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[发明专利]压缩装置及制冷装置-CN202280008497.4在审
发明人： 上田仁;梶原干央;西出洋平;富冈直人;大西洋辅;冈本大辅 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： F04C29/02 文献下载
摘要：压缩装置(2)包括第一压缩机(10)及第二压缩机(20)，这些压缩机分别具有机壳(11、21)、压缩机构(14、24)以及电动机(12、22)。第二压缩机(20)对从第一压缩机(10)喷出来的制冷剂进行压缩。在第一压缩机(10)及第二压缩机(20)的电动机(12、22)中分别形成有气体通路(P1、P2)，这些气体通路从轴向一端一直延伸到轴向另一端，从压缩机构(14、24)喷出来的制冷剂分别通过这些气体通路，第二压缩机(20)的气体通路(P2)的截面积大于第一压缩机(10)的气体通路(P1)的截面积。
压缩装置制冷

[发明专利]压缩机-CN202180045786.7在审
发明人：大西洋辅;梶原干央;西出洋平;富冈直人;足立将彬;冈本大辅;上田仁 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： F04C29/02 文献下载
摘要：在压缩机(1)的定子(21)的外周面与躯干部(11)的内周面之间形成有流体通路(24)，流体通路(24)从定子(21)的一端一直形成到另一端，并且供从压缩机构(30)喷出来的流体流动，流体通路(24)具有沿定子(21)的周向排列的多个宽幅部(25)、以及形成在相邻的宽幅部(25)之间且在定子(21)的径向上的宽度比宽幅部(25)窄的狭窄部(26)。
压缩机

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN201210025140.5无效
发明人： 上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅膜的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅膜的方法中，其特征在于在真空室内，将一端和高频率电源连接、另一端和和地面连接的多个天线排列在一个平面内，制成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]薄膜太阳能电池模块及其制造方法-CN200980116307.5有效
发明人：内田宽人;田口游子;上田仁;高山道宽 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池模块及其制造方法。采用该制造方法制成的薄膜太阳能电池模块不仅能提高外接端子的连接可靠性，还能降低其连接阻抗。本发明所述的薄膜太阳能电池模块(1)具有：透明基板(10)、太阳能电池单元(51)、外接端子(52)。其中，透明基板具有绝缘性。太阳能电池单元包括透明电极层(11)、半导体层(13)和第2电极层(12)。外接端子包括由形成在透明电极层表面上的单一金属材料层构成的连接层(18)和重叠在该连接层上的端子层(19)，外接端子以邻接太阳能电池单元的方式设置。与连接层包含半导体材料的结构相比，上述结构既能提高透明电极层和端子层之间的密合性，又能降低它们之间的接触阻抗。
薄膜太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块-CN200980116223.1有效
发明人：内田宽人;田口游子;上田仁;高山道宽 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块，采用该制造方法可确保薄膜太阳能电池模块的绝缘耐压特性具有较高的可靠性。本发明所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法包括：在有绝缘性的透明基板(10)上形成第1电极层(11)的步骤；形成第1隔离槽(21X、21Y)的步骤，由其隔开透明基板的周边区域(30X、30Y)和位于该周边区域内侧的发电区域(50)，其形成深度达到透明基板的表面；在透明基板上形成半导体层(13)的步骤；在透明基板上形成第2电极层(12)的步骤；形成第2隔离槽(22a、22X、22Y)的步骤，其比第1隔离槽还靠近周边区域，其形成深度达到透明基板的表面；对周边区域进行喷砂处理以去除周边区域上的第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤。
薄膜太阳能电池模块制造方法

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN200780011653.8无效
发明人： 上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅的方法中，其特征在于在真空室内，将两端部分别与高频率电源和地面连接的多个天线排列在一个平面内，构成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统-CN200380106602.5有效
发明人：伊藤宪和;高木朋子;上田仁 -专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体CVD，即化学气相生长法在配置于成膜室(15)内的衬底(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6)，成膜室(15)设置有分别配置了等离子体生成用的电极(40)的多个薄膜形成区(17u、17v、17w)，设有向该电极(40)供给电力的电力供给系统(36)、和有选择地将电力连接在各薄膜形成区(17u、17v、17w)的各个电极(40)上的切换装置(34)。通过这样的结构来提供合适的电力供给系统、气体供给系统和排气系统，同时，提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统，通过调整薄膜形成装置的工作状态，从而可以降低薄膜形成装置和薄膜形成系统的成本，而不降低积层膜形成工序的生产效率，并可以简化电力供给系统并节省设置面积的空间。
薄膜形成装置方法系统

[发明专利]薄膜形成方法及其装置-CN200380100884.8有效
发明人： 上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2003-10-03 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体，进行成膜。
薄膜形成方法及其装置

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