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[发明专利]一种树枝型化合物及制备方法和应用-CN200610011225.2无效
发明人：于贵;徐新军;陈仕艳;刘云圻;狄重安;邱文丰;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C07D241/24 文献下载
摘要：一种树枝型化合物，为三个分别基于氰基取代的喹喔啉、甲基取代的喹喔啉、氰基取代的吡嗪的含有多苯基取代基的树枝型化合物；其制备方法为：将4，4’－二溴二苯乙二酮与三甲基硅乙炔经两步反应移入乙炔基，再与四苯基环戊酮反应生成前体4，4’－二(2，3，4，5－四苯基)－苯基二苯乙二酮，再用前体分别与1，2－二氨基－4，5－二氰基苯、1，2－二氨基－4，5－二甲基苯及2，3－二氨基丁二腈反应得到本发明的化合物。本发明的树枝型化合物可以用作发光材料兼电子传输材料制备OLED，有着较高的发光亮度和效率。
一种树枝化合物制备方法应用

[发明专利]超支化发光高分子及其制法和用途-CN200610166539.X无效
发明人：李振;李宗安;秦金贵;刘云圻 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一类超支化结构的发光高分子，具有以下通式：式中Ar为三苯胺、咔唑、芴等芳香基团。本发明以含有三个溴原子的芳香化合物和9，9－二正己基芴－2，7－二(三亚甲基硼酸酯)为原料，以体积比为4～2∶1的四氢呋喃和蒸馏水作为反应溶剂，以四(三苯基磷)钯为催化剂，氩气保护下，在50－80℃反应，0.4－6小时；得到超支化发光高分子。这类超支化高分子作为发光材料可以在信息显示、数据转换、彩色装饰、通用照明及相关方面得到实际应用。
超支发光高分子及其制法用途

[发明专利]一种非平面沟道有机场效应晶体管-CN200510130758.8无效
发明人：于贵;狄重安;刘洪民;刘云圻;刘新宇;徐新军;孙艳明;王鹰;吴德馨;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明是一种非平面沟道场效应晶体管结构，包括衬底、栅极电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体；其在衬底上沉积和图案化栅极以后，顺次构筑第一层绝缘层、源电极、第二层绝缘层和漏电极，最后沉积有机半导体层，至少包括一层有机膜。本发明金属层的厚度为30～300纳米，沟道长度0.3～150微米。
一种平面沟道有机场效应晶体管

[发明专利]场效应增强型有机发光二极管-CN200510130695.6无效
发明人：于贵;狄重安;刘云圻;徐新军;孙艳明;王鹰;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种场效应增强型有机发光二极管，包括衬底、阳极、有机层、阴极，介电层，栅极；其为垂直构造，在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上，顺序分别构筑各功能层，至少一层有机膜和阴极，然后沉积介电层，栅极。本发明的有机发光二极管，结构新颖，制备简单，操作方便；提高了有机发光二极管的电流、发光亮度、发光效率，降低了开启电压和功耗；增强了发光二极管的稳定性。
场效应增强有机发光二极管

[发明专利]基于阳极修饰的有机发光二极管-CN200510126485.X无效
发明人：于贵;狄重安;刘云圻;徐新军;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明是一种基于阳极修饰的有机发光二极管，其在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上，沉积十六氟代酞菁铜构成的强拉电子分子层，形成完整偶极层，再在强拉电子分子层上，顺序分别构筑有机发光二极管的各功能层：至少一层有机膜和阴极。该有机发光二极管，成本低，具有高发光效率和较低的操作电压。本发明同时公开了基于阳极修饰的有机发光二极管阳极的修饰方法，操作简单，修饰后的电极，可用于多种器件结构，具有高透光性，对于蓝绿光有增透作用。
基于阳极修饰有机发光二极管

