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[发明专利]一种功率器件结构-CN202310809345.0在审
发明人： 刘子泽;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件结构。该功率器件结构包括：衬底；设置于衬底一侧的条形沟槽元胞；设置于条形沟槽元胞远离衬底一侧的发射极金属层；发射极金属层包括发射极引线区和非发射极引线区；非发射极引线区环绕发射极引线区设置；发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量，小于非发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量。本发明实施例的技术方案可有效减小发射极引线区的电流集中效应，从而有利于防止发射极引线区因发热量过大而烧毁。
一种功率器件结构

[发明专利]一种晶圆背面减薄方法-CN202211030849.4在审
发明人：张洁;刘子泽;刘东栋 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆背面减薄方法，包括提供晶圆，在晶圆的边缘包括一与晶圆的110晶向垂直的平边，在晶圆的正面粘贴研磨保护膜，随后将晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上，对晶圆的背面进行打磨减薄，得到晶圆减薄片，最后再去除晶圆减薄片正面的研磨保护膜。通过将晶圆的平边设置在与晶圆的110晶向相垂直的方向上，以使晶圆在减薄过程中，平边出现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方向扩展，而不会扩展至晶圆的中心，避免了在晶圆减薄过程中产生裂片，提高了晶圆背面减薄的良率。
一种背面方法