“佐佐木敏夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN201110091341.0有效
发明人： 佐佐木敏夫;安义彦;仓石孝;森凉 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200910222437.9有效
发明人： 佐佐木敏夫;福冈一树;森凉;安义彦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件。本发明涉及在无需大大增加低功率消耗结构中的电路布局面积的情况下执行精细低电压控制。在将一区域转变到低速模式的情况中，系统控制器分别将请求信号和使能信号输出到功率开关控制器和低功率驱动电路，以关断功率开关并且执行控制使得虚拟参考电势的电压电平变成约0.2V至约0.3V。该区域在电源电压与虚拟参考电势之间的电压下操作，从而将它控制在低速模式中。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN200810009410.7无效
发明人： 佐佐木敏夫;安义彦;仓石孝;森凉 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路-CN200580049934.3无效
发明人： 佐佐木敏夫;安义彦;森凉;石桥孝一郎;菅野雄介 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：其目的在于谋求电源切断区的合理化。设置排列多个核心单元而构成的单元区域和与各上述单元区域相对应而配置的电源开关，分别以上述核心单元为单位形成多个电源切断区，在各上述电源切断区可通过与其对应的上述电源开关来切断电源。据此，能以上述核心单元为单位详细设定电源切断区，从而实现电源切断区的合理化。通过电源切断区的合理化来降低待机时的消耗电流。
半导体集成电路

[发明专利]半导体器件-CN200710091456.3无效
发明人： 佐佐木敏夫;伊藤富士夫;铃木博通 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：借助于分隔和连接半导体芯片(22)内部各个电路区的汇流条(21d)，本发明能够为各个电路区供应电源，此外，借助于进一步形成能够连接到汇流条(21d)而不管内引线(21b)间距的最佳特性，借助于使焊点(22a)的间距小于内引线(21b)的间距，或借助于将焊点(22a)形成为锯齿排列，能够增加电源焊点(22a)的数目，或能够将常规地用于电源的引线(21a)用于信号。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03826993.7无效
发明人：铃木博通;伊藤富士夫;佐佐木敏夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，其中制备引线框架(1)并将其放置在加热平台(6)上，在该引线框架中，通过绝缘的热塑性粘合剂(1c)将内引线(1d)的端部键合到散热片(1b)，以及将半导体芯片(2)放置在散热片(1b)上，并且然后通过加热的且软化的热塑性粘合剂(1c)将该半导体芯片键合到散热片(1b)。在将内引线(1d)的端部压向加热平台(6)的同时，使半导体芯片(2)与热塑性粘合剂(1c)键合，并因此在不打乱内引线(1b)的情况下执行了芯片键合，由此提高了半导体芯片的装配性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]引线框架及其制造方法-CN03826994.5无效
发明人：伊藤富士夫;铃木博通;佐佐木敏夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种引线框架(1)，包括多个内引线(1b)；多个外引线(1c)，与内引线(1b)一体形成；方形环状条引线(1d)，布置在多个内引线(1b)内部；拐角部引线(1e)，布置在与条引线(1d)的边对应的四个内引线组中相邻内引线组的相邻端部处的内引线(1b)之间，并且与条引线(1d)相连接；以及带部件(2)，与内引线(1b)、条引线(1d)和拐角部引线(1e)的末端部分连接，由此，因为安置了拐角部引线(1e)，用于在相邻的内引线组之间加固框架体(1a)，所以能够提高该引线框架(1)的刚性。
引线框架及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN03816623.2无效
发明人： 佐佐木敏夫;伊藤富士夫;铃木博通 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：借助于分隔和连接半导体芯片(22)内部各个电路区的汇流条(21d)，本发明能够为各个电路区供应电源，此外，借助于进一步形成能够连接到汇流条(21d)而不管内引线(21b)间距的最佳特性，借助于使焊点(22a)的间距小于内引线(21b)的间距，或借助于将焊点(22a)形成为锯齿排列，能够增加电源焊点(22a)的数目，或能够将常规地用于电源的引线(21a)用于信号。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200310102961.5无效
发明人：池田裕之;佐佐木敏夫;渡边彰信;山田利夫;内田明久 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：连接到衬底偏置电路的伺服开关电路单元的栅电极的布线分别被电连接到电源电位的布线和参考电位的布线。于是使伺服开关电路单元的转换操作无效。连接到各个电路单元的n阱的布线被电连接到电源电位的布线，且连接到各个电路单元的p阱的布线被电连接到此布线。n阱于是被固定到电源电位，且p阱被固定到参考电位。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN98116144.8无效
发明人：田中利广;加藤正高;佐佐木敏夫;久米均;小谷博昭;古泽和则 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1994-06-01 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。该半导体存储器件包括设置为阵列形式的半导体存储单元阵列、与多个存储单元组共接的字线和数据线，各数据线都具有读出放大器，该存储器件还包括与各读出放大器相连接的公共数据线，所述各存储单元设置在第一读出放大器和第二读出放大器之间，且设置在第一公共数据线和第二公共数据线之间。
半导体存储器件

