“伊藤宪和”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]测量热辅助光诱导衰减的方法以及预测太阳能电池的输出衰减率的方法-CN202280015837.6在审
发明人：伊野裕司;白泽胜彦;高远秀尚;平藤骏介;新乐浩一郎;伊藤宪和 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。
测量辅助光诱导衰减方法以及预测太阳能电池输出

[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法-CN201880026320.0有效
发明人： 伊藤宪和;福地健次 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池元件具备半导体基板(1)和覆盖部(Pc1)。半导体基板(1)具有第1半导体区域(3)和第2半导体区域(2)。第1半导体区域(3)是存在于半导体基板(1)的第1面侧的第1导电型的半导体区域。第2半导体区域(2)是位于与半导体基板(1)的第1面相反侧的第2面侧且与第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。覆盖部(Pc1)位于半导体基板(1)的第1面侧。覆盖部(Pc1)具有在包含钝化层(9)和反射防止层(5)的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分(Ps1)。在层叠部分(Ps1)，钝化层(9)具有处于随着从第1面的外周部(1op)侧接近于中央部(1cp)侧而厚度减少的状态的区域。
太阳能电池元件以及制造方法

[发明专利]太阳能电池及使用该太阳能电池的太阳能电池模块-CN201580015987.7有效
发明人：有马隆裕;伊藤宪和;本间武道 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池(16)具备：具有主面的半导体基板(2)；具有表面以及侧面且在所述半导体基板(2)的主面上在一个方向上并排配置的多个第一电极(7)；位于所述第一电极间的间隙且配置在半导体基板(2)的主面上的钝化层(6)；配置在多个第一电极(7)的表面上的导电性粘接剂；和以横跨钝化层(6)的方式经由导电性粘接剂与相邻的第一电极(7)连接的引线构件(15)。太阳能电池(16)具备抵接构件(12)，该抵接构件(12)位于间隙(11)且在一个方向上与钝化层(6)并排地配置在半导体基板(2)的主面上，或者配置钝化层(6)的表面上，且从下方与引线构件(15)的一部分相抵接。
太阳能电池使用模块

[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池模块-CN201580021586.2有效
发明人： 伊藤宪和;村尾彰了;楠原贤治 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。
太阳能电池元件及其制造方法以及模块

[发明专利]太阳能电池元件及太阳能电池模块-CN201280014467.0有效
发明人： 伊藤宪和;村尾彰了;小野寺诚;井藤刚;稻叶真一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。
太阳能电池元件模块

[实用新型]太阳能电池元件-CN201320092632.6有效
发明人：梅田耕太郎;伊藤宪和;水元章裕 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高精度形成电极的太阳能电池元件。太阳能电池元件具有：半导体基板，其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及该掺杂浓度比第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域；防反射膜，其配置于一主面的第一浓度区域上；电极，其配置于一主面的第二浓度区域上。并且，在该太阳能电池元件中，在半导体基板的表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部，该两处以上的定位基准部的一主面的第一表面粗糙度比定位基准部以外的一主面的第二表面粗糙度大。
太阳能电池元件

[发明专利]光电转换模块及其制造方法、以及发电装置-CN201080054175.0无效
发明人：新乐浩一郎;伊藤宪和;奥井宏树;稻叶真一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池模块，其具备：具有光入射的第一面(61a)及位于第一面(61a)的相反侧的第二面(61b)的基板(61)；被设置于基板(61)的第二面(61b)上的光电转换元件；被设置于该光电转换元件上的透光件(66)；以及被设置于透光件(66)上的反射件(67)，其使透过了透光件(66)的光反射，反射件(67)具备倾斜的光反射面(67a)，其将由该反射件(67)反射的光在基板(61)的第一面(61a)进行全反射。
光电转换模块及其制造方法以及发电装置

[发明专利]沉积膜形成装置-CN201080051961.5无效
发明人： 伊藤宪和;新乐浩一郎;稻叶真一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有：加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入路径，其将第二原料气体导入至第二供给路径；第二供给路径具有：干流部，其从第二导入路径导入第二原料气体，且在该干流部上未设有第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入第二原料气体，且在这些支流部上设有第二供给部；用于连接第二导入路径和干流部的连接部，位于相邻的电极板的相邻部位。
沉积形成装置

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN201210025140.5无效
发明人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅膜的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅膜的方法中，其特征在于在真空室内，将一端和高频率电源连接、另一端和和地面连接的多个天线排列在一个平面内，制成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法-CN201080039718.1无效
发明人： 伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史;新乐浩一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-09-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：为了在不产生膜品质的面内不均匀的前提下形成高品质膜，本发明的一个方式的沉积膜形成装置具有：腔室；第一电极，其位于该腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，与所述第一电极隔开规定间隔，而且具有用于供给原料气体的多个供给部；导入路径，其与所述供给部相连接，且用于导入原料气体；加热单元，其设在该导入路径内；冷却机构，其用于冷却所述第二电极。
沉积形成装置方法

[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法-CN201080029564.8无效
发明人： 伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C16/507 文献下载
摘要：本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别连接有多个所述第二供给部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。
沉积形成装置方法

[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法-CN200980128302.4无效
发明人：新乐浩一郎;伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
沉积形成装置方法

[发明专利]太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件-CN200980104057.3无效
发明人：新乐浩一;西村刚太;伊藤宪和;稻叶真一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。
太阳能电池元件制造方法

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN200780011653.8无效
发明人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅的方法中，其特征在于在真空室内，将两端部分别与高频率电源和地面连接的多个天线排列在一个平面内，构成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统-CN200380106602.5有效
发明人： 伊藤宪和;高木朋子;上田仁 -专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体CVD，即化学气相生长法在配置于成膜室(15)内的衬底(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6)，成膜室(15)设置有分别配置了等离子体生成用的电极(40)的多个薄膜形成区(17u、17v、17w)，设有向该电极(40)供给电力的电力供给系统(36)、和有选择地将电力连接在各薄膜形成区(17u、17v、17w)的各个电极(40)上的切换装置(34)。通过这样的结构来提供合适的电力供给系统、气体供给系统和排气系统，同时，提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统，通过调整薄膜形成装置的工作状态，从而可以降低薄膜形成装置和薄膜形成系统的成本，而不降低积层膜形成工序的生产效率，并可以简化电力供给系统并节省设置面积的空间。
薄膜形成装置方法系统

1
2
下一页»
尾页
共 16 条