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[发明专利]一种单晶硅棒-CN201110173362.7无效
发明人： 倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒，由两个以上硅棒本体通过端面沾粘层连接在一起，其底部通过环氧树脂沾粘在底座上，在硅棒本体的前后两个端部设有挡板，挡板为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体上。本发明提供的单晶硅棒，其两端的挡板以及单体之间的固定连接可以在切割过程中对硅棒本体两端的晶片以及单体接触端面起保护作用，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。
一种单晶硅

[发明专利]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池-CN201110173366.5无效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm*125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本发明提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池

[发明专利]一种单晶硅片的超声波清洗装置-CN201110173357.6无效
发明人： 倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的超声波清洗装置，包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架，在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽内腔底部设有超声波振子；所述框架包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽内腔底部存在间距。本发明提供的单晶硅片的超声波清洗装置，结构简单，能够增加单晶硅片清洗后的清洁度，并能够减少用水。
一种单晶硅超声波清洗装置

[发明专利]一种超薄高效单晶硅太阳能电池-CN201110173376.9无效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%。本发明提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低。
一种超薄高效单晶硅太阳能电池

[实用新型]一种单晶硅棒-CN201120218183.6有效
发明人： 倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒，包括硅棒本体，所述硅棒本体底部通过环氧树脂沾粘在底座上，在硅棒本体的顶部两侧设有两条平行于硅棒本体轴向的导向条，在硅棒本体的前后两个端部设有挡板；所述导向条和挡板都为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体上。本实用新型提供的单晶硅棒，使晶片入刀口厚薄均匀，有效防止晶片入刀口厚薄不均问题，同时线网在切割导向条时线弓已经产生，也可有效避免晶片的一个角厚度偏薄现象，提高晶片的质量；且硅棒两端的挡板可以在切割过程中对硅棒本体两端的晶片起保护作用，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。
一种单晶硅

[实用新型]一种单晶硅棒-CN201120218168.1有效
发明人： 倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒，由两个以上硅棒本体通过端面沾粘层连接在一起，其底部通过环氧树脂沾粘在底座上，在硅棒本体的前后两个端部设有挡板，挡板为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体上。本实用新型提供的单晶硅棒，其两端的挡板以及单体之间的固定连接可以在切割过程中对硅棒本体两端的晶片以及单体接触端面起保护作用，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。
一种单晶硅

[实用新型]一种多晶硅太阳能电池的背电极-CN201120218188.9有效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅太阳能电池的背电极，采用薄片铝浆的条形背电极，其两端距离电池片相应边缘的距离不相等，所述背电极的根数为一根以上，所有背电极的相同端距离电池片相同边缘的距离相等；所述背电极的两端距离电池片相应边缘的距离相差范围为15mm到25mm。本实用新型提供的多晶硅太阳能电池的背电极，与采用对称设计的背电极生产的电池片相比，印刷所使用的浆料单耗降低，封装成的太阳能电池组件的功率增加。
一种多晶太阳能电池电极

[实用新型]一种单晶硅太阳能电池组件-CN201120218181.7有效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅太阳能电池组件，包括低铁超白钢化玻璃、VA含量为31%-32%的EVA胶膜、单晶硅太阳能电池和背板，所述低铁超白钢化玻璃外依次熔融EVA胶膜、单晶硅太阳能电池、EVA胶膜和背板；所述低铁超白钢化玻璃的表面镀有减反射膜，所述背板为具有较高的表面反射率的TPT材质。本实用新型提供的太阳能电池组件，采用高效率的单晶硅电池，结合镀膜的超白钢化玻璃以及具有较高反射率的TPT材料，提高了太阳能电池组件的光电转化效率。
一种单晶硅太阳能电池组件

[实用新型]一种单晶硅片的超声波清洗装置-CN201120218174.7有效
发明人： 倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅片的超声波清洗装置，包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架，在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽内腔底部设有超声波振子；所述框架包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽内腔底部存在间距。本实用新型提供的单晶硅片的超声波清洗装置，结构简单，能够增加单晶硅片清洗后的清洁度，并能够减少用水。
一种单晶硅超声波清洗装置

