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[发明专利]维护方法、半导体装置的制造方法、记录介质及处理装置-CN202310260936.7在审
发明人：吉野晃生;原田幸一郎;油谷幸则;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种对构成反应容器的金属构件的表面处理的破损进行修复的维护方法、半导体装置的制造方法、计算机可读取的记录介质以及基板处理装置。该维护方法具有如下工序：(a)对配置于反应容器内的基板供给改性气体，在预定温度进行对基板的改性处理的工序；和(b)在反应容器内没有基板的状态下向反应容器内供给含氧气体，在预定温度以上的温度对铝构件的表面的耐酸铝处理的破损进行氧化处理的工序，该铝构件构成反应容器的至少一部分。
维护方法半导体装置制造记录介质处理

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序-CN202180063136.5在审
发明人：稻田哲明;小西顺也;室林正季;保井毅;佐藤武夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：提供一种技术，具有：处理容器，其对基板进行处理；外侧容器，其覆盖处理容器的外周；气体流路，其形成于外侧容器与处理容器的外周之间；排气路，其与气体流路连通；调整阀，其构成为能够调整排气路的流导；第一排气装置，其被设置在排气路上且调整阀的下游；压力传感器，其测定外侧容器内的压力；控制部，其构成为能够根据由压力传感器测定出的压力来控制第一排气装置而调整第一排气装置的排气风量。
处理装置半导体制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质-CN201880059829.5有效
发明人： 保井毅;舟木克典;室林正季;原田幸一郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明减少在处理室内对处理气体进行等离子体激励时产生的对处理室内壁等的溅射的发生。本发明提供一种基板处理装置，其具备：等离子体容器，其对处理气体进行等离子体激励；线圈，其被设置为卷绕在等离子体容器的外周，且构成为被供给高频电力，线圈形成为从一端到另一端之间的预定位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离与其他位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离不同，并且形成为施加到线圈的电压的驻波的振幅最大的位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离最大。
处理装置半导体制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质-CN202210033777.2在审
发明人： 保井毅;稻田哲明;室林正季 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质，使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备：处理容器，其对处理气体进行等离子体激励；气体供给系统，其向处理容器内供给处理气体；以及线圈，其设置为第一接地点与第二接地点之间的区间沿着处理容器的外周以螺旋状卷绕多周，且被供给高频电力，线圈构成为，在从第一接地点朝向第二接地点的方向上，在沿处理容器的外周卷绕一周为止的区间即第一卷绕区间内，包含第一接地点的一部分的区间的从线圈的内周到处理容器的内周的距离即线圈间隔距离，比与包含第一接地点的一部分的区间连续的其它区间的线圈间隔距离长。
处理装置半导体制造方法存储介质

[实用新型]基座盖以及基板处理装置-CN202122279587.2有效
发明人：稻田哲明;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基座盖及具备该基座盖的基板处理装置。该基座盖，其特征在于，载置于设于基板处理室内的基座的上表面，上述基座盖具备：在上述基座盖的上方使基板升降的基板上顶销插通内侧的第一贯通孔；以及与上述第一贯通孔不同的第二贯通孔。
基座以及处理装置

[外观设计]基板处理装置用基板承载板-CN202130567678.9有效
发明人：稻田哲明;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理装置用基板承载板。2.本外观设计产品的用途：本产品安装在基板处理装置中的下部加热器上进行使用，其用于将下部加热器的热量均匀地传导到放置在本产品上面的基板。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
处理装置用基板承载

