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[发明专利]助焊剂及焊膏-CN202180021019.2在审
发明人： 高木朋子;佐佐木智挥 -专利权人：千住金属工业株式会社
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B23K35/363 文献下载
摘要：本发明采用一种焊膏，其含有焊料合金粉末和助焊剂，相对于所述焊料合金粉末的总质量，所述焊料合金粉末中粒径为8μm以下的焊料合金颗粒的含量为99质量％以上。该助焊剂含有酸改性松香、溶剂、活性剂和触变剂，所述活性剂含有卤代脂肪族化合物和下述通式(2)所示的二羧酸，通式(2)中，R表示碳原子数1～7的亚烷基或单键，其中，构成亚烷基的亚甲基也可以被氧原子取代。
焊剂

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN201210025140.5无效
发明人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅膜的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅膜的方法中，其特征在于在真空室内，将一端和高频率电源连接、另一端和和地面连接的多个天线排列在一个平面内，制成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]微晶硅膜形成方法以及太阳电池-CN200780011653.8无效
发明人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅的方法中，其特征在于在真空室内，将两端部分别与高频率电源和地面连接的多个天线排列在一个平面内，构成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池

[发明专利]薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统-CN200380106602.5有效
发明人：伊藤宪和;高木朋子;上田仁 -专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体CVD，即化学气相生长法在配置于成膜室(15)内的衬底(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6)，成膜室(15)设置有分别配置了等离子体生成用的电极(40)的多个薄膜形成区(17u、17v、17w)，设有向该电极(40)供给电力的电力供给系统(36)、和有选择地将电力连接在各薄膜形成区(17u、17v、17w)的各个电极(40)上的切换装置(34)。通过这样的结构来提供合适的电力供给系统、气体供给系统和排气系统，同时，提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统，通过调整薄膜形成装置的工作状态，从而可以降低薄膜形成装置和薄膜形成系统的成本，而不降低积层膜形成工序的生产效率，并可以简化电力供给系统并节省设置面积的空间。
薄膜形成装置方法系统

[发明专利]薄膜形成方法及其装置-CN200380100884.8有效
发明人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和 -专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2003-10-03 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体，进行成膜。
薄膜形成方法及其装置