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[发明专利]一种基于二维铁电材料离子迁移多态存储器件及其制备方法-CN202310165386.0在审
发明人： 刘富才;宋苗苗;刘庆 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维铁电材料离子迁移多态存储器件及其制备方法，该存储器件包括在以下三种器件结构下实现多态存储效果:1.MFMIS(金属‑铁电材料‑金属绝缘介电层‑半导体)结构。2.MFIS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。3.MFS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。其中包括支撑衬底上的导电沟道，导电沟道上设置有源极电极、漏极电极和绝缘介电层，源极电极和漏极电极分别设置于半导体沟道两端。沟道上置有石墨烯浮栅‑绝缘介电层‑CuInP2S6‑金属顶栅电极结构；或者绝缘介电层‑CuInP2S6‑金属顶栅；或者CuInP2S6‑金属顶栅电极结构。利用二维铁电半导体离子迁移现象调控沟道电阻状态，可在低电压操作下实现多状态的非易失存储。
一种基于二维材料离子迁移存储器件及其制备方法

[发明专利]一种基于新型二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法-CN202310036843.6在审
发明人： 刘富才;李长存;梁磊 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于新型二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将Ni粉、Ta粉和Te粉混合，研磨；投入石英管中，加入碘，加热，同时建立温差，保持一周，冷却，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；解离到薄层，并转移到基底上，然后和刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，再在蒸镀Cr/Au电极，制得基于新型二维拓扑材料的宽波段光电探测器。本发明制得的基于Ta2Ni3Te5薄片的光电探测器在自供电模式下呈现出快速响应时间、高响应度和非局域化光电流响应，本发明解决了现有技术中光电探测器性能较差的问题。
一种基于新型二维拓扑材料波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种可重构的光控制铁电极化翻转器件及其制备方法-CN202310164293.6在审
发明人： 刘富才;梁磊;刘庆 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构的光控制铁电极化翻转器件及其制备方法，本发明涉及铁电光电子领域。该器件由下至上依次包括支撑衬底、二维绝缘衬底、漏电极、铁电介质层和源电极。本发明的器件由铁电介质层吸收大于材料带隙波长的光，产生光生载流子，并通过石墨烯电极收集传导；通过控制不同极化电场条件下高真空退火处理，实现了控重构的光控制铁电极化的翻转。其具有可重构的光控制极化翻转、可以通过控制光功率的大小来控制极化翻转的时间、可以将探测到的光信号转换成电信号、低功耗和高密度集成的特点，可有效解决现有铁电物性调控方式单一、调控性能不足的技术问题，引入了光调控铁电极化新的物理方式并可重构，有利于推广使用。
一种可重构控制极化翻转器件及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫族磷酸盐层状材料基于离子迁移机制在仿神经突触器件中的应用-CN202111138878.8在审
发明人： 刘富才;陈建钢;曹桂铭 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属硫族磷酸盐层状材料基于离子迁移机制在仿神经突触器件中的应用。仿神经突触器件包括由下至上依次叠置的支撑衬底、背栅电极、介质层、源漏电极和封装层；源漏电极包括源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间设置有导电沟道，导电沟道为过渡金属硫族磷酸盐层状材料。本发明通过调控材料晶格中本征离子的输运过程进而实现以过渡金属硫族磷酸盐层状材料为导电沟道的仿神经突触电子器件，有效解决了现有金属导电丝忆阻器存在的金属原子易氧化不稳定、高低阻态切换电压随机变化和开态电流过大等问题。
一种过渡金属磷酸盐层状材料基于离子迁移机制神经突触器件中的应用

[发明专利]一种基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器及其制备方法-CN202310034144.8在审
发明人： 刘富才;李长存 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将3d磁性过渡金属粉、Ta粉和Te粉混合，研磨，制得混合原料；投入石英管中，加入碘，抽真空密封，加热，同时建立的温差，保持一周，冷却至室温，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；采用机械剥离法解离到薄层，并转移到基底上，然后与刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，然后蒸镀Cr/Au电极，制得基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器。其光电探测的范围有望拓展到远红外光区甚至是太赫兹波段。
一种基于新型二维金属材料波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于二维铁电半导体的光电随机存取存储电子器件及其制备方法-CN202211475339.8在审
发明人： 刘富才;梁磊;邓豪 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维铁电半导体的光电随机存取存储电子器件及其制备方法，本发明涉及光电子存储技术领域。该器件由下至上依次包括支撑衬底、绝缘衬底、漏电极、铁电介质层和源电极。本发明的器件由铁电介质层吸收波长大于带隙的光，产生光生电子空穴对，并分离至电极界面保存，以此来存储光生载流子；通过控制吸收的光子数量，可以有效的控制存储的光生电荷数量。其具有可以将探测到的光信号转换成电信号、光生载流子的存储时间较长、可以通过控制注入的光子数量决定存储容量和低功耗的特点，可有效解决现有光电存储器件集成度低、光生存储时间过短、可存储态单一和稳定性较差的技术问题，同时实现感、存、算于一体，有利于推广使用。
一种基于二维半导体光电随机存取存储电子器件及其制备方法