[发明专利]一种白光有机发光二极管的制备方法-CN200510126329.3无效
发明人：于贵;徐新军;刘云圻;邵科峰;狄重安;杨联明;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种白光有机发光二极管的制备方法，其步骤为：a)锡铟氧化物玻璃基片上真空蒸镀一层可生成电激缔合物的空穴传输兼发光材料；b)再真空蒸镀一层电子传输兼发光材料；c)再真空蒸镀一层空穴阻挡材料和一层电子传输材料；d)再真空蒸镀阴极层。本发明的白光OLED具有较纯正的色度，其色坐标非常接近纯正白光的色坐标值，具有较高的亮度和发光效率，适合于照明需求的色温。并可通过选用合适的超薄电子传输兼发光层材料对发光颜色进行调节，从而得到纯正的白光。
一种白光有机发光二极管制备方法

[发明专利]一种分支型纳米材料的制备方法-CN200510088982.5无效
发明人： 刘云圻;魏大程;付磊;曹灵超;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种分支型纳米材料的制备方法，在公知的化学气相沉积过程中通过载气气流波动使催化剂粒子合并的方法制备分支型的纳米材料。本发明在上述方法基础上，通过控制气流波动的时刻、幅度和载气的成分分别控制了分支的位置、数目和化学组成，并且发展了一种完备的方法用来制备各种特定结构和组成的复杂分支纳米碳管或其他纳米线。
一种分支纳米材料制备方法

[发明专利]一种纳米材料及在场效应晶体管纳米器件的应用-CN200510059662.7无效
发明人： 刘云圻;付磊;刘志敏;曹灵超;魏大程;韩布兴;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种纳米材料，其直径为1～200纳米、长度为0.01～50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线，在该碳纳米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘层。其制备方法采用超临界流体作为不良溶剂将极性硝酸盐从良溶剂中相分离包覆在碳纳米材料表面，形成金属氧化物绝缘包覆层，在带有绝缘层的碳纳米材料两端裸露区域原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有金属氧化物绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极。在室温下这种材料具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。
一种纳米材料在场效应晶体管器件应用

[发明专利]光强度调节的场效应晶体管及其制备方法-CN200410101837.1无效
发明人： 刘云圻;肖恺;孙艳明;胡平安;翟锦;于贵;胡文平;江雷;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有光强度调节的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。与传统的场效应晶体管不同，电流的形成不是靠电场或磁场，而是靠光场，且电流的大小可由光的强度来调控。所述的场效应晶体管是以高掺杂硅为基材，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti/Au阵列电极对，将含氮化碳/碳纳米管的四氯化碳和二氯苯溶液滴在带电极对的二氧化硅表面，在氮化碳/碳纳米管的两端原位沉积Pt电极引线与Ti/Au电极相连。单根氮化碳/碳纳米管为场效应晶体管的半导体材料。Ti/Au电极对分别作为场效应晶体管的源、漏电极，高掺杂硅基材反面的金电极为场效应晶体管的栅电极。该场效应晶体管的源漏电流可由光的强度来调控。
强度调节场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种分子内电荷转移型红色发光材料及制备和应用-CN200410083869.3无效
发明人： 刘云圻;陈仕艳;徐新军;于贵;孙晓波;邱文丰;马永强;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有不平行偶极体系的分子内电荷转移型红色发光材料及制备方法，是以具有空穴传输基团性能的基团三苯胺和二苯萘胺及其取代衍生物作为电子给体，强的亲电子能力的腈基作为电子受体，通过简单的Stille偶联反应和缩合反应，制备了一系列的红色发光材料。用质谱、核磁共振氢谱和碳谱、元素分析等表征了材料的分子结构；用循环伏安表征了材料的电化学性质；用紫外吸收和荧光光谱研究了材料的光物理性质；并利用该材料作为发光层和电子传输层，制备了器件。实验结果表明，此类材料是一种非常有前途的主体型红色发光材料。
一种分子电荷转移红色发光材料制备应用

