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[发明专利]存储器单元、非易失性半导体存储装置及非易失性半导体存储装置的制造方法-CN202110561992.5在审
发明人： 冈田大介;柳泽一正;大和田福夫;吉田省史;川嶋泰彦;吉田信司;谷口泰弘;奥山幸祐 -专利权人：株式会社佛罗迪亚
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明所涉及的存储器单元(MC)中，即使提高鳍部(S2)内的杂质浓度来在鳍部(S2)表面使漏极区域(12a)和源极区域(12b)靠近以实现小型化，通过选定鳍部(S2)的形状，从而也能够使存储器栅极(MG)与鳍部(S2)之间的电位差变小，抑制干扰的发生，由此，存储器单元(MC)能够实现小型化的同时，抑制干扰的发生。
存储器单元非易失性半导体存储装置制造方法

[发明专利]存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法-CN201680041451.7有效
发明人：吉田省史;大和田福夫;冈田大介;川嶋泰彦;吉田信司;柳泽一正;谷口泰弘 -专利权人：株式会社佛罗迪亚
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明的存储器单元(1)中，通过设置依次层叠形成下部存储器栅极绝缘膜(10)、电荷存储层(EC)、上部存储器栅极绝缘膜(11)及金属存储器栅极(MG)的存储器栅极构造体(2)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的一侧壁隔板(8a)具有金属第一选择栅极(DG)的第一选择栅极构造体(3)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的另一侧壁隔板(8b)具有金属第二选择栅极(SG)的第二选择栅极构造体(4)，能够由与金属逻辑栅极(LG1)相同的金属材料形成金属存储器栅极(MG)、金属第一选择栅极(DG)及金属第二选择栅极(SG)，从而在半导体基板上形成由金属材料构成的金属逻辑栅极(LG1)的一系列的制造工序中能够形成存储器单元。
存储器单元半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]存储器单元、非易失性半导体存储装置及非易失性半导体存储装置的制造方法-CN201680029797.5有效
发明人： 冈田大介;柳泽一正;大和田福夫;吉田省史;川嶋泰彦;吉田信司;谷口泰弘;奥山幸祐 -专利权人：株式会社佛罗迪亚
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明所涉及的存储器单元(MC)中，即使提高鳍部(S2)内的杂质浓度来在鳍部(S2)表面使漏极区域(12a)和源极区域(12b)靠近以实现小型化，通过选定鳍部(S2)的形状，从而也能够使存储器栅极(MG)与鳍部(S2)之间的电位差变小，抑制干扰的发生，由此，存储器单元(MC)能够实现小型化的同时，抑制干扰的发生。
存储器单元非易失性半导体存储装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510640606.6有效
发明人：山部和治;阿部真一郎;吉田省史;山越英明;工藤敏生;村中诚志;大和田福夫;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法。为了提供具有改善的性能的半导体器件同时改善半导体器件的制造步骤中的吞吐量。在半导体衬底上形成由第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜构成的绝缘膜部。所述第二绝缘膜是第一电荷存储膜并且所述第四绝缘膜是第二电荷存储膜。所述第一电荷存储膜含有硅和氮；所述第三绝缘膜含有硅和氧；并且所述第二电荷存储膜含有硅和氮。所述第三绝缘膜的厚度小于所述第一电荷存储膜的厚度并且所述第二电荷存储膜的厚度大于所述第一电荷存储膜的厚度。通过用含水的处理液对所述第一电荷存储膜的上表面进行处理来形成所述第三绝缘膜。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410688132.8有效
发明人：有金刚;冈田大介;久本大 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种特性得到改进的具有非易失性存储器的半导体器件。在半导体器件中，非易失性存储器在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间具有高k绝缘膜(高介电常数膜)，而外围电路区域的晶体管具有高k/金属构造。布置在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间的高k绝缘膜，缓和了在存储器栅极电极部的在控制栅极电极部之侧的端部(角部)处的电场强度。这使得减少了电荷在电荷积累部(氮化硅膜)中的不均匀分布，并且改进了擦除精度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410831957.0有效
发明人：山越英明;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其具有改善的性能。半导体器件包括闪存的存储单元。各个存储单元都包括具有由浮栅电极的一部分形成的栅电极的用于写入/擦除数据的电容器元件，以及具有由浮栅电极的另一部分形成的栅电极的用于读取数据的MISFET。用于写入/擦除数据的电容器元件包括具有相反导电类型的p型半导体区和n型半导体区。在用于写入/擦除数据的电容器元件中在栅极长度方向上浮栅电极的长度小于在用于读取数据的MISFET中在栅极长度方向上浮栅电极的长度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的驱动方法-CN201610462752.9在审
发明人：有金刚;冈田大介;久本大 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的驱动方法，提高具有非易失性存储器的半导体装置的特性。向非易失性存储器的存储器栅极电极部(MG)的端部(1S)施加第一电位1V，向存储器栅极电极部(MG)的端部(2S)施加比第一电位1V低的第二电位0V，由此使电流i沿存储器栅极电极部(MG)的延伸方向流动(St1)，然后，从存储器栅极电极部(MG)向其下方的电荷蓄积部注入空穴(h)，由此将蓄积于电荷蓄积部的电子消去(St2)。这样，通过使电流在存储单元区域(MA)的存储器栅极电极部(MG)中流动，能够产生焦耳热而对存储单元进行加热。
半导体装置驱动方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510122287.X在审
发明人：有金刚;久本大;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。存储器栅极由第一存储器栅极和第二存储器栅极形成，该第一存储器栅极包括由第二绝缘膜和第一存储器栅极电极制成的第二栅极绝缘膜，该第二存储器栅极包括由第三绝缘膜和第二存储器栅极电极制成的第三栅极绝缘膜。此外，第二存储器栅极电极的下表面在水平高度上位于低于第一存储器栅极电极的下表面。结果，在擦除操作期间，电场集中在第一存储器栅极电极的定位更靠近选择栅极和半导体衬底的角部上，并且集中在第二存储器栅极电极的定位更靠近第一存储器栅极和半导体衬底的角部上。这使得易于将空穴注入到第二和第三绝缘膜中的每一个中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310285905.3有效
发明人：有金刚;久本大;奥山裕;桥本孝司;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。当通过缩小存储器单元而减小隔离区的宽度，以减小在存储器单元和相邻存储器单元之间的距离时，被注入到存储器单元的电荷存储膜中的电子或空穴扩散到位于隔离区上方的电荷存储膜的部分中，从而彼此相互干扰，并且可能损害存储器单元的可靠性。在半导体器件中，存储器单元的电荷存储膜延伸至位于相邻存储器单元之间的隔离区。隔离区中的电荷存储膜的有效长度大于隔离区的宽度。这里，有效长度指示位于隔离区上方且没有存储电荷的电荷存储膜的区域的长度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201210369919.9有效
发明人：细田直宏;冈田大介;片山弘造 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够提高半导体装置的特性。半导体装置包括：绝缘膜（3），在控制栅电极（CG）与半导体基板之间形成；绝缘膜（5），在存储器栅电极（MG）与半导体基板之间以及控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间形成且在其内部具有电荷储存部。绝缘膜（5）具有第1膜（5A）、成为在第1膜（5A）上配置的电荷储存部的第2膜（5N）、在第2膜（5N）上配置的第3膜（5B），第3膜（5B）具有位于控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间的井壁膜（5s）、位于存储器栅电极（MG）与半导体基板之间的沉积膜（5d）。根据该结构，能够加大绝缘膜（5）的角部的距离（D1），能够缓冲电场集中。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]打印控制设备和打印设备-CN201110409879.1有效
发明人：久保田新;田邑升;松井英明;柴田有登;冈田大介;百生岳央;林正裕 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本发明涉及打印控制设备和打印设备。一种打印控制设备包括：打印命令单元，其将打印数据和打印开始命令的通知发送到在从常规纸盘或旁路纸盘供应的纸张上进行打印的打印单元。所述打印命令单元包括：条件确定单元，其确定针对所述打印数据设置的纸张供应条件和所述打印单元的状态是否满足所述旁路纸盘的条件；检查屏幕显示单元，其在确定满足所述条件的情况下，显示与从所述旁路纸盘的纸张供应相关的检查屏幕；以及通知允许单元，其在接收到指示同意打印的通知的情况下，允许打印开始命令的通知。
打印控制设备

