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[发明专利]纳米氧化钛浓缩液改性变压器油的制备方法-CN201410295540.7有效
发明人：王利民;赵志刚;张伟静;何卫;陈思敏;杨军虎;刘朝章 -专利权人：国家电网公司;南京南瑞集团公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网山东省电力公司德州供电公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C10M125/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化钛浓缩液改性变压器油的制备方法，包括如下步骤：1)以环己烷和三乙胺为溶剂，配制钛酸四丁酯溶液；2)再加入油酸混合均匀，在150℃～180℃反应12～72h，得到氧化钛的分散液；3)通过改变钛酸四丁酯溶液与油酸的配比，得到一系列不同浓度的氧化钛浓缩液；4)将步骤3)所得到的氧化钛浓缩液添加到变压器油中，混合均匀，并进行超声处理，即得到纳米氧化钛浓缩液改性变压器油。本发明省去了纳米氧化钛颗粒的干燥，有效避免了氧化钛颗粒之间的硬团聚，分散性较好，从而使变压器油中的氧化钛分散相是真正的纳米级，也保证了纳米改性变压器油具有优异的长期稳定性，也提高了变压器油的导热性能。
纳米氧化浓缩改性变压器制备方法

[实用新型]船舶艉轴定中结构-CN201420180472.5有效
发明人：何卫;饶建荣;陈炽平;覃起伟 -专利权人：广州文冲船厂有限责任公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B63H23/34 文献下载
摘要：船舶艉轴定中结构，包括安装板，立板的一端垂直固定安装在安装板的表面上，与安装板表面重合的立板端面的两端与安装板表面上对应的两端对齐，立板两侧的安装板表面上分别设置有装配孔。该种船舶艉轴定中结构减少了人工靠经验定中艉轴的工时，提高工作效率，保证没有前轴承的艉轴在水中时其轴线的定中精度，进一步保证了船舶运行方向的精装，其结构简单，安装及使用方便。
船舶艉轴定中结构

[实用新型]一种泥浆快速浓缩一体化装置-CN201420118680.2有效
发明人：王志勇;王家铮;何卫 -专利权人：王志勇;台州学院
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C02F11/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种泥浆快速浓缩一体化装置，属于固体物料浓缩技术领域。它能够快速浓缩高浓度建筑泥浆，减小泥浆体积，产生的泥浆水达标排放。它包括用于沉淀泥浆中粒径较大颗粒物的预沉池、中间水池及絮凝斜板沉淀池，含细小颗粒物及胶体的泥浆水在混合箱中与絮凝剂充分混合，在絮凝斜板沉淀池中絮凝器中形成絮体物，经斜板快速沉淀下来，达标后的水排出系统外，浓缩后的泥浆由预沉池的排泥和絮凝斜板沉淀池中的排泥组成，相对于原泥浆体积大大的缩小，便于运输。本实用新型结构简单，体积较小，操作方便，能够实现快速浓缩泥浆、方便运输剩余泥浆的目的。
一种泥浆快速浓缩一体化装置

[实用新型]用于杆材加工的热轧设备-CN201320623623.5有效
发明人：王利民;黄元飞;何卫;陈思敏;姚辉 -专利权人：国家电网公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B21B1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于杆材加工的热轧设备，包括：机架，所述机架上安装有轧辊，所述机架的一侧对应所述轧辊进料端设有管式加热器，所述轧辊的加工中心位于所述管式加热器的中心轴线上。本实用新型通过采用热轧工艺替代拉拔工艺对杆材进行加工的技术手段，解决了采用拉拔工艺加工强度高、塑性低的合金材料时出现断裂或裂纹的问题。适用于杆材的加工。
用于加工热轧设备

[发明专利]碳纳米管强化铝合金芯铝绞线及其制备方法-CN201310664852.6有效
发明人：王利民;穆广祺;董勇军;陈胜男;何卫;汤超 -专利权人：国家电网公司;国网山西省电力公司;南京南瑞集团公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网山西省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01B5/10 文献下载
摘要：发明公开了一种碳纳米管强化铝合金芯铝绞线及其制备方法。碳纳米管强化铝合金芯铝绞线的芯层由碳纳米管强化铝合金材料制成，碳纳米管强化铝合金材料按重量百分比包含：碳纳米管1%～8%，镁0.1～1%，锰0.1～1%，铬≤0.1%，镍≤0.1%，钛≤0.1%，铜≤0.1%，杂质≤0.01%，余量为铝。本发明通过纳米改性技术制备轻质高强碳纳米管改性铝合金材料，使其强度达到钢的水平，密度仅为钢的1/3，并作为承重芯材，外层再绞合硬铝线制备而成。本发明具备重量轻、电阻小、非磁性、弧垂小的特性，可大幅减少输电线路损耗，节约电能，增大输送容量，降低输电杆塔高度，减少钢材使用量，达到节能和增容的目的。
纳米强化铝合金芯铝绞线及其制备方法

