专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]电动吊葫芦加装导绳器防坠落安全装置-CN202321539871.1有效
  • 梁雷敏;张萍;张钰芳;冯永波;杨光明;左慧杰;王国旗 - 首钢长治钢铁有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-10-27 - B66D1/12
  • 本实用新型公开了电动吊葫芦加装导绳器防坠落安全装置,包括电动吊葫芦本体,所述电动吊葫芦本体包括空心轴和导绳器,所述空心轴的外壁绕接有钢丝绳,所述钢丝绳的一端贯穿导绳器且延伸至电动吊葫芦本体的下方,所述钢丝绳的外壁设置有空心筒,钢丝绳的外壁设置有空心筒,而空心筒通过钢丝牵绳连接固定于电动吊葫芦本体的外壁,当导绳器因频繁振动发生螺丝松动,导致导绳器脱落时,利用钢丝绳上加装的空心筒让其能够对导绳器进行截停,阻止导绳器的继续下落,避免伤亡事故的发生,有效提高安全性,空心筒的上下两端均为外翻的圆滑过渡结构,这样使钢丝绳与空心筒的端部摩擦降低,且使钢丝绳在空心筒内部伸缩更加顺滑,避免带动空心筒上下移动。
  • 电动葫芦加装导绳器防坠落安全装置
  • [实用新型]一种开放式炼胶机-CN202122086617.8有效
  • 黄山清;刘孝儒;冯永波 - 深圳市宏技欣塑胶电子有限公司
  • 2021-09-01 - 2022-06-14 - B29B7/56
  • 本实用新型涉及开放式炼胶机技术领域,具体为一种开放式炼胶机,包括支撑装置,所述支撑装置的内部活动连接有移动机构;所述移动机构包括固定板,所述固定板的外壁固定连接有支座,所述支座的顶部固定连接有电动机,所述电动机的输出轴固定连接有主动辊,所述固定板的外壁固定连接有第一电动推杆,所述第一电动推杆的右侧固定连接有推板,所述推板的背面固定连接有滑块,所述滑块的内部转动连接有转杆,所述转杆的外壁活动连接有传动链,所述转杆的外壁固定连接有从动辊,所述传动链的内壁活动连接有传动轴,所述传动轴的外壁转动连接有固定块,所述固定块的底部固定连接有第二电动推杆。该开放式炼胶机,具备方便改变转动辊之间的距离等优点。
  • 一种开放式炼胶机
  • [实用新型]一种防松动弹片式连接器-CN202122086717.0有效
  • 黄山清;刘孝儒;冯永波 - 深圳市宏技欣塑胶电子有限公司
  • 2021-09-01 - 2022-01-28 - H01R13/639
  • 本实用新型涉及一种防松动弹片式连接器,包括插座件和活动连接于插座件右侧的插接件,所述插座件右表面固定连接有插接至插座件内的接头端片,所述插接件左表面固定连接有弹片,所述插座件内部活动连接有与弹片相卡接的止退销。该防松动弹片式连接器,通过设置止退销、复位弹簧和端盖,使其在组装完成后,可以对弹片的移动进行限制,避免振动造成的弹片松动问题,同时在复位弹簧使用疲劳后,还可以通过转动端盖,将复位弹簧取出更换,方便维护人员维护,而通过设置调节组件,则可以快速对两个止退销的位置进行同步调节,并且通过调节组件中的上转盘和下转盘的设置,则可以避免误触产生的松动问题,确保使用稳定性。
  • 一种松动弹片连接器
  • [实用新型]一种电源线的插尾结构-CN202122086741.4有效
  • 黄山清;刘孝儒;冯永波 - 深圳市宏技欣塑胶电子有限公司
  • 2021-09-01 - 2022-01-18 - H01R13/193
  • 本实用新型涉及一种电源线的插尾结构,包括橡胶插头和固定安装于橡胶插头顶部左右两侧的插头,所述插头的内部设有安装调节组件,安装调节组件上设有与插头连接的调节接触机构,安装调节组件包括开设于插头内部的安装腔,安装腔内固定安装有活动座,活动座的顶部活动安装有贯穿并延伸至插头顶部的调节杆,调节杆的外部开设有正旋螺纹槽,调节杆的外部开设有反旋螺纹槽。该电源线的插尾结构,通过设置的安装调节组件,从而方便了当手持橡胶插头将插头插入插座内时,方便了通过调节安装调节组件带动调节接触机构活动使得增加两个插头之间的宽度,方便插头在插座内保持充分的接触,避免出现松动接触不良的现象。
  • 一种电源线结构
  • [发明专利]晶圆背封结构及制造方法-CN202111070680.0在审
  • 陶磊;王厚有;周成;冯永波 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2021-09-13 - 2021-12-14 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种晶圆背封结构的制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底为重掺杂衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面,所述衬底的第一表面上形成有外延层;在所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上形成保护层;在所述衬底的第二表面形成晶圆背封结构;去除所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上的保护层。进一步的所述晶圆背封结构采用热氧化工艺生成,由于晶圆背封结构采用热氧化工艺,需要消耗衬底生长的晶圆背封结构,致密性高,在后续进行炉管工艺时,避免了晶圆背封结构脱落的问题;同时由于在形成晶圆背封结构时,衬底上第一表面的外延层被保护层保护,避免外延层被消耗破坏。
