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[发明专利]半导体装置-CN201510507640.6有效
发明人：山崎舜平;小山润;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410074885.X有效
发明人：山崎舜平;小山润;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体装置，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201510157961.8有效
发明人：山崎舜平;今井馨太郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：半导体器件包括具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10‑13A。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201080049798.9有效
发明人：山崎舜平;今井馨太郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201080047028.0有效
发明人：山崎舜平;小山润;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
半导体器件

[发明专利]显示器件及电子设备-CN200810168724.1有效
发明人：小山润;今井馨太郎;前川慎志;古野诚;中村理;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-07-19 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
显示器件电子设备

[发明专利]显示设备以及制造该显示设备的方法-CN200480032038.1有效
发明人： 今井馨太郎;安西彩;渡边康子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种防止水和/或氧从外部侵入以及防止由于这些侵入物质而导致发光元件退化的显示设备，以及提供一种包括生产这种显示设备的简单制造步骤的制造方法。本发明提供一种显示设备，该显示设备具有在暴露的层间绝缘体边缘处的密封材料，该密封材料用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。进一步地，本发明提供一种显示设备，其具有在暴露的层间绝缘体上的隔层体，该隔层体用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。此外，在用于生产显示设备的生产步骤中应用液滴排出技术能够免除光刻步骤，如曝光和显影。这样，提供一种生产具有改进产量的显示设备的方法。
显示设备以及制造方法

[发明专利]液晶显示设备及其制造方法,以及液晶电视接收机-CN200480031814.6有效
发明人：山崎舜平;前川慎志;古野诚;中村理;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：采用能够选择性地形成图案的方法，形成构成引线或电极的导电层、以及诸如用于形成预定图案的掩膜等制造显示面板所需的图案中的至少一个或多个，以制造液晶显示设备。能够通过依照具体的对象选择性地排放合成物的微滴来形成预定图案的微滴排放法在形成导电层、绝缘层等时用作能够选择性地形成图案的方法。
液晶显示设备及其制造方法以及液晶电视接收机

[发明专利]显示器件及其制造方法,以及电视接收机-CN200480031537.9有效
发明人：山崎舜平;前川慎志;古野诚;中村理;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。
显示器件及其制造方法以及电视接收机

[发明专利]使用带电粒子束的液滴吐出装置及使用该装置的图案制作方法-CN200480017043.5有效
发明人： 今井馨太郎;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明能够使由液滴吐出法吐出的液滴的命中精度大幅度提高，在基板上直接形成微细且高精度的图案，以提供可应对基板的大型化的布线、导电层及显示装置的制作方法作为课题，并且，以提供使生产能力和材料的利用率提高的布线、导电层及显示装置的制作方法为课题。本发明的特征在于：主要在具有绝缘表面的基板上用液滴吐出法将抗蚀剂材料或布线材料直接进行图案形成时，可以使液滴命中精度大幅度提高。具体而言，就是在即将用液滴吐出法吐出液滴之前，按照所要的图案，在基板表面上的液滴命中位置扫描带电粒子束，之后，立即使带有与该带电粒子束相反符号的电荷的液滴吐出，使液滴命中位置的控制性能格外提高。
使用带电粒子束吐出装置图案制作方法

[发明专利]半导体器件-CN200510007878.9有效
发明人：小山润;今井馨太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-02-06 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：一种被用作ID芯片并且只能重写数据一次的半导体器件。以及，用作在非制作芯片时可以被写入数据的ID芯片的半导体器件。本发明包括位于绝缘衬底上的调制电路、解调电路、逻辑电路、存储电路以及天线电路。调制电路和解调电路电连接到天线电路，解调电路连接到逻辑电路，存储电路存储逻辑电路的输出信号，并且存储电路是使用熔丝元件的熔丝存储电路。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200410036653.1无效
发明人：糸川宽志;山川晃司;今井馨太郎;名取克晃;文范基 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO₃所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200410069690.2有效
发明人：山崎舜平;今井馨太郎;前川慎志;古野诚;中村理 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-07-19 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。
制造半导体器件方法

[发明专利]显示器-CN200410071231.8有效
发明人：小山润;今井馨太郎;前川慎志;古野诚;中村理;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。
显示器

[发明专利]显示器件及电子设备-CN200410069693.6有效
发明人：小山润;今井馨太郎;前川慎志;古野诚;中村理;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-07-19 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
显示器件电子设备

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