[发明专利]半导体非易失性存储器件-CN94106214.7无效
发明人：田中利广;加藤正高;佐佐木敏夫;久米均;小谷博昭;古泽和则 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1994-06-01 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种半导体非易失性存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。器件包括设置为阵列形式的非易失性半导体存储单元阵列、与多个存储单元组的控制栅共接的字线W1和W2及多个存储单元的漏极共接其上的数据线，各数据线都具有预充电电路、带有读出放大器和数据锁存器功能的数据保持电路和状态探测电路。再编程相对于连接到同一字线的所有存储单元(区段)同时进行。
半导体非易失性存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN94119189.3无效
发明人： 佐佐木敏夫;田中利广;野副敦史;久米均 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1994-12-22 - 公布日： 1999-09-15 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：在有用主字线和字线分级的行译码器的半导体存储装置中，不增加备用主字线数，就能提高对故障的补救线数。能用最小的冗余电路面积提高芯片的合格率。该半导体存储装置对由多个存储单元构成的正常及备用存储字块进行再分块、即使故障地址扩及到多个正常主字线，也能不增加备用主字线就能进行替换。
半导体存储装置

[发明专利]半导体集成电路器件-CN98120853.3无效
发明人： 佐佐木敏夫;田中裕二;柳泽一正;田中均;佐藤润;宫本崇;大塚真理子;中西悟;鲇川一重;渡部隆夫 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超爱尔爱斯爱系统股份有限公司
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 1999-04-21 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：与逻辑电路混合布局的RAM模块具有多个存储器堆及一个控制电路。分别相应于各个存储器堆并以串联形式电连接的算术电路。固定的地址设置信号提供给初始级算术电路的输入端。提供给下一级或次级算术电路的输入信号或从其输出的信号被定义为自－指定(own－assigned)地址信号。与上述的每一个算术电路有关的比较器比较地址信号与存储器访问时的地址信号输入。基于最终的一致信号选择相应的存储器堆。
半导体集成电路器件

[发明专利]带穿线机构的锁缝机-CN89103714.4无效
发明人：深尾博昭;大喜多辉彦;长坂信介;市原幸雄;佐佐木敏夫 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 1989-05-31 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： D05B1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种带穿线机构的锁缝机，使用既方便又有效。该机有垂直运动的缝针、与转动轴连接的圈线器支架18和在支架端部的圈线器11。圈线器在支架上方斜向延伸，并有一穿线孔11a。圈线器与针共同形成链形的9缝迹。与圈线器相邻的导线器25与圈线器一起转动，从而引导圈线LT穿过穿线孔11a，可动杆30与圈线器一起转动或相对运动。可动杆上安装的输线器39，可放置在两个位置上；第一位置在穿线孔处，第二位置在缝线引导器处。在第二位置时缝线穿过导线器。
穿线机构锁缝机

1
共 14 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top