  • 晶圆背封结构制造方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010454977.6有效
  • 冯永波;朱红波;王厚有;蔡明洋 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2020-05-26 - 2021-05-28 - H01L27/11517
  • 本发明提出一种半导体结构的制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;形成第一多晶硅层于所述衬底上,所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域;形成层叠结构于所述第一多晶硅层上;形成保护层于所述层叠结构上;形成图案化的光阻层于所述保护层上,所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域上的所述保护层;移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构,以暴露出所述第二区域上的所述第一多晶硅层;移除所述图案化的光阻层;形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。本发明提出的半导体结构的制造方法可以保证层叠结构的完整性,提高半导体器件的稳定性。
  • 一种半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]掩模板及曝光方法-CN201910759877.1在审
  • 王厚有;冯永波;朱红波;王冠博 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2019-08-16 - 2021-02-23 - G03F1/00
  • 本发明提供一种掩模板及曝光方法。所述掩模板包括液晶盒结构、位于其第一表面一侧的第一电极层和第一偏光膜以及位于其第二表面一侧的第二电极层和第二偏光膜,第一电极层包括覆盖液晶层表面不同位置的多个第一透明电极,第二电极层包括与各个第一透明电极位置对应且极性相反的第二透明电极,当通过在第一透明电极和第二透明电极形成电场时,电场中的液晶分子发生偏转会使得从第二偏光膜输出的光通量发生变化,进而在液晶层的范围内形成包括遮光区和透光区的掩模图案,该掩模板上形成的掩模图案是可写可擦除的,从而可以实现多种掩模图案的写入,有利于减少掩模板的数量,便于管理,减少成本。所述曝光方法利用了上述掩模板。
  • 模板曝光方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202011073751.8有效
  • 陶磊;蔡明洋;王厚有;冯永波;郭小康 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-10-10 - 2021-02-19 - H01L21/762
  • 本发明提出一种半导体结构及其制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层;形成沟槽于所述衬底中;在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层;其中,所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上,所述衬氮化层位于所述衬氧化层上,所述衬氮化层与所述垫氮化层、所述垫氧化层接触;通过干法刻蚀移除部分所述衬氮化层,以暴露出位于所述沟槽底部的所述衬氧化层;对所述沟槽进行填充,以在所述沟槽中形成介质层;其中,通过含硅前驱体和含氧前驱体在所述沟槽中形成所述介质层,形成所述介质层至少包括第一阶段,第二阶段和第三阶段。本发明提出一种半导体结构的制造方法可以解决浅沟槽隔离结构出现空洞的问题。
  • 一种半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法-CN202011021046.3有效
  • 蔡明洋;陶磊;王厚有;冯永波 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-09-25 - 2021-02-09 - H01L21/762
  • 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法,可改善现有浅沟槽隔离结构的制作过程。浅沟槽隔离结构的制作方法包括如下过程:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底上形成一硬掩膜层,并使所述硬掩膜层上具有一宽度等于待形成浅沟槽上侧开口宽度的掩膜开口;在所述掩膜开口下方的所述半导体衬底内形成保护层;在所述掩膜开口内的两侧壁体上各形成一调整侧壁,并使两侧调整侧壁之间的宽度等于待形成浅沟槽的底部宽度;提供一种对所述保护层和所述调整侧壁具有不同蚀刻选择比的蚀刻剂;纵向干法蚀刻所述掩膜开口内的所述调整侧壁、所述保护层和所述半导体衬底,直至形成所述浅沟槽。
  • 一种沟槽隔离结构制作方法

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