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[发明专利]一种沟槽的形成方法-CN202011106690.0有效
发明人：陶磊;王厚有;冯永波;刘西域 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一氧化层和第一硬掩膜层；进行第一干法刻蚀工艺，所述第一硬掩膜层形成有第一开口，所述第一开口位于所述像素区；沉积第二氧化层，在所述第一开口内形成第一开口阻挡结构；进行第二次干法刻蚀工艺和第三次干法刻蚀工艺，以形成不同深度的像素区的第一沟槽和逻辑区的第二沟槽。通过第二干法刻蚀工艺和第三次干法刻蚀工艺对第一开口阻挡结构、第一氧化层、第一掩膜层和衬底的刻蚀选择比不同，形成不同深度差的像素区第一沟槽和逻辑区第二沟槽。
一种沟槽形成方法

[发明专利]微透镜阵列的形成方法及点胶装置-CN202011135589.8有效
发明人：王厚有;冯永波;刘西域;周晓峰 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微透镜阵列的形成方法及点胶装置，包括提供晶圆，所述晶圆包括若干个芯片，所述芯片上包括像素区；依次在所述芯片的像素区的中心进行滴光刻胶作业；对所述芯片的像素区进行气体吹扫，以调整所述像素区上光刻胶的形貌，以及进行光刻作业，以在所述芯片的像素区形成特定形貌的微透镜阵列。本发明通过采用步进式光刻胶涂布方法实现点胶，且在点胶过程中通过气体吹扫调整光刻胶的形貌，以使后续形成的微透镜阵列具有特定形貌，实现CRA优化，减小像差。
透镜阵列形成方法装置

[发明专利]微透镜阵列的形成方法-CN202011136464.7有效
发明人：刘西域;王厚有;周晓峰;冯永波;刘益东 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微透镜阵列的形成方法，包括提供晶圆，所述晶圆上形成有微透镜层且包括若干个芯片；依次在所述芯片上进行滴光刻胶作业；对所述芯片上的光刻胶进行气体吹扫，以调整所述光刻胶的形貌；对所述光刻胶进行固化、烘烤后进行光刻作业，以在所述芯片上形成特定形貌的光刻胶掩模；以及将所述光刻胶掩模的形貌转移至所述微透镜层，以在所述晶圆上形成具有与所述光刻胶掩模的形貌相对应的微透镜阵列。本发明通过采用步进式光刻胶涂布方法依次在晶圆上的芯片进行点胶，且在点胶过程中通过气体吹扫调整光刻胶的形貌，并将光刻胶的形貌转移至微透镜层以形成具有特定形貌的微透镜阵列，实现CRA优化，减小像差。
透镜阵列形成方法

[发明专利]一种沟槽的形成方法-CN202011106813.0有效
发明人：陶磊;王厚有;冯永波;蔡明洋;陈文俊 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽的形成方法，提供一衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区；在所述衬底上依次形成第一氧化层和第一硬掩膜层；进行第一干法刻蚀工艺，在所述像素区的所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽包括第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层，所述第二开口为所述第一开口在所述衬底中的延伸；在所述第一沟槽内形成第一沟槽阻挡结构；进行第二干法刻蚀工艺，刻蚀所述第一沟槽阻挡结构和所述逻辑区上的第一硬掩膜层，形成第三开口和第四开口；进行第三干法刻蚀工艺，所述第三开口向下延伸形成第五开口，所述第四开口向下延伸至所述衬底中，以形成第二沟槽。
一种沟槽形成方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202011073887.9在审
发明人：陶磊;冯永波;王厚有;刘西域 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上依次形成第一氧化硅层和氮掺杂氧化硅层；刻蚀去除部分所述氮掺杂氧化硅层，以暴露出位于所述沟槽的底部的所述第一氧化硅层；形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖位于所述沟槽侧壁上的所述氮掺杂氧化硅层的表面和暴露出的所述第一氧化硅层的表面，且填满所述沟槽。由于第二氧化硅在第一层氧化硅层上的生长速率大于在氮氧化硅层的生长速率，故沟槽底部第二氧化硅的生长速率大于所侧壁的氮氧化硅层，避免因位于沟槽侧壁的第二氧化硅层生长过快而导致过早封口产生空洞缺陷的现象。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202010260270.1在审
发明人： 冯永波;朱红波;王厚有;刘益东 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，在衬底上形成第一多晶硅层和介电层以后，在沉积第二多晶硅层以前，对沉积设备的沉积室先后进行衬底低温进沉积室、抽真空、通还原性气体并升温的操作，去除在第一多晶硅层上形成的自然氧化层，避免后续形成的多晶硅栅极中出现氧化层或氮化硅层界面，进而改善了多晶硅栅极的电性，提高了器件的可靠性。且本发明在第二多晶硅层形成之前，通入还原性气体，由于可以还原Q‑time时生成的自然氧化层，因此可以延长第一多晶硅层到第二多晶硅层制程之间的Q‑time范围，使生产更易控制，避免产能浪费。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种基于嵌入式Linux系统的智能居家安防机器人-CN201921259192.2有效
发明人：李浩;余炽业;冯永波;邓斌;高恒伟;杜佳航;莫家乐 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于嵌入式Linux系统的智能居家安防机器人，包括底盘，所述底盘的上表面一侧固定安装有电池，所述底盘的中间部位固定设有第一机械臂，所述第一机械臂的内部固定安装有第一电机，所述第一机械臂的上端固定焊接有第二机械臂，所述第二机械臂的顶端一侧固定设有第二电机，所述第二机械臂内活动连接有摄像头支架，所述底盘的一侧固定设有检测组件；本实用新型设有夜视摄像头和红外传感器，可以识别来人身份；以及设有多种检测器，可以有效的检测到厨房内的燃气泄露和火灾的发生，并且还采用CNN卷积神经网络分析图片，识别图片内容；以及通过无线连接技术，进行数据连接传输。
一种基于嵌入式 linux 系统智能居家机器人

[发明专利]用于5G通信的双频带小型化MIMO手机终端天线系统-CN201810613026.1在审
发明人：李磊;向蕾;赵德浩;白俊恺;庞迪;冯永波;雷振亚;王青 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于5G通信的双频带小型化MIMO手机终端天线系统，属于手机终端技术领域，所述双频带小型化MIMO手机终端天线系统由上层金属馈电带、中间介质基板和底层金属地板组成，包括G个天线单元，分别为天线单元1、天线单元2、…、天线单元G；天线单元1、天线单元3、…、天线单元G‑1分别由E型缝隙和倒置L型馈电带构成，天线单元2、天线单元4、…、天线单元G分别由E型缝隙和微带馈电带构成；利用缝隙天线谐振原理在3.45GHz和4.9GHz产生两个谐振点，实现了3300‑3600MHz和4800‑5000MHz双频带的覆盖，从而较好地满足了我国使用的5G中频段频带的需求。
天线单元手机终端双频带天线系统馈电底层金属地板组成缝隙天线谐振原理中间介质倒置L型谐振点中频段基板通信微带金属上层覆盖

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610886290.3在审
发明人：王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。该制作方法可以提供较高的载流子迁移率，并改善短沟道效应。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]多晶硅栅的沉积方法-CN200910197672.5有效
发明人：孙建军;翟立君;孙博;冯永波;赵星 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，其中，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。采用该方法能够避免多晶硅栅的表面形成晶体缺陷。
多晶沉积方法

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