“全永斗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]获取的重构凸块加工-CN202310055703.3在审
发明人：赖冠宇;胡坤忠;翟军;全永斗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及获取的重构凸块加工。描述了裸片重构方法和具有经重构的接触凸块的裸片。在一个实施方案中，一种裸片重构方法包括：重构包括第一类型的第一接触凸块的多个裸片；部分去除这些第一接触凸块；以及在该经部分去除的第一接触凸块的顶部上形成第二类型的第二接触凸块，其中该第二类型与该第一类型不同。
获取重构凸块加工

[发明专利]半导体封装基板微细间距金属凸块和增强结构-CN202080039161.5在审
发明人：徐润忠;钟智明;翟军;高一凡;全永斗;金太贵 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明描述了半导体封装基板和处理顺序。在实施方案中，封装基板包括堆积结构和图案化金属接触层，该图案化金属接触层部分地嵌入该堆积结构内并从该堆积结构突出。该图案化金属接触层可包括位于芯片安装区域中的表面安装(SMT)金属凸块阵列、金属围堤结构或它们的组合。
半导体封装微细间距金属增强结构

[发明专利]半导体器件-CN201910742197.9在审
发明人： 全永斗;朴韩蔚;朴世镇;郑鲁永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810177601.4无效
发明人： 全永斗 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在刻蚀膜上和/或上方形成相互交叉的第一光刻胶图样和第二光刻胶图样，以及使用第一光刻胶图样和第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜，通过刻蚀该刻蚀膜在刻蚀膜上形成精细的图样。根据本发明实施例，可以通过实施两个曝光工艺来形成诸如接触孔的精细图样。该方法可以使用用于线和/或隔离的现有掩膜。该方法可以经由两个光刻胶涂覆工艺通过确保光刻胶膜足够的厚度来确保足够的刻蚀余量。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于形成接触孔的掩模-CN200710141970.3无效
发明人： 全永斗 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种用于形成接触孔的掩模，在所述的掩模中，在用于形成接触孔的光刻处理中，用于形成接触孔的掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大于水平轴长度。在本发明实施例中，提供了一种用于制造掩模的方法，所述掩模具有用于形成接触孔的多个图案，其中根据待形成的接触孔之间的距离可以设计不同的图案。
用于形成接触

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top