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[发明专利]时刻同步系统、主控装置、从属装置及程序-CN201980095470.1在审
发明人：日置荣太郎;内山直哉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F1/14 文献下载
摘要：时刻同步系统(100)具有通过数据总线(4)及发送固定周期信号的专用信号线(3)而连接的主控装置(1)和从属装置(2A、2B、2C)。主控装置(1)经由信号线(3)以固定发送周期发送固定周期信号。主控装置(1)经由数据总线(4)对表示固定周期信号的发送开始时刻的开始时刻信息、表示固定周期信号的发送周期的发送周期信息进行发送。从属装置(2A、2B、2C)对固定周期信号的接收次数进行计数，基于固定周期信号的接收次数、开始时刻信息所示的发送开始时刻、发送周期信息所示的发送周期，计算主控装置(1)中的固定周期信号的发送时刻作为主控装置(1)的当前时刻。从属装置(2A、2B、2C)将自身的时刻校正为计算出的主控装置(1)的当前时刻。
时刻同步系统主控装置从属程序

[发明专利]图像处理设备、图像处理系统、图像处理方法-CN201510994020.X有效
发明人： 内山直哉 -专利权人：株式会社其恩斯
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理设备、图像处理系统和图像处理方法。其中，将使得末端执行器移动至多个预定位置的移动命令传送至机器人控制器从而改变成为成像目标的目标相对于成像装置的相对位置。获取第一坐标值，该值是已根据移动命令移动的末端执行器的各位置坐标，并且在末端执行器已移动到的每个移动目的地处捕获目标的图像。基于在每个移动目的地处捕获的目标的图像检测作为目标的位置坐标的第二坐标值，并且基于第一坐标值和第二坐标值来计算两种坐标之间的转换规则。
图像处理设备系统方法

[发明专利]化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法-CN201480007892.6有效
发明人：越后雅敏;牧野岛高史;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有具有下述通式(1)所示结构的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R¹是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R²是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基，碳原子数为6～10的芳基，碳原子数为2～10的烯基或羟基，m是0～3的整数，n是1～4的整数，p是0或1，q是1～100的整数。)
化合物光刻下层形成材料图案方法

[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法-CN201610562638.3有效
发明人：越后雅敏;东原豪;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法。一种下述通式(1)所示的化合物作为光刻用下层膜的应用，式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R¹各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R²各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R²的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。
光刻下层形成材料图案方法

[发明专利]化合物或树脂的纯化方法、及组合物的制造方法-CN201880013601.2在审
发明人： 内山直哉;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C07C37/82 文献下载
摘要：一种物质的纯化方法，其包括：制备溶液的工序，所述溶液包含选自下述式(1A)所示的化合物及具有下述式(2A)所示结构的树脂中的1种以上的物质、和溶剂；及使前述溶液通过过滤器而进行纯化的工序。(式(1A)中，X为氧原子、硫原子、单键或无桥接，R^a为碳数1～40的2n价的基团或单键，R^b各自独立地为各种官能团，m各自独立地为0～9的整数，n为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数。此处，R^b中的至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种的基团，全部的m不同时为0。)(式(2A)中，X、R^a、R^b、n及p与前述式(1A)中说明的含义相同，R^c为单键或碳数1～40的亚烷基，m²各自独立地为0～8的整数。此处，R^b中，至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种以上的基团，全部的m²不同时为0。)
单键树脂碳数巯基羟基过滤器硫原子亚烷基氧原子溶剂桥接制备制造

[发明专利]化合物或树脂的精制方法-CN201480064733.X有效
发明人：越后雅敏;牧野岛高史;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C07D311/92 文献下载
摘要：本发明的精制方法为下式(1)所示的化合物或具有下式(2)所示结构的树脂的精制方法，其包括使含有不能与水任意混合的有机溶剂和前述化合物或前述有机溶剂和前述树脂的溶液(A)与酸性的水溶液接触的工序。(下式中，X是氧原子或硫原子，R1是单键或烃基，R2是烷基或羟基等，在此，R2中的至少一个是羟基，R3是单键或亚烷基，m是1～6，m2是1～5，p是0或1，n是1～4。)
化合物树脂精制方法

[发明专利]化合物的纯化方法-CN201680051083.4在审
发明人： 内山直哉;堀内淳矢;牧野嶋高史;越后雅敏;大越笃 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C07C37/70 文献下载
摘要：本发明的化合物的纯化方法包括使下述式(A0)和/或(B0)所示的羟基取代芳香族化合物和溶剂的溶液在过滤器中流通的工序。(前述式(A0)中，n0为0～9的整数，m0为0～2的整数，p0为0～9的整数，此处，m0为1时，表示前述式(A0)具有萘骨架或联苯骨架，Ra各自独立地为选自由羟基、卤代基、碳数1～40的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基以及它们的组合组成的组中的基团，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键、或酯键。前述式(B0)中，n1为0～9的整数，p1为0～9的整数，Rb各自独立地为选自由氢原子、羟基、卤代基、碳数1～40的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基以及它们的组合组成的组中的基团，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键、或酯键。)
化合物纯化方法

