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[发明专利]Ga2-CN202110088120.1有效
发明人： 佐佐木公平;东胁正高;黄文海 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系半导体元件，包含：高电阻β‑Ga2O3系单晶基板；以及形成在上述高电阻β‑Ga2O3系单晶基板的主面上的β‑Ga2O3系外延单晶层，上述β‑Ga2O3系外延单晶层包含：包含不到1×1015cm‑3的不希望的施主杂质和/或受主杂质的高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层；以及侧面和底面被上述高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层包围的第1n型沟道层和第2n型沟道层，上述高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层是使上述第1n型沟道层和上述第2n型沟道层电绝缘的元件分离区域。
ga base sub

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201980070324.3有效
发明人：有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管，其包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；设置在漂移层(30)上的、在俯视时包围阳极电极(40)的绝缘层(80)；和与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)，其设置在位于阳极电极(40)与绝缘层(80)之间的漂移层(30)的表面、以及绝缘层(80)上。
肖特基势垒二极管

[发明专利]二极管-CN201880051971.5有效
发明人： 佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种成本低且能够容易地制造的利用了异质pn结的Ga2O3系的二极管。作为一实施方式，提供二极管(2)，其具备：n型半导体层(21)，其包括n型Ga2O3系单晶；以及p型半导体层(22)，其包括非晶质部分的体积大于结晶质部分的体积的p型半导体，n型半导体层(21)与p型半导体层(22)形成pn结。
二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880069554.3有效
发明人：有马润;平林润;藤田实;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。
肖特基势垒二极管

[发明专利]半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法-CN202211664306.8在审
发明人：仓又朗人;渡边信也;佐佐木公平;八木邦明;八田直记;东胁正高;小西敬太 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社希克斯;国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。
半导体元件以及制造方法

[发明专利]半导体膜及其制造方法-CN202180028591.1在审
发明人：韶光秀;佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：提供一种致命缺陷少的包括β‑Ga2O3系单晶的半导体膜及其制造方法。作为一个实施方式，提供一种半导体膜(12)的制造方法，其包含：将包括β‑Ga2O3系单晶的半导体基板(10)以生长基底面(11)朝向上方的方式设置到HVPE装置(2)的反应腔(20)内的工序；以及向反应腔(20)内的设置有半导体基板(10)的空间(24)流入Ga氯化物气体、含氧气体以及含掺杂物气体，在半导体基板(10)的生长基底面(11)上使包括β‑Ga2O3系单晶的半导体膜(12)外延生长的工序，使含掺杂物气体向空间(24)的流入口的位置高于含氧气体向空间(24)的流入口的位置，并且使Ga氯化物气体向空间(24)的流入口的位置高于含掺杂物气体向空间(24)的流入口的位置。
半导体及其制造方法

[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管-CN201880013976.9有效
发明人： 佐佐木公平;东胁正高 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：作为一个实施方式，提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具有：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其是层叠于第1半导体层(10)的层，包括Ga2O3系单晶，具有在面(17)上开口的沟槽(12)；阳极电极(13)，其形成在面(17)上；阴极电极(14)，其形成在第1半导体层(10)的与第2半导体层(11)相反的一侧的面上；绝缘膜(15)，其覆盖第2半导体层(11)的沟槽(12)的内表面；以及沟槽MOS栅极(16)，其以被绝缘膜(15)覆盖的方式埋入第2半导体层(11)的沟槽(12)内，与阳极电极(13)接触，第2半导体层(11)包括：第1半导体层侧的下层(11b)；以及阳极电极(13)侧的上层(11a)，其具有比下层(11b)高的施主浓度。
沟槽 mos 型肖特基二极管

[发明专利]晶体层叠结构体-CN201910308044.3有效
发明人： 佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体层叠结构体，其包含：外延生长基板，其包含n型β‑Ga2O3系单晶，将(010)面、或者相对于上述(010)面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面；以及n型外延晶体，其形成于上述外延生长基板的上述主面上，上述n型β‑Ga2O3系单晶包含第1供体浓度，上述n型外延晶体是含镓氧化物，包含比上述第1供体浓度低的第2供体浓度。
晶体层叠结构