[发明专利]图像形成设备和图像形成方法-CN201110279468.5有效
发明人：斋藤优香;冈田大介;进藤宣博;松井英明;久保直彦;岩田信之;林正裕 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：一种图像形成设备，包括：存储单元，其存储打印数据和第一转换后数据，通过将第一打印条件反映在打印数据中并且将打印数据转换为可打印形式来获得第一转换后数据；输入接收单元，其接收重新打印指令的输入；获取单元，其获取用于重新打印第一转换后数据的第二打印条件；判断单元，其在接收到重新打印指令的输入时，通过将第二打印条件与第一打印条件进行比较，来判断是否可以使用第二打印条件打印第一转换后数据；转换单元，其当判断为不能使用第二打印条件打印第一转换后数据时，从存储单元获取打印数据，并且通过将第二打印条件反映在打印数据中，来将打印数据转换为第二转换后数据；以及打印控制单元，其打印出第二转换后数据。
图像形成设备方法

[发明专利]半导体器件-CN201110070188.3无效
发明人：山越英明;冈保志;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。在半导体衬底的主面上将由具有浮置栅电极FG的存储晶体管和与所述存储晶体管串联的控制晶体管构成的多个存储单元呈阵列状排列在X方向和Y方向上。将按X方向排列的存储单元中的存储晶体管的漏极区域彼此连接的位布线M1B设在形成于半导体衬底上的多层布线构造中最下层的布线层上，以使所述位布线M1B覆盖整个浮置栅电极FG。由此，可提高具有非易失性存储器的半导体器件的性能，或提高半导体器件的可靠性。或者，在提高半导体器件的性能的同时，又可提高半导体器件的可靠性。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器件的操作方法-CN201010113034.3有效
发明人：久本大;安井感;石丸哲也;木村绅一郎;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器件的操作方法，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。通过对所述第二栅极施加电压，将电子和空穴从所述第二沟道区域注入到所述电荷积蓄膜，从而进行写入；所述写入具有对于所述第二栅极一边改变电压一边进行电压施加的步骤。
半导体存储器件操作方法

[发明专利]图像形成装置和用于该图像形成装置中的打印处理方法-CN200910203120.0有效
发明人：井浦沙织;五十岚尉之;熊谷政辉;冈田大介 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像形成装置和用于该图像形成装置中的打印处理方法，其目的在于，在被同时指定进行标识功能和图像处理功能时，能够避免保密性降低。具体构成为，当数字复合机的引擎控制部8被同时指定进行打印和标识打印，即利用进行图像处理的图像处理功能对构成打印数据的图像信息实行打印、以及利用在上述图像信息中加密标识信息的标识功能实行标识打印，则比较该打印内容和该标识打印内容，并根据比较结果改变所要实行的打印动作。
图像形成装置用于中的打印处理方法

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