[实用新型]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池-CN201120218182.1有效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm×125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本实用新型提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池

[实用新型]一种超薄高效单晶硅太阳能电池-CN201120218179.X有效
发明人： 倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%。本实用新型提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低。
一种超薄高效单晶硅太阳能电池

[实用新型]用于四氯化硅转化为三氯氢硅的转化炉-CN200920256028.6无效
发明人： 倪云达 -专利权人： 倪云达
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：用于四氯化硅转化为三氯氢硅的转化炉。涉及一种用于四氯化硅转化为三氯氢硅的转化炉。包括底盘、设置在底盘上的钟罩，转化炉上设有加热装置，钟罩内设有连通的进出气管，进出气管和外部连通，所述的出气管和进气管夹套设置。本实用新型的优点是：本实用新型进出气管采用夹套式，出气管在外面包住进气管，利用热的还原尾气初步预热进炉的混合气，并使尾气得到初步的冷却。钟罩、底盘内设有冷却管，能够带走转化炉内反应时辐射到炉体，使得转化炉使用寿命得到延长。这种设计使转化炉内部结构趋于合理，进气管在内，出气管包住进气管的一部分，有效利用炉子的热能，对进气进行进一步预热，使氢还原反应更易于发生。
用于氯化转化三氯氢硅

[实用新型]一种使三氯氢硅生产中反应温度稳定的流化床反应器-CN200920256026.7无效
发明人： 倪云达 -专利权人： 倪云达
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：一种使三氯氢硅生产中反应温度稳定的流化床反应器。涉及一种三氯氢硅生产的大型流化床反应器。包括自上而下相互连接的气固分离段、反应段和封头段，气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口，反应段内设有加热装置，封头段上设有氯化氢进气口，所述的加热装置为设置在反应段内的导热油换热管束，导热油换热管束向筒体外延伸出和筒体外导热油连通的导热油进口和出口。本实用新型的三氯氢硅大型流化床反应器，在现有的流化床反应器结构上进行了大的改进，具有如下显著的效果：采用内导热油换热管束装置增加了反应温度的均匀性。在升温阶段采用导热油加热、反应过程中采用导热油冷却模式将反应热移出，通过调节导热油的流量有效控制反应温度，以达到产品收率稳定的特点。
一种使三氯氢硅生产反应温度稳定流化床反应器

[实用新型]三氯氢硅生产中提高反应均匀程度的流化床反应器-CN200920256025.2无效
发明人： 倪云达 -专利权人： 倪云达
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：三氯氢硅生产中提高反应均匀程度的流化床反应器，涉及一种三氯氢硅生产的大型流化床反应器。包括自上而下相互连接的气固分离段、反应段和封头段，气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口，反应段内设有加热装置，封头段上设有氯化氢进气口，其特征在于，所述反应段和封头段之间设有气体分布器，气体分布器上均设有气孔，各气孔上设有锥形气帽。本实用新型的三氯氢硅大型流化床反应器，在现有的流化床反应器结构上进行了大的改进，具有如下显著的效果：气体分布器的设置，使氯化氢气体均匀进入反应段内，使反应更加均匀。提高了氯化氢利用率以及硅粉的转化率。
三氯氢硅生产提高反应均匀程度流化床反应器

[实用新型]一种提高气固接触时间的三氯氢硅生产流化床反应器-CN200920256027.1无效
发明人： 倪云达 -专利权人： 倪云达
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：一种提高气固接触时间的三氯氢硅生产流化床反应器。涉及一种生产三氯氢硅的大型流化床反应器。包括自上而下相互连接的气固分离段、反应段和封头段，气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口，反应段内设有加热装置，封头段上设有氯化氢进气口，反应段下部设有硅粉进料口，反应段的高度和直径的比为2-10。本实用新型的三氯氢硅大型流化床反应器，在现有的流化床反应器结构上进行了大的改进，具有如下显著的效果：增大反应段高度与直径比值，同时将硅粉进料由设备上部移至下部，以增加气固接触时间，使两者反应更充分，以提高产品质量。
一种提高接触时间三氯氢硅生产流化床反应器

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