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[发明专利]树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法及树脂的纯化方法-CN202280015277.4在审
发明人：堀内淳矢;牧野岛高史;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C08G8/20 文献下载
摘要：本发明的课题为提供作为光刻用膜形成材料特别有用的新型树脂等。前述课题可以利用包含下述式(1)或(1)’所示的结构单元的树脂来解决。(式中，可变部如说明书中所记载。)#imgabs0#
树脂组合图案形成方法电路纯化

[发明专利]化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法-CN201980010153.5有效
发明人： 牧野岛高史;堀内淳矢;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C07C43/295 文献下载
摘要：一种下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，A为包含杂原子的基团，R1为任选具有取代基的碳数1～30的2n价的基团，R2～R5各自独立地为任选具有取代基的碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～30的芳基、任选具有取代基的碳数2～30的烯基、任选具有取代基的碳数2～30的炔基、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧酸基、交联性基团、解离性基团、巯基或羟基，前述烷基、前述芳基、前述烯基、前述烷氧基任选包含醚键、酮键或酯键，R4中的至少1个和/或R5中的至少1个为羟基和/或巯基，m2和m3各自独立地为0～8的整数，m4和m5各自独立地为0～9的整数，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。)#imgabs0#
化合物树脂组合图案形成方法电路纯化

[发明专利]多环多酚树脂、组合物、多环多酚树脂的制造方法、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物-CN202180060882.9在审
发明人：松浦耕大;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：一种多环多酚树脂，其为具有源自选自由式(1A)及式(1B)所示的芳香族羟基化合物构成的组中的至少1种单体的重复单元的多环多酚树脂，或者为包含源自下述式(C‑1A)所示的芳香族羟基化合物的重复单元的多环多酚树脂，前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接。(式(1A)中，R1为碳数1～60的2n价的基团或单键，R2各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基，m各自独立地为0～3的整数。n为1～4的整数。另外，式(1B)中，R2及m与前述式(1A)中说明的含义相同。)(式(C‑1A)中，R1为碳数1～60的2n价的基团或单键，R2各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基，m各自独立地为0～9的整数。n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。)
多环多酚树脂组合制造方法形成抗蚀剂图案辐射敏感光刻下层电路光学构件

[发明专利]聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物-CN202180061314.0在审
发明人：堀内淳矢;松浦耕大;冈田悠;大松祯;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08G8/20 文献下载
摘要：一种聚合物，其具有源自选自由式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接。(式(1A)及(1B)中，R各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基，至少1个R为包含羟基的基团，m各自独立地为1～10的整数。)
聚合物组合制造方法形成抗蚀剂辐射敏感光刻下层图案电路光学构件

[发明专利]光刻用下层膜形成用组合物、下层膜和图案形成方法-CN202180055739.0在审
发明人：山本拓央;岩崎敦子;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C08G8/28 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供：具有高度差基板上的平坦化性能优异、对微细孔图案的埋入性能良好且使成膜后的晶圆表面平坦化的特征的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物等。前述课题能够通过包含具有保护基团的化合物的光刻用下层膜形成用组合物而解决。
光刻下层形成组合图案方法

[发明专利]组合物、树脂、非晶质膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法及电路图案形成方法-CN202180048505.3在审
发明人：山本拓央;松浦耕大;堀内淳矢;岩崎敦子;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：一种膜形成用组合物，其包含多环多酚树脂，所述多环多酚树脂具有源自选自由式(1‑0)、(1A)、及(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，所述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合而连接。
组合树脂质膜制造方法图案形成光刻下层电路

[发明专利]光刻膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法-CN202180048432.8在审
发明人：佐藤隆;大松祯;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07C39/14 文献下载
摘要：本发明为一种光刻膜形成用组合物，其含有：选自具有规定结构的化合物和将其作为单体得到的树脂中的至少1种。
光刻形成组合图案方法电路

[发明专利]光刻用膜形成组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法及纯化方法-CN202080059349.6在审
发明人：越后雅敏;牧野岛高史 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供作为光刻用膜形成材料或光学元件形成用材料特别有用的(多)胺化合物和将该化合物作为单体而得到的树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、绝缘膜的形成方法、电路图案形成方法、或者上述化合物或树脂的纯化方法。前述课题通过光刻用膜形成组合物等实现，该光刻用膜形成组合物含有下述式(0)所示的(多)胺化合物和/或具有源自前述(多)胺化合物的结构单元的多胺树脂。
光刻形成组合图案方法电路纯化

[发明专利]化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法、以及含碘乙烯基聚合物及其乙酰化衍生物的制造方法-CN202080056621.5在审
发明人：大松祯;片冈健太郎;松本正裕;新美结士;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C07C69/712 文献下载
摘要：一种化合物，其具有不饱和双键和一个以上的卤素。一种含碘乙烯基单体的制造方法，其包括：a)准备具戊酰基有式(1‑1)所示的一般结构(式(1‑1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘醇性基质的工序；和b)对所述含碘醇性基质进行脱水，得到具有式(1)所示的一般结构(式(1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘乙烯基单体的工序。
化合物聚合物组合形成图案方法绝缘制造以及乙烯基及其乙酰化衍生物