[发明专利]高导碳纳米管改性铝材料及其制备方法-CN201310664840.3有效
发明人：王利民;姚辉;何卫;廖晶;蒋建杰;徐惠强;梁静 -专利权人：国家电网公司;南京南瑞集团公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力公司湖州供电公司;国网山西省电力公司晋城供电公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导碳纳米管改性铝材料及其制备方法。先将经过化学表面改性或者包覆处理的碳纳米管与纯铝粉末真空球磨，再与熔化的纯铝锭混合搅拌，然后浇铸成型，得到高导碳纳米管改性铝材料。本发明通过碳纳米管的表面改性处理后，增加碳纳米管和铝液之间的润湿性，实现碳纳米管在熔融铝液中的均匀分布，消除由于碳纳米管和铝液的密度差异，减少碳纳米管在铝液中上浮现象，增加碳纳米管和铝液的润湿性，并最终得到一种高于纯铝导电率的复合材料。本发明实现其整体导电性能的提升，制备方法简单，可以实现大规模的工业化生产。
高导碳纳米改性材料及其制备方法

[发明专利]利用硼化物包覆的单壁碳纳米管制备碳纳米管改性铝材料的方法-CN201310661460.4有效
发明人：张广洲;吴斌;梁小姣;王利民;何卫;姚辉 -专利权人：国家电网公司;国网山东省电力公司泰安供电公司;南京南瑞集团公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硼化物包覆的单壁碳纳米管制备碳纳米管改性铝材料的方法。1）先制备单壁碳纳米管分散液；2）再加入硼化物前驱体，通过化学包覆法在碳纳米管表面形成均匀的硼化物层，待反应结束后，过滤和加热，再在150～250℃进行处理，得到硼化物包覆的单壁碳纳米管粉末；3）然后添加到融熔铝液中均匀分散，静置后进行浇铸，再经挤压、后续热处理，即可得到碳纳米管改性铝材料。本发明有效改善了碳纳米管与铝液的相容性和两者间的密度差异，提高了碳纳米管在铝液中的分散程度。本发明充分发挥了单壁碳纳米管对铝基体的改性增强作用，大幅提高了铝材料的导电性能和机械强度。
利用硼化物包覆单壁碳纳米制备改性材料方法

[发明专利]高分散碳纳米管-铝粉料的批量制备方法-CN201310661967.X无效
发明人：蔡炜;王利民;孙庆森;汤超;何卫;陈思敏 -专利权人：国家电网公司;国网山东省电力公司泰安供电公司;南京南瑞集团公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分散碳纳米管-铝粉料的批量制备方法。先将碳纳米管与纯铝或铝合金粉在转速为1300～1800rpm下球磨，球磨时间为3～6h，球料比为8～30：1，得到碳纳米管-铝粉料的前驱体，碳纳米管-铝粉料的前驱体中碳纳米管的重量百分比为20～60%；再将碳纳米管-铝粉料的前驱体与纯铝或铝合金粉混合，在转速为100～5000rpm下搅拌均匀，搅拌时间为1～20h，球料比为10～100:1，即得。本发明通过在较短时间内对碳纳米管进行分散以及碳纳米管与基体粉料的均匀混合，制备出含量高的碳纳米管-铝粉料的前驱体，实现碳纳米管与铝基体的高效混合，从而实现碳纳米管-铝粉料的大批量制备。
分散纳米铝粉料批量制备方法

[发明专利]铰孔定位夹紧装置-CN201310483236.0有效
发明人：何卫;段东旭 -专利权人：博深工具股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铰孔定位夹紧装置，包括设置在立钻铰刀下方的机架，机架的上方设置有放置待加工件的工作台，工作台位于铰刀的正下方设置有与铰刀及待加工件中心孔同中心线的通孔，工作台上环通孔外圆周对称设置有用于压紧待加工件的压紧机构，所述压紧机构为通过气缸支座设置在工作台上的直角旋转气缸；所述工作台的下方通过固定设置在机架上的下支撑板设置穿过通孔用于定位待加工件的定位机构。本发明能够将待加工件定位并压紧在钻床上，采用以待加工件中心孔为基准进行铰孔的作业形式，保证了后铰的孔与原孔中线轴线的重合，大大提高了铰孔精度。
定位夹紧装置