[发明专利]基板处理装置、基座罩及半导体器件的制造方法-CN201980097919.8在审
发明人： 保井毅;稻田哲明;坪田康寿 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：基板处理装置具有：处理室，其用于收容基板；和基板支承部，其设置于处理室内，具备支承基板的基座和配置于基座的上表面的基座罩，在该基板处理装置中提供如下结构：基座具有发热体和设置于避开发热体的位置的第1贯穿孔，基座罩具有第2贯穿孔，该第2贯穿孔与第1贯穿孔连通，并且具有比第1贯穿孔的直径大的直径。
处理装置基座半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、处理容器、反射体和半导体装置的制造方法-CN201980094229.7在审
发明人：稻田哲明;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：构成处理室的处理容器；处理气体供给部，其向处理容器内供给处理气体；电磁场产生电极，其与处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使处理容器内产生电磁场；加热机构，其构成为发射红外线来对处理室内容纳的基板进行加热；以及反射体，其配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从加热机构发射的红外线进行反射。根据本技术，能够提高基板处理装置的加热器对基板的加热效率。
处理装置容器反射半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及静电屏蔽罩-CN201880091439.6在审
发明人： 保井毅;舟木克典;坪田康寿;原田幸一郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法及静电屏蔽罩，当在处理容器的内部对处理气体进行等离子体激励时，能够抑制发生相对于处理容器的内周面的溅射。静电屏蔽罩形成于处理容器的外周面与线圈之间。该静电屏蔽罩形成有：分隔部，其在线圈的周向上延伸，并对线圈的一部分与处理容器的外周面之间进行分隔；以及开口部，其在线圈的周向上延伸，并在线圈的另一部分与处理容器的外周面之间开口。
处理装置半导体制造方法静电屏蔽

[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201710116659.7有效
发明人：吉野晃生;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置及半导体器件的制造方法，其目的为提高每个基板的处理均匀性。基板处理装置具有：处理基板的多个处理室；分别设于多个处理室且将基板加热至规定温度的加热部；与多个处理室连接的真空搬运室；设于真空搬运室且能够搬运多个基板的搬运机械臂；与真空搬运室连接的预真空锁室；设于预真空锁室内且支承在处理室处理后的基板的支承部；向预真空锁室供给非活性气体的非活性气体供给部；记录有冷却配方的存储装置；及控制部，在处理室中将基板加热处理至规定温度后使基板从处理室向预真空锁室搬运，并控制非活性气体供给部和存储装置，以从存储装置读出与基板温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体来冷却基板。
处理装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201710780303.3有效
发明人：中山雅则;保井毅;室林正季;吉野晃生 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高使膜的特性变化的处理后的衬底的特性。具有：第1处理室，对衬底进行第1处理；第2处理室，对衬底进行第2处理，与第1处理室连通；衬底支承部，支承衬底；第1电极，设在第1处理室，与衬底支承部相对；第2电极，设在第2处理室的侧部；升降部，使衬底支承部向第1、第2处理室移动；气体供给部，能向衬底供给第1至第3气体；电源部，向第1、第2电极供给电力；控制部，以将第1气体和被第1电极活化了的第2气体供给到衬底而进行第1处理后，将衬底从第1处理室移到第2处理室，向衬底供给被第2电极活化了的第3气体来进行第2处理的方式控制电源部、气体供给部和升降部。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN201780014442.3在审
发明人：吉野晃生;保井毅;室林正季;原田幸一郎;寺崎正;中山雅则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置，其具备：衬底处理室，其具有等离子体生成空间、和衬底处理空间；构成为载置衬底的衬底载置台；电感耦合结构，其具备以卷绕于等离子体生成空间的外周的方式设置的线圈，线圈的电长度为被供给至线圈的高频电力的波长的整数倍，线圈的直径构成为大于衬底的直径；构成为使所述衬底载置台升降的衬底支承台升降部；对等离子体生成空间供给处理气体的气体供给部；和控制部，其构成为控制衬底支承台升降部，以使得当处理衬底时，被载置于衬底载置台的衬底位于比线圈的下端靠下方的高度的位置。由此，当处理衬底时，能够减小在衬底的面上生成的等离子体的密度的偏差，提高衬底处理的面内均匀性。
衬底等离子体生成空间载置台衬底处理装置升降衬底支承台衬底处理等离子体半导体器件衬底处理室面内均匀性气体供给部处理气体电感耦合方式设置高频电力整数倍波长减小卷绕外周下端载置制造

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