[发明专利]光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法和纯化方法-CN202080038861.2在审
发明人：山本拓央;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供特征在于，高低基板上的平坦化性能优异、对微细孔图案的埋入性能良好并且成膜后的晶圆表面被平坦化的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。上述问题可以通过下述组合物解决。一种光刻用下层膜形成用组合物，其含有：a：下述式(1‑0)所示的具有芳烷基结构的低聚物、和b：溶剂。(式中，Ar0表示亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚芴基、亚联苯基、二苯基亚甲基或亚三联苯基，R0为Ar0的取代基，各自独立地任选为相同的基团或不同的基团，表示氢原子、任选具有取代基的碳数1～30的烷基、任选具有取代基的碳数6～30的芳基、任选具有取代基的碳数2～30的烯基、任选具有取代基的碳数2～30的炔基、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、任选具有取代基的碳数1～30的酰基、任选具有取代基的碳数1～30的含有羧基的基团、任选具有取代基的碳数0～30的氨基、卤素原子、氰基、硝基、巯基、或杂环基，X表示直链或支链的亚烷基，n表示1～500的整数，r表示1～3的整数，p表示正整数，q表示正整数。)
光刻下层形成组合图案方法纯化

[发明专利]化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法、及化合物或树脂的纯化方法-CN201580013921.4有效
发明人： 牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C07C39/15 文献下载
摘要：本发明的化合物由特定的结构式表示。由于具有所述特定的结构式相关的结构，因此，本发明的化合物可以应用湿法工艺，耐热性和耐蚀刻性优异。另外，由于本发明的化合物具有特定结构，因此耐热性高、碳浓度较高、氧浓度较低、溶剂溶解性也高。因此，通过使用本发明的化合物，能够抑制高温烘焙时膜的劣化，能够形成对氧等离子体蚀刻等的耐蚀刻性也优异的下层膜。进而，由于与抗蚀剂层的密合性也优异，因此能够形成优异的抗蚀图案。
化合物树脂光刻下层形成材料图案方法纯化

[发明专利]光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜、图案形成方法、及纯化方法-CN202080022058.X在审
发明人：堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C08G73/18 文献下载
摘要：一种光刻用膜形成材料，其包含具有下式(1)所示的聚苯并咪唑结构的树脂。Y、Z分别为单键、包含硫族原子的2价的连接基团、源于选自芳香族化合物等的化合物的2价的连接基团，R1独立地为氢原子或选自由特定的烷基等、卤素原子、硝基、氨基、氰基、羧酸基、巯基及羟基组成的组中的取代基T，所述烷基等任选具有醚键、酮键、酯键或氨基甲酸酯键，R2为取代基T，m为0～3的整数，n为1～10000的整数。
光刻形成材料组合下层图案方法纯化

[发明专利]化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法-CN202080012064.7在审
发明人： 牧野岛高史;冈田悠;山本拓央;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C07C39/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供作为光刻用膜形成材料或光学部件形成用材料有用的新型化合物、包含来自该化合物的构成单元的树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和纯化方法。一种式(1)所示的化合物、包含来自该化合物的构成单元的树脂、含有选自由该化合物和该树脂组成的组中的1种以上的组合物、使用该组合物的抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、及其纯化方法。
化合物树脂组合图案形成方法电路纯化

[发明专利]膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射线敏感性组合物、非晶膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法和电路图案形成方法-CN202080008710.2在审
发明人：大松祯;山本拓央;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种膜形成用组合物，其包含多环多酚树脂，所述多环多酚树脂具有源于选自由式(1A)和式(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，且前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合而连接。(式(1A)中，X表示氧原子、硫原子、单键或为未桥接，Y为碳数1～60的2n价的基团或单键，此处，X为未桥接时，Y为前述2n价的基团。另外，式(1B)中，A表示苯环或稠环。进而，式(1A)和式(1B)中，R0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，此处，R0中的至少1者为羟基，m各自独立地为1～9的整数。n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。)
形成组合抗蚀剂辐射敏感性非晶膜制造方法图案光刻下层电路

[发明专利]多环多酚树脂和多环多酚树脂的制造方法-CN202080008610.X在审
发明人：大松祯;山本拓央;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C08G61/00 文献下载
摘要：一种多环多酚树脂，其具有源自选自由式(1A)和式(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合而连接。(式(1A)中，X表示氧原子、硫原子、单键或为未桥接，Y为碳数1～60的2n价的基团或单键，此处，X为未桥接时，Y为前述2n价的基团。另外，式(1B)中，A表示苯环或稠环。进而，式(1A)和式(1B)中，R0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，此处，R0中的至少1者为羟基，m各自独立地为1～9的整数。n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。)
多环多酚树脂制造方法

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