专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]LED结构、LED器件及LED结构的制备方法-CN202210204271.3在审
  • 刘慰华 - 无锡晶湛半导体有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-09-12 - H01L33/08
  • 本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的制备方法,一方面包括衬底结构,衬底结构包括衬底以及间隔设置于衬底上的多个第一应力调制层;位于衬底结构上的发光单元;衬底结构包括上表面为第一应力调制层的第一区域和上表面为衬底的第二区域,位于第一区域上的发光单元和位于第二区域上的发光单元的发光波长不同,实现了在同一衬底上同时具有两种主发光波长的发光单元;另一方面通过本公开LED结构封装制备的LED器件,有效解决了传统LED背光芯片色域偏低的问题,且简化了LED背光芯片的制作步骤,降低LED背光芯片的制备成本。
  • led结构器件制备方法
  • [发明专利]LED结构、LED器件及LED结构的形成方法-CN202210205169.5在审
  • 刘慰华 - 无锡晶湛半导体有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-09-12 - H01L33/08
  • 本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的形成方法,一方面包括衬底结构,衬底结构包括至少一个第一区域和至少一个第二区域;衬底结构包括衬底以及多个位于衬底上的图案化的掩膜层,掩膜层位于第二区域的部分区域上;位于衬底结构上的发光单元,发光单元包括位于第一区域内的第一子发光结构以及位于第二区域内的第二子发光结构,第一子发光结构和第二子发光结构的发光波长不同,实现了在同一衬底上同时具有两种主发光波长的发光单元;另一方面通过本公开LED结构封装制备的LED器件,有效解决了传统LED背光芯片色域偏低的问题,且简化了LED背光芯片的制作步骤,降低LED背光芯片的制备成本。
  • led结构器件形成方法
  • [发明专利]量子阱结构及其制备方法和发光二极管-CN202080106826.X在审
  • 刘慰华;程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-11-24 - 2023-07-21 - H01L33/00
  • 一种量子阱结构(10)及其制备方法和发光二极管,该量子阱结构(10)包括至少一个量子阱(100)和至少一个第一膜层(200)。该至少一个量子阱(100)中的每个量子阱(100)包括彼此叠置的势阱层(112)和势垒层(111),势阱层(112)包括第一掺杂元素。该至少一个第一膜层(200)中的每个第一膜层(200)包括第二掺杂元素。第二掺元素用于调节与第一膜层(200)相邻的势阱层(112)中的第一掺杂元素的掺杂量。第一掺杂元素包括In和Al中的至少一种,第二掺杂元素包括Al、Mg和Si中的至少一种。第一膜层(200)可以通过第二掺杂元素的催化作用来调节(例如提高或者抑制)形成势阱层(112)时向其中掺杂的第一掺杂元素的含量,从而根据需要对量子阱(100)的发光效率、发出光的波长进行调节。
  • 量子结构及其制备方法发光二极管
  • [发明专利]LED器件、LED结构及其制备方法-CN202080106669.2在审
  • 刘慰华;程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-11-13 - 2023-07-11 - H01L33/12
  • 一种LED器件、LED结构及LED结构的制备方法。该LED结构的制备方法包括:在一衬底(1)上生长第一导电类型半导体层(3);在第一导电类型半导体层(3)上生长有源层(4),有源层(4)包括层叠设置的势阱层(401)、插入层(402)以及势垒层(403),插入层(402)包括层叠设置的第一插入层(4021)和第二插入层(4022),第一插入层(4021)与势阱层(401)之间产生量子限制斯塔克效应;势阱层(401)、第一插入层(4021)以及势垒层(403)的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料,第二插入层(4022)的材料包含Si‑N键,用于修复第一插入层(4021)的V型缺陷;在有源层(4)上生长第二导电类型半导体层(5),第一导电类型半导体层(3)与第二导电类型半导体层(5)的导电类型相反。本公开能够防止发光二极管(LED)的光电性能降低。
  • led器件结构及其制备方法
  • [发明专利]多波长LED结构及其制作方法-CN202080106286.5在审
