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[发明专利]真空室及基板处理装置-CN202010406402.7有效
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
真空处理装置

[发明专利]丙烯汽化器-CN201910852555.1有效
发明人：加藤裕子;冈山智彦;冈野秀一;矢岛贵浩;越智贵志;平濑刚;千崎刚史;加藤拓司;岸本克彦;增野彻 -专利权人：株式会社爱发科;夏普株式会社;堺显示器制品株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B05B7/16 文献下载
摘要：本发明的课题在于防止原料液体的空化。在原料液体以被吹到汽化板(8)的方式流动的原料液体导入路(6)，配置有棒状的阻力体(7)，使原料液体导入路(6)相对于原料液体的导入率下降。由于液体质量流量控制器的出口侧的压力上升，与液体质量流量控制器的入口侧的压力的压力差变小，因而能够防止空化的发生。能够使阻力体(7)以多个构成。
丙烯汽化器

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780036633.X有效
发明人：中村文生;田丸义久;矢岛贵浩;加藤裕子;神保洋介;植喜信;冈野秀一;冈山智彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010284602.X在审
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置，具备：多段收纳多张基板的卡匣；能够密闭地收纳所述卡匣的腔室；使所述卡匣在所述腔室内升降的升降机构；将所述基板相对于所述卡匣搬出搬入的搬运机器人；以及控制所述升降机构及所述搬运机器人的动作的控制部，在所述腔室的侧面部设置有在将所述基板搬入所述卡匣和从该卡匣搬出时开口的搬出搬入口，所述搬运机器人具备载置所述基板的机械臂，所述机械臂能够在水平方向上移动并从所述搬出搬入口插入所述卡匣内，且能够在所述卡匣内上升或下降，所述控制部在所述卡匣内使所述机械臂下降的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣上升，在所述卡匣内使所述机械臂上升的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣下降。
处理装置

[发明专利]离子束照射装置-CN201380008973.3有效
发明人：山本良明;金永杜;带施兴司德;冈山智彦 -专利权人：日新离子机器株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2013-02-13 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子束照射装置(10)具备：真空槽(14)，其收容对基板(S)进行保持的输送托盘(T)；输送部，其在真空槽(14)内向输送方向输送输送托盘(T)；离子束照射部(21L、21U)，其向真空槽(14)内的预定的照射位置照射离子束；以及位置检测部(23A‑23D)，其检测输送托盘(T)的位置。位置检测部(23A‑23D)通过输送托盘(T)的输送而在预定的拍摄位置对表示输送托盘(T)上的部位的、沿输送方向排列且彼此不同的多个指标分别进行拍摄，基于所拍摄到的指标来检测出输送托盘(T)相对于拍摄位置的位置。
离子束照射装置

[发明专利]真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法-CN201180021220.7有效
发明人：加藤裕子;菊池正志;龟崎厚治;冈山智彦;下田圭介 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置（12）的下方配置插入有基板升降销（46）、在上下方向中比基板升降销（46）还长的掩模升降销（45）的板（23），在板（23的下方配置有构成为在令与板（23）之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销（45）和基板升降销（46）的销支承部件（24）。掩模升降销（45）和基板升降销（46）上设置卡止部件（47），当令板（23）和销支承部件（24）之间为比第一距离还分离的第二距离以上时，令掩模升降销（45）和基板升降销（46）在销支承部件（24）上方从销支承部件（24）离开而被板（23）悬吊。
真空处理装置对位移动方法以及

[发明专利]催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体-CN201080044569.8有效
发明人：岛正树;若宫要范;大园修司;冈山智彦;小形英之 -专利权人：三洋电机株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2010-10-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。
催化 cvd 装置形成方法太阳能电池制造基材保持

[发明专利]催化CVD装置、膜的形成方法和太阳能电池的制造方法-CN201080045522.3有效
发明人：甲斐干英;大园修司;冈山智彦;小形英之 -专利权人：三洋电机株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2010-10-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。
催化 cvd 装置形成方法太阳能电池制造

[发明专利]成膜装置-CN201080026689.5有效
发明人：清水康男;森胜彦;松本浩一;冈山智彦;森冈和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201080025630.4无效
发明人：清水康男;森胜彦;松本浩一;冈山智彦;森冈和;播磨幸一;冈嶋邦彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该成膜装置(10)包括：成膜室(11)，在重力方向上具有上部(22)，以基板(W)的被成膜面与重力方向平行的方式配置所述基板(W)；电极单元(31)，可装卸地设置于所述成膜室(11)，并具有被施加电压的平板状的阴极(75)以及与所述阴极(75)分开并对置配置的阳极(67)；装卸用轨道(41)，设置在所述成膜室(11)的所述上部，并沿着从所述成膜室(11)引出所述电极单元(31)的方向设置，用于引导所述电极单元(31)。
装置

[发明专利]电极电路、成膜装置、电极单元以及成膜方法-CN200980143808.2无效
发明人：松本浩一;依田英德;冈山智彦;森冈和;矢岛太郎 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明的电极电路为等离子体CVD用电极电路，包括：交流电源；匹配电路，连接于该交流电源；以及平行平板电极，由阳极电极与阴极电极组成的对构成，以所述阳极电极与所述阴极电极的电极面相对的方式配置所述阳极电极与所述阴极电极，所述匹配电路、所述平行平板电极、以及由所述平行平板电极生成的等离子体构成平衡电路。
电极电路装置单元以及方法

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112752.4有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池制造装置包括：收容基板的成膜室；以及在该成膜室内对所述基板通过CVD法进行膜形成的电极单元，所述电极单元具有：阳极和阴极；以及侧壁部，所述侧壁部保持该阳极和阴极，构成所述成膜室的壁部的一部分，进一步对于所述成膜室装卸自如。
薄膜太阳能电池制造装置

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112754.3有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;神保洋介;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行;桥本征典;若松贞次 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-05 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。
薄膜太阳能电池制造装置

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112942.6有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。
薄膜太阳能电池制造装置

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112427.8有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的薄膜太阳能电池制造装置具有：成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间，所述间隔距离可变。
薄膜太阳能电池制造装置

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