“冈信介”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序-CN201980013656.8有效
发明人：林大辅;梅泽义弘;冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
等离子体处理装置状态检测方法以及程序

[发明专利]模型生成装置、模型生成方法以及记录介质-CN201910459256.1有效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种模型生成装置、模型生成方法以及记录介质，谋求与预定实施的等离子体处理对应的工艺条件。在等离子体处理装置中，以多种模式改变至少包括载置台温度及载置台的载置面的各区域的温度的等离子体处理的处理参数，获取部将每个模式的温度稳定的状态下的各区域的温度及向加热器供给的供给电流获取为测定数据。生成部使用测定数据，设为与相邻区域之间的温度差成正比的热量的热在区域之间移动、与载置台同区域之间的温度差成正比的热量的热在载置台与区域之间移动、按每个区域输入根据向该区域的加热器供给的供给电流计算出的热量的热、并且设为向各区域输入的热量与从各区域输出的热量一致来生成表示了处理参数间的关系的预测模型。
模型生成装置方法以及记录介质

[发明专利]基片支承器、基片处理装置和静电吸附方法-CN202211137348.6在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制传热气体的泄漏的基片支承器、基片处理装置和静电吸附方法。支承基片的基片支承器包括：基座；静电吸盘，其配置在上述基座的上方，具有用于支承基片的基片支承面；和以包围上述基片支承面上的基片的方式配置的边缘环，上述静电吸盘具有用于支承上述边缘环的环支承面，上述环支承面的内缘侧低于外缘侧。
支承处理装置静电吸附方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202111468822.9在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件的等离子体体处理装置。等离子体处理装置包括载置台和埋入部件，所述载置台具有：电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；和基台，其具有支承所述电介质部件的支承面，且形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，所述埋入部件配置于所述第一通孔和所述第二通孔的内部，所述埋入部件具有配置于所述第一通孔的第一埋入部件和配置于所述第二通孔的第二埋入部件，所述第二埋入部件的刚性比所述第一埋入部件的刚性低。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置、温度控制方法以及存储介质-CN201810054937.5有效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定处理时的基板的规定测定点的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的加热器的目标温度，该预测模型为，将各分割区域的加热器的温度作为参数并考虑包含测定点的分割区域以外的其它分割区域的加热器的温度依据该测定点与其它分割区域的距离所产生的影响来预测测定点处的关键尺寸。在对载置面上的基板进行基板处理时进行控制使得各分割区域的加热器成为由计算部计算出的目标温度。
处理装置温度控制方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、流量控制方法以及记录介质-CN201910116751.2有效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。对从各分割区域供给的处理气体的流量进行控制，使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件。上部电极以与晶圆相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与晶圆(W)相向的相向面进行分割而形成的每个分割区域调整供给的处理气体的流量。计算部使用预测模型来计算使对晶圆进行了等离子体蚀刻时的晶圆的规定的测定点的CD满足规定条件的各分割区域的处理气体的目标流量，该预测模型用于以各分割区域的处理气体的流量为参数来预测测定点的CD。在对晶圆W进行等离子体蚀刻时，流量控制部进行控制，使得从上部电极的各分割区域供给的处理气体的流量成为所计算出的目标流量。
处理装置流量控制方法以及记录介质

[发明专利]等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质-CN201811366280.2有效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的输入热量以及晶圆与加热器之间的热阻设为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算输入热量和所述热阻。设定温度计算部使用由参数计算部计算出的输入热量和热阻，来计算使晶圆成为目标温度的加热器的设定温度。
等离子体处理装置温度控制方法以及存储介质

[发明专利]等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质-CN202010373310.3在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度成为固定，测量部测量过渡状态和第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定了的第一稳定状态转变为等离子体熄火的状态之后的针对加热器的供给电力增加的状态，所述第二稳定状态为等离子体熄火且针对加热器的供给电力稳定了的状态。参数计算部使用测量出的过渡状态和第二定常状态的供给电力，对以来自等离子体的热输入量以及被处理体与加热器间的热阻为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算热输入量和热阻。温度计算部使用计算出的热输入量和热阻来计算第一稳定状态下的被处理体的温度。
等离子体处理装置温度控制方法以及记录介质

[发明专利]等离子体处理装置、计算方法以及记录介质-CN202010374157.6在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、计算方法以及记录介质，能够求出顶板的消耗程度。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起针对加热器的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力，对将顶板的厚度作为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算顶板的厚度。
等离子体处理装置计算方法以及记录介质

[发明专利]等离子体处理装置、计算方法和记录介质-CN201911205136.5在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。
等离子体处理装置计算方法记录介质

[发明专利]等离子体处理装置、监视方法以及记录介质-CN201910944945.1在审
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置、监视方法以及记录介质，不配置传感器就检测异常的发生。等离子体处理装置具有存储部、第二获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的晶圆的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台的温度有关的值的变化。第二获取部以规定的周期获取与载置台的温度有关的值。监视部基于变化信息，根据由第二获取部获取的与载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。
等离子体处理装置监视方法以及记录介质

[发明专利]膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置-CN200810180735.1无效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。
形成方法薄膜晶体管太阳能电池制造装置显示装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法-CN200810179074.0无效
发明人： 冈信介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。
等离子体处理装置控制方法

[发明专利]等离子体处理装置和方法-CN200680036192.5无效
发明人：堀口贵弘;冈信介;平山昌树 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管(35)的下面(31)的多个缝隙(70)在被配置在处理室(4)上面的电介质(32)中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量，使被供给到处理室(4)内的处理气体等离子体化，对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)，在电介质(32)下面形成深度各异的多个凹部(80a～80g)。通过使各个凹部(80a～80g)的深度各异，来控制在电介质(32)下面的等离子体的生成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200710093621.9无效
发明人： 冈信介;堀口贵弘;西村和晃;北村昌幸;大见忠弘;平山昌树 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度N_e在临界等离子体电子密度N_c以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
等离子体处理装置方法

1
2
下一页»
尾页
共 18 条