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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有基板通孔的噪声去耦合结构-CN201110060876.1有效
发明人：陈家忠;周淳朴;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开一种装置，其包括：基板，具有前表面和后表面；集成电路器件，在基板的前表面处；以及金属板，在基板的后表面上，其中，金属板与整个集成电路器件基本上重叠。保护环延伸到基板中并且环绕集成电路器件。保护环由导电材料形成。基板通孔(TSV)穿过基板并且电连接至金属板。
具有基板通孔噪声耦合结构

[发明专利]集成电路装置及形成集成电路装置的方法-CN201110082303.9有效
发明人：颜孝璁;胡宪斌;郭晋玮;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供集成电路装置及形成集成电路装置的方法，所述装置包含第一导电性的半导体基材，其中此半导体基材包含第一表面和相对于第一表面的第二表面。穿透基材介层窗由此半导体基材的第一表面延伸到第二表面。具有相对于第一导电性的第二导电性的一井区围绕此穿透基材介层窗，且由半导体基材的第一表面延伸至第二表面。
集成电路装置形成方法

[发明专利]集成电路元件与双极结晶体管-CN201110049415.4有效
发明人：陈家忠;周淳朴;袁锋;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种集成电路元件与双极结晶体管。集成电路元件包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于半导体基板上，鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，基极部位于集极部与射极部之间，其中：集极部为一第一掺杂区，第一掺杂区包括一第一型掺杂物；射极部为一第二掺杂区，第二掺杂区包括第一型掺杂物；以及基极部为一第三掺杂区，第三掺杂区包括一与第一型掺杂物相反的第二型掺杂物；以及一栅极结构，配置于鳍状结构的基极部上。本发明实施例能够提高集成电路元件的电流增益，并且特别适合用于系统整合芯片技术。
集成电路元件结晶体

[发明专利]变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路-CN201010533990.7有效
发明人：颜孝璁;胡宪斌;吕哲庆;郭晋玮;陈明发;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明揭露一种变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路。此变容器包含半导体基材、介电层、导电材料与杂质植入区域。半导体基材具有穿过基材表面的开口。介电层是设置于开口中的侧表面上。导电材料是形成介电层上并填充开口，形成可导电的穿透基材介层窗。杂质植入区域是设置于基材中且环绕穿透基材介层窗与介电层。此三维集成电路包含此变容器、电感与主动电路。在形成变容器的方法中，首先提供基材。接着，形成开口于基材的第一表面上。然后，植入杂质于环绕开口的侧壁上。接着，形成介电层于位在开口中的被植入杂质的侧壁上。接着，以导电材料来填充开口。
容器形成方法以及应用三维集成电路

[发明专利]3D电感器和变压器-CN201010279223.8有效
发明人：颜孝璁;郭晋玮;胡宪斌;刘莎莉;陈明发;吕哲庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：根据实施例，一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层，并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层，并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电连接至第二导电图案以形成线圈。其他实施例考虑线圈、电感器和/或变压器的其他结构，并考虑多种制造方法。
电感器变压器

[发明专利]用于射频放大器的电路和方法-CN201010517147.X无效
发明人：周淳朴;薛福隆;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：一种射频放大器电路包括能够承受基板偏压的基板。晶体管的源极能够承受源极偏压。晶体管的漏极能够承受漏极偏压。晶体管的栅极位于源极和漏极之间。射频输入信号耦合至栅极。基板偏置电路提供基板偏压。基板偏压和源极偏压正向偏置由源极和基板形成的第一二极管。基板偏压和漏极偏压反向偏置由漏极和基板形成的第二二极管。
用于射频放大器电路方法

[发明专利]去嵌入的方法和装置-CN201010222592.3有效
发明人：卓秀英;黄俊凯;黄文社;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和右半结构均具有本征传输参数；形成多个虚设受测结构，每一虚设受测结构均包括左焊盘和右焊盘；测量受测结构和虚设受测结构的传输参数；以及使用左半结构和右结构的本征传输参数与受测结构和虚设受测结构的传输参数，推导待测元件的本征传输参数。本发明可避免过度去嵌入。
嵌入方法装置

[发明专利]在半导体结构中传输射频信号-CN200910001962.8有效
发明人：卓秀英;叶子祯;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种用于沿信号线发射射频信号的半导体器件，包括沿主轴延伸的信号线。第一电介质在所述信号线的一侧上，第二电介质在所述信号线的相对侧上。第一和第二地线分别接近于所述第一和第二电介质，地线近似平行于所述信号线。所述器件具有沿主轴变化的横剖面。
半导体结构传输射频信号

[发明专利]超大规模集成电路的精确电容测量-CN200810126245.3有效
发明人：董易谕;张克正;米玉杰;刘莎莉;洪连嵘;张智援 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种在测量集成电路中的接触及介层寄生电容的测试结构与方法。通过从测量结果中消除非待测量的电容的测量误差，以改良接触及介层电容测量的精准性。首先，电容是在具有待测量的接触或介层电容的目标测试结构所测量的。然后，在实质类似的对照测试结构上测量，而对照测试结构并无待测量的接触或介层。通过测量上述两个测试结构的电容，即可计算出待测量的接触与介层电容。
超大规模集成电路精确电容测量

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