专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种特征电流信号检测电路-CN202210559636.4有效
  • 陈又丰;李苏华;王海萍;付凤凤;张建兴;孙金良 - 江苏米特物联网科技有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-09-27 - G01R19/00
  • 本发明公开了一种特征电流信号检测电路,其中,包括:高通滤波器,滤除工作频率信号外的噪声;信号放大回路,同时对工作频率信号及邻频噪声进行放大,但对工作频率信号的增益大于对邻频噪声的增益;噪声放大回路,同时对邻频噪声及工作频率信号进行放大,但对邻频噪声的增益大于对工作频率信号的增益;差分放大器,将噪声作为负反馈,利用经噪声放大回路增益的邻频噪声消除信号放大回路里的噪声,本发明实现了在大电流噪声的电力线上的电流信号的有效检测,能在大电流噪声环境下,利用噪声固有的频率特征与信号电流频率的特征规律,通过对邻频噪声差分抑制,大幅度降低了邻频噪声对信号的干扰。
  • 一种特征电流信号检测电路
  • [发明专利]一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法-CN201510628815.9在审
  • 贾小氢;付凤凤;康琳;吴培亨 - 南京大学
  • 2015-09-28 - 2015-12-16 - C23C14/35
  • 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
  • 一种利用磁控共溅射法制超薄薄膜方法

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