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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN202211370363.5在审
发明人：金忠善;前田茂伸;朴明圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括从基板突出并在第一方向上延伸的有源鳍。器件隔离层在基板中限定有源鳍。多个栅极结构与有源鳍交叉并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多个栅极结构中的每个包括栅极和在栅极的侧表面上的栅极间隔物。多个外延层在栅极结构的相反侧设置在有源鳍上，并包括提供漏极区的第一外延层和提供源极区的第二外延层。栅极间隔物包括设置在第一外延层和栅极之间的第一间隔物。第一间隔物包括沿着栅极的侧表面在垂直于基板的上表面的第三方向上延伸的第一区、以及从第一区的下部在远离栅极的方向上延伸的第二区。
半导体器件制造方法

[发明专利]计算机可读介质、计算装置和优化半导体制造工艺的方法-CN202210523041.3在审
发明人：金智镐;权敏赫;前田茂伸;徐周役;李旼旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了一种非暂时性计算机可读介质、计算装置和优化半导体制造工艺的方法。程序代码在由处理器执行时，使处理器：将包括与半导体制造工艺相关联的多个参数的制造数据输入到框架，以生成用于分析制造数据的第一类；从多个参数提取针对分析的第一参数和与第一参数相关联的第二参数，并且生成用于分析第一参数的第二类作为第一类的子类；将第一参数和第二参数修改为具有适于存储在第二类中的格式的数据结构，以便存储在第二类中；对第一参数和第二参数执行数据分析；将第一参数和第二参数转换为对应的张量数据；以及将张量数据输入到机器学习模型。
计算机可读介质计算装置优化半导体制造工艺方法

[发明专利]半导体工艺建模系统和方法-CN202210363048.3在审
发明人： 前田茂伸;金郁;金洪植;金希俊;朴世永;柳盛振;尹民洪;韩大韩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：提供了半导体工艺建模系统和方法。该半导体工艺建模系统包括预处理组件，该预处理组件被配置为根据从半导体制造设备获得的原始数据生成张量数据，其中，当原始数据表示为对多个晶片中每一个晶片的多个工艺参数的值加以表示的原始矩阵时，省略原始矩阵的至少一个元素，当张量数据表示为对多个晶片中每一个晶片的多个预处理工艺参数的值加以表示的张量矩阵时，张量矩阵的被省略元素的数量小于原始矩阵的被省略元素的数量；以及预处理组件被配置为通过基于半导体制造设备的特性和多个工艺参数的特性中的至少一种特性修改原始数据来生成张量数据。
半导体工艺建模系统方法

[发明专利]包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件-CN201810224652.1有效
发明人： 前田茂伸;姜熙秀;沈相必;洪秀宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。
包括有源之间突出绝缘部分半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410440478.6有效
发明人：今井清隆;金永权;前田茂伸;黄淳哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件-CN201611101627.1有效
发明人： 前田茂伸;徐承汉;成汝铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件可以包括：沟道层，设置在基板上并且包括由第一材料制成的二维原子层；和源/漏层，设置在基板上并且包括第二材料。第一材料可以是磷的同素异形体之一，第二材料可以是碳的同素异形体之一，沟道层和源/漏层可以通过在第一和第二材料之间的共价键彼此连接。
场效应晶体管以及包括该场效应半导体器件

[发明专利]半导体装置的电熔丝结构-CN201810309622.0有效
发明人：崔贤民;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：第一金属材料的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；以及虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并接触熔断体，虚设金属塞包括位于金属层和熔断体之间的阻挡金属层，其中，阻挡金属层包括与第一金属材料不同的第二金属材料，其中，熔断体的宽度基本等于或小于阳极的宽度和阴极的宽度。
半导体装置电熔丝结构

[发明专利]半导体器件-CN201510136837.3有效
发明人： 前田茂伸;权兑勇;金相秀;朴在厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
半导体器件

[发明专利]具有栅极结构的半导体器件及其制造方法-CN201510612510.9有效
发明人：刘斌;金成玟;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有源层、栅极结构、间隔件和源极/漏极层。有源层位于衬底上并且包括锗。有源层包括具有第一锗浓度的第一区和位于第一区的两侧的第二区。第二区的顶表面从第二区的邻近第一区的第一部分朝着第二区的远离第一区的第二部分变高，并且第二区具有小于第一锗浓度的第二锗浓度。栅极结构形成在有源层的第一区上。间隔件形成在有源层的第二区上，并且接触栅极结构的侧壁。源极/漏极层邻近有源层的第二区。
具有栅极结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及具有该半导体器件的反相器-CN201610873691.5有效
发明人：金文铉;卢昶佑;赵槿汇;姜明吉;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS器件和CMOS反相器。CMOS器件包括：衬底，其具有在第一方向上延伸且由器件隔离层限定的有源线，所述衬底被划分为NMOS区、PMOS区以及介于NMOS区与PMOS区之间且具有器件隔离层而不具有有源线的边界区；栅线，其在第二方向上延伸与有源线交叉，并且具有位于NMOS区中的有源线上的第一栅极结构、位于PMOS区中的有源线上的第二栅极结构以及位于边界区中的器件隔离层上的第三栅极结构。第三栅极结构的电阻和寄生电容小于第一栅极结构和第二栅极结构的电阻和寄生电容。因此，可获得CMOS器件更好的AC性能和DC性能。
半导体器件以及具有反相器

[发明专利]具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件-CN201610674649.0有效
发明人：董耀旗;金文铉;赵槿汇;前田茂伸;吴汉洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
具有第一栅极电极第二半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910202048.3在审
发明人： 前田茂伸;朴成哲;朴哲弘;原田义直;康诚敃;权智旭;金夏永;平野裕一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元；第一扩散中断结构至第三扩散中断结构；配置为从衬底突出的第一鳍结构，第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍；第二鳍结构，配置为从衬底突出，与第一鳍结构间隔开，第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍；第一栅电极至第四栅电极，分别设置在第一单元至第四单元中，并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。
鳍结构扩散中断衬底彼此分开栅电极半导体器件顺序设置配置

[发明专利]具有翅片式有源图案和栅极节点的半导体装置-CN201510163033.2有效
发明人：崔贤民;前田茂伸;尹智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多个翅片式有源图案，沿第一方向延伸，并且相对于彼此沿与第一方向不同的第二方向布置；接触件，电连接到所述多个翅片式有源图案；第一栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少两个上；第二栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少一个上。第一栅电极设置在接触件和第二栅电极之间，与第一栅电极交叉的翅片式有源图案的数量比与第二栅电极交叉的翅片式有源图案的数量多。
具有翅片式有源图案栅极节点半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410146086.9有效
发明人：朴玟烨;莱奥内利·达尼埃莱;前田茂伸;吴汉洙;金雄基;李钟赫;郑周燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底上的栅极；沿着栅极的侧壁和底表面的栅极绝缘层；以及栅极的两个侧壁上的L形隔离物结构。一种结构将栅极与源极/漏极区之间的距离延伸至栅极的任一侧。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510037075.1有效
发明人： 前田茂伸;金烳爦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法包括在鳍上形成半导体层，其中鳍和半导体层分别包括第一和第二半导体材料。此外，该方法包括通过去除鳍的至少一部分来限定包括第二半导体材料的第一和第二有源鳍。本发明还提供了相关的半导体器件。
半导体器件及其制造方法

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