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[实用新型]一种显示面板及电子设备-CN202220576431.2有效
发明人： 何佳铸 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示面板及电子设备，其中，显示面板包括：基板；导电层，至少部分覆盖基板；偏光片，至少部分覆盖导电层且至少部分覆盖基板；银浆层，至少部分覆盖偏光片，并贴合偏光片的侧面延伸并至少部分覆盖导电层和基板。本实用新型在偏光片和基板之间设置导电层，导电层将偏光片和银浆层连接，即使使用显示面板导致偏光片收缩后，导电层依旧能够连接偏光片和银浆层，因此能够稳定显示面板的抗静电能力，提高产品的稳定性，提高使用寿命。
一种显示面板电子设备

[实用新型]一种具有360度全视角防窥的车载模组-CN202220646110.5有效
发明人： 何佳铸 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有360度全视角防窥的车载模组，包括车载显示模组，车载显示模组上设置有防窥组件，防窥组件包括防窥膜，防窥膜为蜂窝式结构。本申请通过设置的防窥膜，蜂窝式结构的防窥膜，可以使车载显示模组各方向都能形成一个可视角度，使各方向都能起到防窥的功能，同时使用蜂窝式结构，会最小化防窥膜的膜壁面积占比，使得正面阅读的光线穿透率最大化，实现了车载显示模组的度全防窥，降低副驾驶娱乐屏使用时对驾驶员的影响。
一种具有 360 视角车载模组

[实用新型]一种车载显示屏-CN202122608906.X有效
发明人： 何佳铸;陈春钦 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开一种车载显示屏，包括：中控屏，所述中控屏包括触控区和位于所述触控区外围的非触控区；联屏，所述联屏与所述中控屏并排设置，与所述中控屏构成多联屏，且为非触控屏；电致变色薄膜，所述电致变色薄膜贴设在所述中控屏的非触控区和所述联屏，且所述中控屏和所述联屏未工作时，所述电致变色薄膜的颜色与所述中控屏的触控区的颜色相同。本实用新型中，车载显示屏未工作时，车载显示屏在贴设有电致变色薄膜的部位颜色与中控屏触控区的颜色一致，即联屏和中控屏非触控区的颜色与中控屏触控区的颜色一致，实现一体黑效果。
一种车载显示屏

[发明专利]一种车载显示屏-CN202111265498.0在审
发明人： 何佳铸;陈春钦 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种车载显示屏，包括：中控屏，所述中控屏包括触控区和位于所述触控区外围的非触控区；联屏，所述联屏与所述中控屏并排设置，与所述中控屏构成多联屏，且为非触控屏；电致变色薄膜，所述电致变色薄膜贴设在所述中控屏的非触控区和所述联屏，且所述中控屏和所述联屏未工作时，所述电致变色薄膜的颜色与所述中控屏的触控区的颜色相同。本发明中，车载显示屏未工作时，车载显示屏在贴设有电致变色薄膜的部位颜色与中控屏触控区的颜色一致，即联屏和中控屏非触控区的颜色与中控屏触控区的颜色一致，实现一体黑效果。
一种车载显示屏

[发明专利]带有电致变色功能的车载遮阳板化妆镜-CN202111116151.X在审
发明人： 何佳铸;陈春钦;黄焕 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B60J3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种带有电致变色功能的车载遮阳板化妆镜，包括：固定座；背光模组，固定在所述固定座中，用于发出可见光；电致变色玻璃，固定在所述背光模组的出光面，调整所述可见光的光透过率；控制单元，控制所述背光模组的开闭及控制所述电致变色玻璃的光透过率。本发明中，实现在夜晚等光线不足的情况下也可清晰的观察到乘客的面容，且光线柔和、不刺眼。
带有变色功能车载遮阳板化妆

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜-CN201510292963.8有效
发明人：刘新科;何佳铸;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，使用化学气相沉积法(CVD)在镀有氧化物缓冲层的硅衬底上直接生长大面积、高质量、低缺陷的硫化钼(MoS2)薄膜，并创新性地实现MoS2薄膜的快速转移。
一种二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种GaN‑MoS2分波段探测器及其制备方法-CN201610489139.6有效
发明人：刘新科;李奎龙;何佳铸;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS2分波段探测器，包括GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS2材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS2材料层上的电极组。本发明提供的GaN‑MoS2分波段探测器为单片集成结构，包括分别置于衬底两面的GaN材料层和MoS2材料层，所述探测器结构合理地将宽禁带GaN和窄禁带的二维材料MoS2结合在一起，最终实现了光子的分波段吸收探测。本发明还提供了所述GaN‑MoS2分波段探测器的制备方法，包括以下步骤制备GaN材料层；制备MoS2材料层；加工电极组。本发明所提供的制备方法，过程简单易行，便于工业化生产。
一种 gan mos sub 波段探测器及其制备方法