[发明专利]化合物的纯化方法-CN201680051150.2在审
发明人： 内山直哉;堀内淳矢;牧野嶋高史;越后雅敏;大越笃 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C07C37/82 文献下载
摘要：本发明的化合物的纯化方法包括使包含下述式(A0)和/或(B0)所示的羟基取代芳香族化合物和溶剂的溶液(A)与离子交换树脂接触的工序。(前述式(A0)中，n0为0～9的整数，m0为0～2的整数，p0为0～9的整数，此处，该n0、m0以及p0的至少1个为1以上的整数，进而，m0为1时，表示前述式(A0)具有萘骨架或联苯骨架，Ra各自独立地为选自由羟基、卤代基、碳数1～40的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基以及它们的组合组成的组中的基团，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键、或酯键。前述式(B0)中、n1为0～9的整数，p1为0～9的整数，Rb各自独立地为选自由氢原子、羟基、卤代基、碳数1～40的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基以及它们的组合组成的组中的基团，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键、或酯键。)
化合物纯化方法

[发明专利]化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法-CN201480007952.4有效
发明人：越后雅敏;牧野岛高史;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C07D311/86 文献下载
摘要：本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1。)
化合物光刻下层形成材料图案方法

[发明专利]羟基取代芳香族化合物的制造方法和包装方法-CN201680030254.5在审
发明人： 内山直哉;堀内淳矢;牧野嶋高史;越后雅敏;大越笃 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C07C37/70 文献下载
摘要：本发明的羟基取代芳香族化合物的制造方法包括如下工序将羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中进行干燥。另外，本发明的羟基取代芳香族化合物的包装方法包括如下工序将羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中进行包装。
羟基取代芳香族化合物制造方法包装

[发明专利]羟基取代芳香族化合物的制造方法-CN201680030656.5在审
发明人： 内山直哉;堀内淳矢;牧野嶋高史;越后雅敏;大越笃 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C07C37/72 文献下载
摘要：本发明的羟基取代芳香族化合物的第一制造方法包括如下工序(接触工序)使羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中与有机溶剂和/或水接触。另外，本发明的羟基取代芳香族化合物的第二制造方法包括如下工序使包含不与水任意混和的有机溶剂和羟基取代芳香族化合物的溶液(α)、与酸性水溶液接触，对羟基取代芳香族化合物中的金属成分进行提取。
羟基取代芳香族化合物制造方法

[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法-CN201280039344.2有效
发明人：越后雅敏;东原豪;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。)
光刻下层形成材料图案方法

[发明专利]环氧树脂和其制造方法、环氧树脂组合物以及固化物-CN201380032495.X无效
发明人：越后雅敏;内山直哉 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C08G59/20 文献下载
摘要：经由以下工序(a)～(d)得到的环氧树脂。工序(a)：在催化剂的存在下，使式(1)和/或(2)所示的化合物与甲醛反应，由此得到芳香族烃甲醛树脂；工序(b)：使用酸性催化剂和水，对工序(a)中得到的芳香族烃甲醛树脂进行处理，由此得到经过酸性处理的树脂；工序(c)：使用酸性催化剂和式(3)所示的化合物，对工序(b)中得到的经过酸性处理的树脂进行处理，由此得到改性树脂；工序(d)：使工序(c)中得到的改性树脂与环氧卤丙烷反应，由此得到环氧树脂。
环氧树脂制造方法组合以及固化

[发明专利]萘甲醛树脂、脱缩醛键萘甲醛树脂以及改性萘甲醛树脂-CN201380007364.6有效
发明人： 内山直哉;东原豪;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G10/02 文献下载
摘要：本发明涉及将由式(1)表示的化合物(A)与甲醛(B)在酸性催化剂的存在下以(A)∶(B)＝1∶1～1∶20的摩尔比反应而得到的萘甲醛树脂，由其所衍生的脱缩醛键萘甲醛树脂以及改性萘甲醛树脂。
甲醛树脂脱缩醛键萘以及改性

[发明专利]进行了酸性处理的单烷基萘甲醛树脂-CN201380009715.7无效
发明人： 内山直哉;东原豪;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C08G10/04 文献下载
摘要：本发明提供热分解性和在溶剂中的溶解性优异的新型树脂及其前体。一种树脂，其是对单烷基萘甲醛树脂进行酸性处理而得到的，所述单烷基萘甲醛树脂是使下述式(1)所示的化合物与甲醛在催化剂的存在下反应而得到的。(式(1)中，R₁表示碳数1～4的烷基)。
进行酸性处理烷基甲醛树脂

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