[发明专利]具有电荷转移结构的主体型红色发光材料及制法和应用-CN200410047948.9无效
发明人： 刘云圻;孙晓波;徐新军;于贵;赵哲辉;陈仕艳;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种具有电荷转移结构的主体型红色发光材料及制法，以咔唑、三苯胺和吩噻嗪及其取代衍生物三类优秀的空穴传输基团作为电子给体，强的亲电子能力的腈基作为电子受体，通过双缩合反应形成的C＝C双键连接，制备了一系列的红色发光材料。用质谱、核磁共振氢谱、元素分析等表征了材料的分子结构；用循环伏安表征了材料的电化学性质；用紫外吸收和荧光光谱研究了材料的光物理性质；并以之为发光层，制备了器件。实验结果表明，此类材料是一类具有较好发光性质的主体型红色发光材料。
具有电荷转移结构主体红色发光材料制法应用

[发明专利]一种二噻吩基三并噻吩化合物及制备方法和应用-CN200410046350.8无效
发明人： 刘云圻;孙艳明;马永强;肖恺;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：一种二噻吩基三并噻吩化合物，具有高迁移率的、良好共轭性的噻吩分子，其制备方法为：将二溴三并噻吩和2－噻吩硼酸溶于四氢呋喃中，加入四(三苯基膦)钯和Na₂CO₃水溶液，氮气氛围下，加热回流，萃取后除去有机溶剂得目标产物。以该化合物为有机层做成的有机场效应晶体管器件，最高迁移率可达0.102cm²/V·s，开关比大于10⁴。
一种噻吩化合物制备方法应用

[发明专利]一种分子内电荷转移型荧光染料及其应用-CN200410038289.2无效
发明人： 刘云圻;孙晓波;徐新军;于贵;赵哲辉;陈仕艳;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种分子内电荷转移型荧光染料及制备方法，以三苯胺、咔唑和吩噻嗪三种优秀的空穴传输基团作为电子给体，具有较强的亲电子能力的腈基作为电子受体，通过简单的缩合反应形成的C＝N共轭π键连接，制备了一系列的P型发光材料。本发明制备的荧光染料作为红色发光染料掺杂到共轭聚合物中，实验结果表明，此类材料是一类具有纯正发射的红色电致发光材料。
一种分子电荷转移荧光染料及其应用

[发明专利]稀土氧化物包覆的碳纳米管及其制备方法和用途-CN03156105.5无效
发明人：付磊;刘志敏;刘云圻;韩布兴;王佳秋;胡平安;曹灵超;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明属于碳纳米管领域，特别涉及稀土氧化物包覆的碳纳米管及其制备方法和用途。本发明第一次采用二氧化碳等超临界流体作为不良溶剂，将极性稀土硝酸盐从良溶剂，如极性溶剂乙醇中相分离均匀包覆在碳纳米管表面，在适当温度下稀土硝酸盐缓缓分解，在碳纳米管外壁形成均一、连续、稳定的稀土氧化物包覆层。所述的稀土氧化物包覆的碳纳米管可用于制作场发射器件、纳米尺度光电器件。本发明采用的超临界二氧化碳，安全可靠，不燃烧，无毒无污染，是一种绿色溶剂。
稀土氧化物纳米及其制备方法用途

[发明专利]一种具有纳米结的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管的制备方法-CN03108244.0无效
发明人： 刘云圻;肖恺;胡平安;于贵;付磊;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管纳米技术，特别是一种具有纳米结的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管的制备方法。该包括下列步骤：第一步，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti/Au电极对阵列；第二步，然后把制备的氮化碳/碳纳米管分散在四氯化碳和二氯苯溶液里，将一滴含碳管的悬浮液滴在带电极对的二氧化硅基底上；第三步，待溶剂挥发完全后，放入IDSP2X聚焦粒子束(FIB)系统的真空室内，用聚焦粒子束电流观察到基片上的碳管，再在单根碳管的两端原位沉积Pt电极引线与Ti/Au电极相连；第四步，对产品进行场效应性能的检测，得到氮化碳/碳纳米管纳米结场效应晶体管。本发明方法工艺简单，成本低廉，而且接触电阻小。
一种具有纳米氮化场效应晶体管制备方法