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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有AL(1-X)-CN201780006717.9有效
发明人：卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德;伍墨;吉川俊英;乌梅什·米什拉;刘翔;大卫·迈克尔·罗兹;约翰·柯克·格里特尔斯;拉柯许·K·拉尔 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管，包括：III‑N沟道层；在所述III‑N沟道层上的III‑N势垒层；源极接触和漏极接触，所述源极接触和所述漏极接触电耦合至所述III‑N沟道层；在所述III‑N势垒层上的绝缘体层；部分地在所述绝缘体层上并且部分地在所述III‑N沟道层上的栅极绝缘体，所述栅极绝缘体包括非晶态Al1‑xSixO层，其中，0.2＜x＜0.8；以及在所述栅极绝缘体上的栅极电极，所述栅极电极位于所述源极接触与所述漏极接触之间。
具有 al base sub

[发明专利]具有铁氧体磁珠的开关电路-CN202010602181.0在审
发明人：王展;吴毅锋;詹姆斯·哈尼 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种电路包括电子部件封装，所述电子部件封装包括至少第一引线、处于所述电子部件封装中的III‑N装置、栅极驱动器和铁氧体磁珠。所述III‑N装置包括漏极、栅极和源极，其中所述源极被耦合到所述第一引线。所述栅极驱动器包括第一端子和第二端子，其中所述第一端子被耦合到所述第一引线。所述铁氧体磁珠耦合在所述III‑N晶体管的所述栅极与所述栅极驱动器的所述第二端子之间。当进行切换时，所述电路栅极环路的寄生电感的有害影响因所述铁氧体磁珠而得到减轻。
具有铁氧体开关电路

[发明专利]III-N器件中的凹陷欧姆接触-CN201580068626.9有效
发明人：吉川俊英;木内谦二;细田勉;金村雅仁;望月昭寿 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种器件，包括具有上侧和下侧的III‑N层，下侧与上侧相对，以及III‑N层的上侧上的至少一个导电接触，导电接触延伸进入III‑N层。导电接触包括远离III‑N层的下侧面对的顶侧，以及朝向III‑N层的下侧面对的底侧。底侧包括第一端以及与第一端相对的第二端，从第一端升高至比第一端更接近顶侧的中间点的第一侧，以及从中间点下降至第二端的第二侧，第二端比中间点更远离顶侧。
iii 器件中的凹陷欧姆接触

[发明专利]具有铁氧体磁珠的开关电路-CN201580035088.3有效
发明人：王展;吴毅锋;詹姆斯·哈尼 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种电路包括电子部件封装，所述电子部件封装包括至少第一引线、处于所述电子部件封装中的III‑N装置、栅极驱动器和铁氧体磁珠。所述III‑N装置包括漏极、栅极和源极，其中所述源极被耦合到所述第一引线。所述栅极驱动器包括第一端子和第二端子，其中所述第一端子被耦合到所述第一引线。所述铁氧体磁珠耦合在所述III‑N晶体管的所述栅极与所述栅极驱动器的所述第二端子之间。当进行切换时，所述电路栅极环路的寄生电感的有害影响因所述铁氧体磁珠而得到减轻。
具有铁氧体开关电路

[发明专利]形成增强模式III族氮化物器件-CN201580039200.0有效
发明人：伍墨;拉柯许·K·拉尔;伊兰·本-雅各布;乌梅什·米什拉;卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造III‑N器件的方法包括在基底上形成III‑N沟道层、在所述沟道层上形成III‑N势垒层、在所述势垒层上形成绝缘层以及在所述器件的第一部分中形成沟槽。形成所述沟槽的步骤包括：去除所述器件的所述第一部分中的所述绝缘层和所述势垒层的一部分，使得所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的剩余部分距所述沟道层的顶表面具有厚度，所述厚度在预定厚度范围内；在高温下在包括氧的气体环境中对所述III‑N器件进行退火以使所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所述剩余部分氧化；以及去除所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所氧化的剩余部分。
形成增强模式 iii 氮化物器件