  • 刘慰华;程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-11-24 - 2023-07-04 - H01L33/08
  • 一种多波长LED结构(1、2、3、4、5、6、7、8)及其制作方法,多波长LED结构(1、2、3、4、5、6、7、8)包括:第一半导体层(ll)、具有V形坑(l2a)的应力释放层(12)、自下而上层叠于V形坑(l2a)的侧壁以及应力释放层(12)的顶壁的第一量子阱层(131)与第二量子阱层(132),以及位于第二量子阱层(132)上的第二半导体层(14),第二半导体层(14)的导电类型与第一半导体层(ll)的导电类型相反。利用外延生长在V形坑(l2a)侧壁的量子阱层的厚度小于生长在顶壁的量子阱层的厚度,量子阱层的厚度小,对应的禁带宽度大,发光波长短,载流子易于隧穿,可提高靠近N型半导体层的量子阱层的发光效率,电子空穴对复合在不同区域对应的发光颜色不同,避免使用复杂驱动电路、寿命长、可靠性高,同时,显色性好且发光波长可自由调整。
  • 波长led结构及其制作方法
  • [发明专利]微型LED结构的制作方法-CN202080105786.7在审
  • 刘慰华;程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-10-14 - 2023-06-23 - H01L33/00
  • 一种微型LED结构(12)的制作方法,包括:提供衬底(10),在衬底(10)上形成图形化的掩膜层(11),图形化的掩膜层(11)具有暴露衬底(10)的开口(11a);以图形化的掩膜层(11)为掩膜,对衬底(10)进行外延生长,以在开口(11a)处形成微型LED结构(12);其中,通过控制开口(11a)在衬底(10)所在平面方向的投影的形状以及在垂直衬底(10)方向的竖剖面的形状以控制微型LED结构(12)的光学性能。微型LED结构(12)的制作方法一方面避免了切割工序,另一方面避免了大面积生长LED外延片以及由此导致的LED外延片应力积累产生翘曲变形,因而可提高微型LED结构(12)的良率。此外,不同形状的微型LED结构(12)具有不同的光学性能,通过开口(11a)形状控制可定制微型LED结构(12)的光学性能。
  • 微型led结构制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202080104996.4在审
  • 程凯;刘慰华 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-09-24 - 2023-05-16 - H01L33/14
  • 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括沿垂直方向设置在衬底上的N型半导体层;所述N型半导体层上沿水平方向形成有至少一个多量子阱结构,在每个所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面形成有P型半导体层;每一所述多量子阱结构包括沿垂直方向依次层叠的多个半导体层,以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元;所述P型半导体层沿垂直方向与所述多量子阱结构的每一所述半导体层均接触。该制备方法用于制备该半导体结构。本申请能够实现P型半导体层所提供载流子的注入方式为侧向注入载流子到设计的每个多量子阱结构的有源区(发光区)中,从而最终形成具有多发光波长的GaN基LED结构材料。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [实用新型]一种水肥自动配比的水稻育种穴盘-CN202320263703.8有效
  • 刘慰华;朱振华;袁平荣;寇姝燕;吴志刚;苏振喜;黄平 - 云南省农业科学院粮食作物研究所
  • 2023-02-21 - 2023-04-25 - A01G9/029
  • 本实用新型公开了一种水肥自动配比的水稻育种穴盘,包括底座、育种穴盘分格、横梁、第二轴承座、第二电门和传输管,所述底座上中央安装育种穴盘分格,所述第二轴承座上中央贯通安装第二丝杠,所述顶板一侧安装传输管。该水肥自动配比的水稻育种穴盘设置有一套集成控制系统:这套装置内设置有一套集成PLC系统单元,使用者可以事先对育种穴盘分格内的所有水稻进行提前定位,随后将定位数据输入PLC系统单元,在需要配比施肥作业时将数据进行编程作业并且提前将配比数据输入PLC系统单元即可自动完成对对育种穴盘分格内所有水稻的配比和施肥作业,这大大提高了水稻种植的自动化水平。
  • 一种水肥自动配比水稻育种

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