[实用新型]汽车组合开关和汽车-CN202223424810.9有效
发明人：廖有龙;刘富才 -专利权人：浙江吉利控股集团有限公司;浙江吉利远程新能源商用车集团有限公司;浙江远程商用车研发有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B60R16/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种汽车组合开关和汽车，其中，汽车组合开关包括壳体、手柄总成以及两个弹性缓冲件；所述壳体内设有档位块；所述手柄总成可转动连接于所述壳体，所述手柄总成包括相连接的操纵杆和转向拨块，所述转向拨块设于所述壳体，并在所述操纵杆的驱动下沿所述档位块的档位轨迹运动而往返于两极限位置；所述弹性缓冲件设于所述档位块和所述转向拨块中的至少之一的侧部，用于对朝向极限位置靠近的所述转向拨块进行弹性缓冲。本实用新型技术方案能够吸收档位跳变时产生的惯性冲击能量，有效降低转向拨块停止时与壳体的硬止位结构接触产生的噪音，进而为用户提供驾驶低噪音的舒适性体验。
汽车组合开关

[发明专利]一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法-CN202211029841.6在审
发明人： 刘富才;李长存;刘庆;周雷 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。
一种基于二维磁性材料波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法-CN202010966037.5有效
发明人： 刘富才;曹桂铭;刘海石;陈建钢;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法，突触器件阵列，包括若干突触器件单元，突触器件单元包括衬底，衬底上设置有背栅电极，背栅电极上设置有绝缘介质层，绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道，二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二，二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触，二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。本发明还提供了突触阵列的制备方法。本发明的器件阵列包含多个基于H钝化的含Si绝缘介质衬底的突触器件单元，其制备工艺简单易操作，有效解决了现有技术中制备工艺复杂、不利于大规模生产和应用等问题，便于推广使用。
一种集成二维光电突触器件阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于二维铁电半导体的光调控铁电存储器件及其制备方法-CN202211046886.4在审
发明人： 刘富才;宋苗苗;刘庆 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维铁电半导体的光调控铁电存储器件及其制备方法，该存储器件包括支撑衬底，支撑衬底上部设置有导电沟道，导电沟道上设置有源极电极、漏极电极和绝缘介电层，源极电极和漏极电极分别设置于半导体沟道两端，绝缘介电层上部依次设置有石墨烯中间栅极、铁电介质层、石墨烯顶栅和金属顶栅。使用二维层状铁电材料CuInP2S6。结合CuInP2S6的极化电场对沟道电阻的控制可受光信号调控的现象与MFMIS结构增强铁电极化稳定性实现了晶体管光调控阻态的记忆行为。
一种基于二维半导体调控存储器件及其制备方法

[发明专利]一种基于层间滑移的多电导态铁电晶体管器件及制备方法-CN202210825780.8在审
发明人： 刘富才;蒙鹏;卞仁吉 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层间滑移的多电导态铁电晶体管器件及制备方法，其工作机理如下：通过器件上下栅极施加垂直电场，实现范德华层状铁电的层间滑移，进而实现铁电极化态的叠加，在多层材料中获得多个极化态，通过多重铁电极化态进一步调控晶体管沟道的电导态。本发明的多电导态铁电晶体管器件区别于传统的基于铁电畴的改变获得的多态器件，以及基于铁电极化完全翻转获得的二值型器件，实现了多态铁电极化调控原理上的创新，基于材料层数作为新的自由度，实现稳定、多值、低功耗的效果。
一种基于滑移电导态铁电晶体管器件制备方法

[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人： 刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件及其制备方法-CN202210574188.5在审
发明人： 刘富才;贾强;梁磊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件，包括支撑衬底、铁电二维钙钛矿、TMDs材料和两个源漏电极，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料铺设于支撑衬底上，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料相互重叠部分位于支撑衬底中部且TMDs材料位于铁电二维钙钛矿的下面，其中一个源漏电极与铁电二维钙钛矿相连接且另一个源漏电极与TMDs材料相连接。本发明提供了一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件及其制备方法，解决现有钙钛矿器件光电难以同时获取稳定性和高效光电探测性能这一技术难题。
一种基于二维钙钛矿二硫化钼垂直结构异质结器件及其制备方法

[发明专利]一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法-CN202210789434.9在审
发明人： 刘富才;胡嘉仪;郑安绮 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法，包括衬底；布设在所述衬底上的绝缘封装层、导电沟道、介电层和栅极；以及布设在所述导电沟道两侧的源漏电极；所述介电层是采用机械剥离法或化学气相沉积法(CVD)制备的多层或少层金属硫族磷酸盐。采用机械剥离得到的少层金属硫族磷酸盐材料作为场效应晶体管器件的介电层，利用PDMS干法转移搭建二维材料堆叠组成的异质结构，能够有效降低漏电流，提高栅控效果。解决了现有的传统硅基场效应晶体管尺寸降低至纳米点后存在的开态电流降低和短沟道效应问题以及二维介电层h‑BN的介电常数小的问题。
一种金属磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于二维过渡金属硫化物半导体的新型激子调控器件及其制备方法和调控方法-CN202210174987.3在审
发明人： 刘富才;陈诚;洪佩龙 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件，包括SiO2衬底，所述SiO2衬底上设有封装层，所述封装层上设有金属硫族化物层，所述金属硫族化物层上设有石墨烯层，在所述SiO2衬底上还制备有金属电极，所述石墨烯层连接金属电极和金属硫族化物层。本发明还提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件的制备方法及控制器件的调控方法。解决了现有技术中存在的室温下对半导体材料内的电子空穴对，即激子输运调控距离较短、荧光强度较弱的问题。
一种基于二维过渡金属硫化物半导体新型激子调控器件及其制备方法

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