[发明专利]一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法-CN201611068963.0在审
发明人： 何佳铸;刘新科;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层采用高介电常数电介质材料。本发明实施例提供的环栅结构场效应晶体管使用高介电常数电介质材料作为绝缘层，具备良好的绝缘属性，可在栅极和衬底通道之间产生较高的场效应，能够使晶体管漏电量降低并减少器件的耗电和发热，使晶体管的尺寸进一步缩小。
一种结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法-CN201610477822.8在审
发明人：刘新科;李奎龙;何佳铸;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，以GaN为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS₂薄膜；所述生成MoS₂薄膜的过程为：以硫粉和MoO₃为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS₂薄膜。本发明还提供了一种二硫化钼薄膜，采用上述所述的制备方法制成。本发明所提供的二硫化钼薄膜及其制备方法，所用的硫化钼材料与衬底材料GaN之间的结合力极强，所制得的MoS₂薄膜的质量极高，可以满足电学领域和光学领域对纳米薄膜材料的质量要求。
gan 衬底制备二硫化钼薄膜方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜及其制备方法-CN201610481734.5在审
发明人：刘新科;何佳铸;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种二硫化钼薄膜的制备方法，以蓝宝石为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS₂薄膜；所述生成MoS₂薄膜的过程为：以硫粉和MoO₃为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS₂薄膜。本发明还提供了一种二硫化钼薄膜，采用上述所述的制备方法制成。本发明所提供的二硫化钼薄膜及其制备方法，所用的硫化钼材料与衬底材料蓝宝石之间的结合力极强，所制得的MoS₂薄膜的质量极高，可以满足电学领域和光学领域对纳米薄膜材料的质量要求。
一种二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]一种硫化钨薄膜及其制备方法-CN201610182002.6在审
发明人：刘新科;何佳铸;刘强;吕有明;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种硫化钨薄膜的制备方法，包括以下步骤：在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层；在所述W层上镀上一层厚度为一个原子的S层；以及在所述S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层，获得WS₂薄膜；所述WS₂薄膜为W‑S‑W层状结构的单层薄膜。本发明还提供了一种硫化钨薄膜，采用上述的制备方法制成。由本发明的方法，可实现WS₂薄膜的大面积制备；且制备的WS₂薄膜的质量显著提高，这极大地改善了WS₂薄膜的电学性能。
一种硫化薄膜及其制备方法

[实用新型]一种新型鳍式场效应晶体管-CN201520915736.1有效
发明人：刘新科;何佳铸;刘强;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型适用于晶体管，提供了一种新型鳍式场效应晶体管，包括衬底以及鳍式结构，鳍式结构由下至上依次包括：覆盖于衬底上具备高介电常数的第一绝缘层，其中部向上延伸出一鳍状凸起；覆盖于第一绝缘层上的有源层，其具有用于包裹鳍状凸起的第一包裹部；覆盖于有源层上的第二绝缘层，其具有第二包裹部；形成于第二绝缘层的第二包裹部两侧的漏极和源极；覆盖于第二绝缘层上用于包裹第二包裹部的栅极。本实用新型可以提高场效应晶体管的电学性能，如优异的迁移率，极低的漏电流，而且提供的鳍形结构增大了栅极对沟道的控制范围，用于电流控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，能够有效降低杂质离子散射效应，提高沟道载流子迁移率。
一种新型场效应晶体管

[实用新型]一种氮化镓异质结场效应晶体管-CN201520678062.8有效
发明人：刘新科;何佳铸;刘强;俞文杰;吕有明;陈凌霄;杨育佳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本实用新型适用于电子元器件领域，提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管，包括：衬底；介质层，设置在所述衬底之上；栅极，设置在所述介质层上；以及应力衬垫薄膜层，包裹在所述栅极的外侧。本实用新型能有效提高氮化镓异质结场效应晶体管的电学性能，即有效控制阈值电压或把阈值电压向正方向移动从而实现增强型氮化镓器件，同时降低器件的寄生电阻。
一种氮化镓异质结场效应晶体管

[发明专利]一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法-CN201510557926.5在审
发明人：刘新科;何佳铸;刘强;俞文杰;吕有明;陈凌霄;杨育佳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于电子元器件领域，提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管的形成方法，包括：形成衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层上形成栅极；以及在所述栅极的外侧包裹着应力衬垫薄膜。本发明还提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管。本发明能有效提高氮化镓异质结场效应晶体管的电学性能，即有效控制阈值电压或把阈值电压向正方向移动从而实现增强型氮化镓器件，同时降低器件的寄生电阻。
一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法

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