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[发明专利]具有隔膜沟槽加强件的微机电麦克风和制造方法-CN202180040564.6在审
发明人：皮尔明·赫尔曼·欧托·龙巴赫;库尔特·拉斯穆森;丹尼斯·莫滕森;刘政谚;莫滕·金尼鲁普;扬·图厄·拉文希尔德;秋山承太郎 -专利权人： TDK电子股份有限公司;TDK股份有限公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：提供了具有隔膜沟槽加强件的微机电(MEMS)麦克风和制造方法。MEMS麦克风包括柔性板和机械地联接至柔性板的刚性板。MEMS麦克风包括阻止构件，该阻止构件固定至刚性板并且相对于刚性板的与柔性板的表面相对的表面垂直延伸。阻止构件限制柔性板的运动。刚性板包括反向弯曲边缘，该反向弯曲边缘包括第一横向蚀刻停止件和第二横向蚀刻停止件，第一横向蚀刻停止件包括第一拐角半径，第二横向蚀刻停止件包括第二拐角半径。第一拐角半径大于100纳米，并且第二拐角半径大于25纳米。此外，第一拐角半径与第二拐角半径之间的横向台阶宽度小于约4微米。
具有隔膜沟槽加强微机麦克风制造方法

[发明专利]MEMS麦克风制造方法-CN201811651265.2有效
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构；在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构，所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙；在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构，所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙；在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极；刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面，形成背腔。
mems 麦克风制造方法

[发明专利]MEMS麦克风制造方法-CN201811651271.8有效
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构；在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构，所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙；在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构，所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙；在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极；刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面，形成背腔。
mems 麦克风制造方法

[发明专利]MEMS麦克风及其制造方法-CN201610262874.3有效
发明人：王琳琳;周晔;刘政谚;刘雨微;孟珍奎 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS麦克风。所述MEMS麦克风包括具有背腔的基底以及设置在所述基底上的电容系统，所述电容系统包括背板以及与所述背板相对的振膜，所述背板与所述振膜间隔设置并形成声腔，所述振膜远离所述声腔的一侧设有应力层。本发明还提供了一种MEMS麦克风的制造方法。此方法特别适用于低拉伸应力振膜，可以避免在整体结构应力平衡后而导致皱膜或者是变形屈曲，从而保证所述MEMS麦克风具有高灵敏性和高可靠性。而且该方法生产的MEMS麦克风制作工艺流程简单、工艺成本低、易于批量化生产。
mems 麦克风及其制造方法

[实用新型]MEMS麦克风-CN201822278387.3有效
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技(新加坡)有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MEMS麦克风，包括具有背腔的基底以及设于所述基底上的电容系统，所述电容系统包括背板以及与所述背板相对且分别设置在所述背板两侧的第一振膜和第二振膜，所述第一振膜和第二振膜与背板间隔设置并分别形成第一绝缘间隙和第二绝缘间隙，所述背板开设有若干个通孔，所述第一振膜和所述第二振膜为圆形，所述MEMS麦克风还包括贯穿所述通孔设置于所述第一振膜与所述第二振膜之间的第一支撑件，所述第一支撑件的一端连接于所述第一振膜的圆心，另一端连接于所述第二振膜的圆心。通过设置支撑件，有效避免了振膜不必要的偏转，提高了MEMS麦克风的整体灵敏度和信噪比。
振膜支撑件背板电容系统绝缘间隙一端连接圆心基底通孔偏转本实用新型整体灵敏度背板间隔背板两侧信噪比背腔贯穿

[实用新型]一种MEMS麦克风-CN201822279342.8有效
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技(新加坡)有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：本实用新型提出一种MEMS麦克风，包括具有背腔的基底以及设于所述基底上的电容系统，所述电容系统包括背板以及与所述背板相对且设置在所述背板上下两侧的第一振膜和第二振膜，所述MEMS麦克风包括隔离所述基底、所述背板、所述第一振膜、所述第二振膜的绝缘层；所述第一振膜与所述第二振膜之间形成密封空间，且所述密封空间内的压强等于外界压强，有效避免了环境压力对振膜的影响，提高了器件的可靠性和灵敏度。
振膜背板基底电容系统密封空间绝缘层压强本实用新型环境压力上下两侧外界压强灵敏度背腔隔离

[发明专利]适用于MEMS麦克风的光掩膜结构及其制作方法-CN201510464792.2有效
发明人：王琳琳;周晔;刘政谚;孟珍奎 -专利权人：瑞声声学科技(深圳)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于MEMS麦克风的光掩膜结构，所述光掩膜结构包括SOI基板和形成在所述SOI基板的阶梯型开口；所述SOI基板包括硅衬底、中间绝缘层和硅顶层，所述中间绝缘层位于所述硅衬底和所述硅顶层之间；所述阶梯型开口包括第一开口部和第二开口部，其中所述第一开口部贯穿所述硅顶层且其开口面积与待制作的连接盘的面积相对应，所述第二开口部至少贯穿所述硅衬底并与所述第一开口部相连通，所述第二开口部的开口面积大于所述第一开口部。本发明还提供一种所述光掩膜结构的制作方法。
适用于 mems 麦克风膜结构及其制作方法

[发明专利]MEMS麦克风制造方法-CN201811651259.7在审
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构；在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构，所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙；在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构，所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙；在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极；刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面，形成背腔。
振膜结构背板结构制备基底第一表面侧面第二表面电极背腔刻蚀制造