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880013136.2有效
发明人： 佐佐木公平;胁本大树;小石川结树;韶光秀 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种包括Ga2O3系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具有：半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；阳极电极(11)，其与半导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Fe或者Cu；以及阴极电极(12)。
肖特基势垒二极管

[发明专利]沟槽型MESFET-CN202080090078.0在审
发明人： 佐佐木公平 -专利权人：诺维晶科股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：提供一种沟槽型MESFET(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12)；绝缘体(14)，其埋入于多个沟槽(12)各自的底部；栅极电极(13)，其埋入于多个沟槽(12)各自的绝缘体(14)上，在其侧面与n型半导体层(11)接触；源极电极(16)，其连接到n型半导体层(11)的相邻的沟槽(12)之间的台面形状部(18)；绝缘体(15)，其埋入于多个沟槽(12)各自的栅极电极(13)上，将栅极电极(13)与源极电极(16)绝缘；以及漏极电极(17)，其直接或间接地连接到n型半导体层(11)的与源极电极(16)相反的一侧。
沟槽 mesfet

[发明专利]半导体装置-CN202080090359.6在审
发明人：町田信夫;佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其在引线框架安装有将Ga2O3系半导体用作基板和外延层的材料的纵型的半导体元件，能够使热从半导体装置向引线框架高效地散逸。作为一实施方式，提供一种半导体装置(1)，其具备：引线框架(20)，其在表面具有凸部(200)；以及SBD(10)，其以面朝下的方式安装在引线框架(20)上，具有：基板(11)，其包括Ga2O3系半导体；外延层(12)，其层叠于基板(11)，包括Ga2O3系半导体；阴极电极(13)，其连接到基板(11)；以及阳极电极(14)，其连接到外延层(12)并在外周部具有场板部(140)，SBD(10)固定在凸部(200)上，外延层(12)的外周部(120)位于引线框架(20)的平坦部(201)的正上方。
半导体装置

[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管-CN201780025908.X有效
发明人： 佐佐木公平;东胁正高 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供高耐压且低损耗的沟槽MOS型肖特基二极管。作为一个实施方式，提供沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具有：包括Ga2O3系单晶的第1半导体层(10)；包括Ga2O3系单晶的第2半导体层(11)，其是层叠于第1半导体层(10)的层，具有在面(17)上开口的沟槽(12)；阳极电极(13)，其形成在面(17)上；阴极电极(14)，其形成在第1半导体层(10)的与第2半导体层(11)相反的一侧的面上；绝缘膜(15)，其覆盖第2半导体层(11)的沟槽(12)的内表面；以及沟槽MOS栅极(16)，其埋入于第2半导体层(11)的沟槽(12)内从而被绝缘膜(15)覆盖，与阳极电极(13)接触。
沟槽 mos 型肖特基二极管

[发明专利]β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体-CN202111128251.4在审
发明人：后藤健;佐佐木公平;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 -专利权人：株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含如下工序：将Ga2O3系基板(10)暴露于包括氯化镓系气体和含氧气体的混合气体；以及在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上使β‑Ga2O3系单晶膜(12)以900℃以上的生长温度外延生长，其中，上述氯化镓系气体和上述含氧气体由从包括N2、Ar和He的组中选择的惰性气体来载带。
ga2o3 系单晶膜生长方法晶体层叠结构

[发明专利]β-Ga2-CN201480053760.7有效
发明人：后藤健;佐佐木公平;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 -专利权人：株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，其是利用HVPE法的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。
ga base sub

[发明专利]Ga2-CN201810990934.2有效
发明人： 佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系单晶基板，该Ga2O3系单晶基板包括对含有5×1017cm‑3以下的作为施主杂质的Si的Ga2O3系单晶掺杂了规定量的作为受主杂质的Fe而成的掺杂Fe的Ga2O3系单晶，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度比上述Si的浓度高，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度为5×1017cm‑3～1.5×1019cm‑3。
ga base sub

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