精树脂工业株式会社
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：公开了一种制造金属-碳纳米复合材料的方法，其中铝被用作基料。制造方法包含混合涂布Si的碳纳米材料(30)和粉末Mg材料(33)，加热混合物至Mg材料的熔点或更高，其后冷却混合物得到Mg-碳纳米材料(34)。通过冷却混合状态的Mg-碳纳米材料和熔融铝(40)，提供金属-碳纳米材料，其中Al被用作基料。
制造金属纳米复合材料方法

[发明专利]制造碳纳米复合金属材料的方法以及制造金属制品的方法-CN200710186956.5有效
发明人：新井啓太;柴大介;菅沼雅资;加藤敦史 -专利权人：日精树脂工业株式会社
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造碳纳米复合金属材料的方法，该碳纳米复合金属材料具有增强的碳纳米材料分散性以及增强的碳纳米材料与基体金属原料之间的附着性。通过在不需要分散剂的情况下混合基体金属原料和微粒涂覆碳纳米材料并接着压紧该材料而得到的预成型件在基体金属原料的熔点或以上的温度下保持给定时间。在该状态下，热处理体被冷却至允许进行热加工的温度，并且进行压实处理。
制造纳米复合金属材料方法以及金属制品

[发明专利]复合金属材料的制造方法以及复合金属成形品的制造方法-CN200710111804.9有效
发明人：菅沼雅资;佐藤智之;加藤敦史 -专利权人：日精树脂工业株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种复合有纳米碳材料的复合金属材料的制造方法，将金属合金(12)加热到液相和固相共存的半熔融状态。然后在成为半熔融状态的金属合金(13)中添加石墨化处理前的纳米碳材料(14)并进行搅拌，从而得到复合有纳米碳的复合金属材料(Mm)。
复合金属材料制造方法以及金属成形

[发明专利]制造纳米碳－金属复合材料的方法-CN200610084529.1无效
发明人：菅沼雅资;加藤敦史;镰土重晴;对马大介 -专利权人：日精树脂工业株式会社;国立大学法人长冈技术科学大学
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：一种由纳米碳材料和金属基体材料构成的复合材料被挤出模塑，使得该纳米材料在一个方向上取向。
制造纳米金属复合材料方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410095155.4无效
发明人：今冈俊一;臼井良辅;中野敦史;加藤敦史 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置(100)。其包含设置在绝缘树脂膜(106)的两个表面的第一导电膜(102)和第二导电膜(104)。在第二导电膜(104)上载置电路元件(120)，电路元件(120)与第二导电膜(104)电连接。第二导电膜(104)设置成覆盖贯通插塞(110)。另外，贯通插塞(110)形成直径沿从第一导电膜(102)向第二导电膜(104)的方向缩小的锥形。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电路装置及其制造方法-CN200510006105.9无效
发明人： 加藤敦史 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种电路装置及其制造方法，在电路装置上安装无源元件时，由于电极部进行镀锡，故利用安装接合部焊料进行固定，不能以单层结构使配线交叉，存在安装面积扩大、或在印刷线路板上安装时回流温度的限制、由封装后的焊锡裂纹引起的可靠性恶化的问题。将无源元件的电极部镀金，在电极部上直接固定接合引线。由此，谋求安装密度的提高。另外，即使是通过采用不使用支承衬底的封装结构，在分离槽上粘接无源元件，而固定接合引线的结构，也可以抑制封装件厚度的增大。
电路装置及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 22 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top