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201210141545.5有效
发明人：朱慧珑;何卫;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：蚀刻停止层，位于半导体衬底上；半导体鳍片，位于蚀刻停止层上；栅极导体层，沿着垂直于鳍片的延伸方向而延伸，并且至少覆盖半导体鳍片的两个侧面；栅极介质层，夹在栅极导体层和半导体鳍片之间；源区和漏区，位于半导体鳍片的两端；以及绝缘间隔层，在栅极介质层的下方与蚀刻停止层邻接，用于将栅极导体层与蚀刻停止层和半导体鳍片电隔离。该FinFET的鳍片高度大致等于用于形成半导体鳍片的半导体层的厚度。
finfet 及其制造方法

[发明专利]MOSFET制造方法-CN201210120924.6在审
发明人：何卫;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET制造方法，包括：在衬底上形成牺牲栅极堆叠；以牺牲栅极堆叠为掩膜，对衬底离子注入形成源漏区；在衬底以及牺牲栅极堆叠上沉积层间介质层；移除牺牲栅极堆叠，在层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽内侧壁上形成内栅极间隔壁；在栅极沟槽中形成栅极绝缘层和栅极导电层。依照本发明的MOSFET制造方法，通过在移除牺牲栅极之后形成内侧间隔壁，有效提高了高k材料和金属栅极填充率，避免了栅极间隔壁受损，提高了器件加工精度，并最终改善了器件的性能。
mosfet 制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210120451.X有效
发明人：何卫;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；在所述栅极凹陷(500)中形成栅介质层(600)以及栅电极层(610)。本发明利于降低栅极两侧表面的粗糙度。本发明还提供了根据上述方法制造的半导体结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离化学机械平坦化方法-CN201210122037.2有效
发明人：何卫;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。依照本发明的浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，通过在氧化物顶部额外施加的保护层，防止了浅沟槽区域内处于谷部的氧化物被过度移除，从而有效地提高了台阶高度的均匀性。
沟槽隔离化学机械平坦方法

[发明专利]鳍形场效应晶体管制造方法-CN201210106806.X有效
发明人：殷华湘;何卫;钟汇才;赵超;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍形场效应晶体管制造方法，包括步骤：在衬底上形成多个第一鳍形结构，沿平行于衬底的第一方向延伸的；在衬底上形成多个第二鳍形结构，沿平行于衬底的第二方向延伸的，其中第二方向与第一方向相交；选择性去除第二鳍形结构的一部分，形成多个栅极线条；选择性去除第一鳍形结构的一部分，形成多个衬底线条。依照本发明的鳍形场效应晶体管制造方法，利用极限光刻图形化技术制作均匀硅翅线与栅翅线后再集中切割对应的特定区域的方法，同时形成栅极线条和衬底线条，提高均匀度，减低工艺难度与成本。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种瓷砖工具的螺旋刀头全自动磨弧设备及其使用方法-CN201310310846.0有效
发明人：何卫;杜会仑;段东旭;王权 -专利权人：博深工具股份有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B24B19/00 文献下载
摘要：本发明属瓷砖工具技术领域，具体地涉及一种瓷砖工具的螺旋刀头全自动磨弧设备及其使用方法，本发明涉设备利用推力气缸拉动拉杆组件做往复运动，拉杆组件同时拉动上拉杆和下拉杆做往复运动；下拉杆拉动斜块使升降平台在竖直面上做上下运动，上拉杆拉动摆动平台以螺旋刀头的基体直径中心轴为回转轴在水平面内做往复摆动；螺旋刀头的滑道组件与水平放置的砂轮角度是刀头在基体上实际位置的螺纹升角；滑道组件上方有挡料气缸、放料气缸分先后压、放刀头；推料气缸推动刀头至磨弧区，磨后再将刀头推出磨弧区；压料气缸的压头在磨弧区压紧刀头。可广泛用于各种螺旋刀头的弧面磨削加工。
一种瓷砖工具螺旋刀头全自动设备及其使用方法