[发明专利]MEMS麦克风制造方法-CN201811651276.0在审
发明人：孟珍奎;刘政谚 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构；在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构，所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙；在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构，所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙；在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极；刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面，形成背腔。
振膜结构背板结构制备基底第一表面侧面第二表面电极背腔刻蚀制造

[发明专利]MEMS晶圆的切割方法-CN201610565947.6有效
发明人：周晔;王琳琳;刘政谚;刘雨微;孟珍奎 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS晶圆的切割方法，该切割方法包括如下步骤提供第一MEMS晶圆；在所述第一MEMS晶圆的表面键合第一结构层；利用光刻工艺在所述第一结构层上形成贯穿其上下表面的第一划片槽及隔断第一划片槽并由所述第一结构层构成的第一阻挡部；提供第二MEMS晶圆，将其键合至所述第一结构层上；采用激光切割工艺沿所述划片槽进行切割，以分离MEMS芯片和假片。与相关技术相比，本发明提供的MEMS晶圆的切割方法显著降低了在进行激光切割时MEMS晶圆非活动区域上的结构层对激光聚焦的影响，提高了切割效率。
mems 切割方法

[实用新型]振膜及应用该振膜的MEMS麦克风-CN201620577283.0有效
发明人：孟珍奎;王琳琳;刘政谚;钟晓辉;刘雨薇 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种振膜及应用该振膜的MEMS麦克风，所述振膜上设有位于所述振膜边缘的第一声孔群和第二声孔群，所述第一声孔群中各个声孔的圆心的连线所在的圆与第二声孔群中各个声孔的圆心的连线所在的圆为同心圆，所述第一声孔群中的任意一个或相邻的两个声孔与第二声孔群中相对的声孔组成的三角形为等腰三角形。本实用新型提高了振膜及MEMS麦克风的声学性能。
应用 mems 麦克风

[实用新型]电容式微机电结构传感器-CN201620052291.3有效
发明人：孟珍奎;刘政谚;周晔;王琳琳;刘雨微;叶武振 -专利权人：瑞声声学科技(深圳)有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H04R7/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电容式微机电结构传感器，包括基底以及与基底固定连接的振膜，所述振膜设置有多个波纹结构，所述多个波纹结构中的每个波纹结构包括侧面、底面和顶面，其中，连接侧面与底面的连接边的曲率半径小于振膜的厚度；连接侧面与顶面的连接边的曲率半径大于振膜的厚度。本实用新型的电容式微机电结构传感器的振膜的波纹结构的转角处具有小于振膜厚度的曲率半径，增加了波纹结构的深度，从而较大程度地释放振膜所承受的应力。
电容式微机电结构传感器

[发明专利]晶体振荡器的封装结构及封装方法-CN201310383230.6无效
发明人：许国辉;邝国华;陈永康;董靓;周志健;刘政谚;冯良 -专利权人：广东合微集成电路技术有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体振荡器的封装结构，包括晶体以及集成电路裸片，所述晶体和所述集成电路裸片均固定安装在基板的第一表面上，所述集成电路裸片通过金线绑定在所述基板上，所述基板、晶体以及集成电路裸片外部整体设置有环氧树脂封装层；本发明中还公开了封装上述晶体振荡器的方法，采用环氧树脂进行封装能够提高振荡器承受物理冲击的能力，环氧树脂封装制作过程简单、生产设备造价低；振荡器结构能够承受高温，优化信号连接减小信号失真，增加屏蔽层减小电磁干扰。
晶体振荡器封装结构方法

[发明专利]一种微机械谐振器-CN201310278034.2无效
发明人：董靓;周志健;陈永康;刘政谚;许国辉;邝国华;冯良;杨恒;李昕欣 -专利权人：广东合微集成电路技术有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机械谐振器，包括谐振部分以及围绕谐振部分一个或一个以上的连接部分，其中，所述连接部分包含：第一级耦合梁，与所述谐振部分连接；附加耦合梁结构，包含至少一个耦合梁，与所述第一耦合梁连接；一个或多个锚点，分别位于最末级耦合梁的端点上。本发明通过附加耦合梁结构降低了锚点的能量损耗，从而有效地提高了微机械谐振器的Q值。
一种微机谐振器

[发明专利]一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法-CN201310272193.1有效
发明人：周志健;董靓;陈永康;刘政谚;许国辉;邝国华;冯良;杨恒;李昕欣 -专利权人：广东合微集成电路技术有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法，所述制造方法包括：在单晶硅晶圆衬底上形成MEMS结构；在MEMS结构上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成图形化的电极层；在电极层上形成第二牺牲层；在位于MEMS结构下方的单晶硅晶圆衬底上形成密封空腔，由第三牺牲层密封；图形化第二、第三牺牲层；在第三牺牲层上形成覆盖层；图形化覆盖层，去除所述第一、第二、第三牺牲层，使MEMS结构得到释放；在覆盖层上形成密封结构；在密封结构上形成金属引线；低温退火。本发明使得MEMS结构为单晶硅材料并锚定于封装结构的上部，减少了衬底应力对器件的影响，且电极和MEMS结构之间的间隙极小，降低了器件的能量损耗，实现了低成本、高品质的MEMS器件。
一种集成晶圆级真空封装 mems 器件及其制造方法

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