[发明专利]增强型III-氮化物器件-CN201480022037.2有效
发明人：拉柯许·K·拉尔 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种III‑N增强型晶体管包括具有导电沟道的III‑N结构、源极接触和漏极接触，以及在源极接触和漏极接触之间的栅电极。绝缘体层在III‑N结构的上方，在晶体管的栅极区中形成穿过绝缘体层的凹部，栅电极至少部分地在该凹部中。该晶体管进一步包括场板，该场板具有在栅电极和漏极接触之间的部分，该场板电连接到源极接触。该栅电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外侧并向漏极接触延伸。导电沟道和栅电极的延伸部分之间的间隔大于导电沟道和场板在栅电极和漏极接触之间的部分之间的间隔。
增强 iii 氮化物器件

[发明专利]碳掺杂半导体器件-CN201480015652.0有效
发明人：斯塔西亚·凯勒;布赖恩·L·斯文森;尼古拉斯·费希滕鲍姆 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在反应器中形成III‑N半导体层以及把烃前体注入反应器中，由此碳掺杂III‑N半导体层并使III‑N半导体层绝缘或半绝缘。一种半导体器件，包括衬底以及衬底上的碳掺杂绝缘或半绝缘III‑N半导体层。III‑N半导体层中的碳掺杂密度大于5×10¹⁸cm^‑3且III‑N半导体层中的位错密度小于2×10⁹cm^‑2。
掺杂半导体器件

[发明专利]半导体器件的电极及其形成方法-CN201480016477.7有效
发明人：斯拉班缇·乔杜里;乌梅什·米什拉;尤瓦扎·多拉 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种III‑N半导体HEMT器件，其包括在III‑N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III‑N材料结构的凹进部的部分比接近III‑N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III‑N材料结构之间。第一侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。
半导体器件电极及其形成方法

[发明专利]半导体功率模块和装置-CN201380021266.8有效
发明人：吴毅锋 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：描述了一种电子组件，所述电子组件包括：第一晶体管，第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一晶体管被安装在所述第一封装的第一导电部分上方；以及第二晶体管，第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二晶体管被安装在所述第二封装的第二导电部分上方。所述组件还包括基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层。所述第一封装在所述基板的一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层，并且所述第二封装在所述基板的另一侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层。所述第一封装与所述第二封装相对，其中，所述第一导电部分的第一区域的至少50％与所述第二导电部分的第二区域相对。
半导体功率模块装置

[发明专利]具有集成的限流器的半导体电子元件-CN201380043139.8有效
发明人：吴毅锋;乌梅什·米什拉;斯拉班缇·乔杜里 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：电子元件包括高电压损耗模式晶体管和低电压增强模式晶体管。高电压损耗模式晶体管的源电极电连接到低电压增强模式晶体管的漏电极，并且高电压损耗模式晶体管的栅电极电耦合到低电压增强模式晶体管的源电极。增强模式晶体管的导通电阻小于损耗模式晶体管的导通电阻，并且增强模式晶体管的最大电流水平小于损耗模式晶体管的最大电流水平。
具有集成限流半导体电子元件

[发明专利]适用于具有异质衬底的III族氮化物器件的缓冲层结构-CN201380008005.2有效
发明人：斯塔西亚·凯勒;布赖恩·L·斯文森;尼古拉斯·费希滕鲍姆 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开内容的实施例包括适用于具有异质衬底的III‑N器件的缓冲结构。缓冲结构可以包括具有第一铝组分的第一缓冲层以及形成在第一缓冲层上的第二缓冲层，第二缓冲层具有第二铝组分。缓冲结构进一步包括在第二界面处形成在第二缓冲层上的第三缓冲层，第三缓冲层具有第三铝组分。第一铝组分在第一缓冲层中朝向界面降低且第二铝组分贯穿第二缓冲层大于界面处的第一铝组分。
适用于具有衬底 iii 氮化物器件缓冲结构

[发明专利]半导体模块及其形成方法-CN201280068875.4有效
发明人：吴毅锋;芮成海 -专利权人： 创世舫电子有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：描述了电子模块以及形成和操作该模块的方法。模块包括电容器、第一开关器件和第二开关器件。电子模块进一步包括诸如DBC基板的基板，其包括在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，并且可以包括彼此堆叠的多层DBC基板。第一金属层包括通过贯穿在两个部分之间的第一金属层形成的沟槽而彼此隔开的第一部分和第二部分。第一和第二开关器件在第一金属层上方，并且电容器的第一端子电连接到第一金属层的第一部分，并且电容器的第二端子电连接到第一金属层的第二部分，并且电容器在沟槽上延伸。
半导体模块及其形成方法

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