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[发明专利]一种高性能氧化铪基铁电电容器及其制备方法-CN202310807939.8在审
发明人： 乌李瑛;程秀兰;付学成;刘丹;张文昊 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能氧化铪基铁电电容器及其制备方法，涉及电容器加工技术领域。本发明高性能氧化铪基铁电电容器从上到下依次为TiN顶电极层、Al2O3薄膜层，HZO层、TiON层、TiN底电极层、硅晶圆基片。本发明的氧化铪基铁电电容器具有优异的铁电性、介电性和耐久性。
一种性能氧化铪基铁电电容器及其制备方法

[发明专利]聚焦离子束悬浮微结构加工方法、其系统及悬浮微结构-CN202310672571.9在审
发明人：王英;杨明来;付学成;乌李瑛;陈舒静;付刘成 -专利权人：上海交大平湖智能光电研究院;上海交通大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚焦离子束悬浮微结构加工方法、其系统及悬浮微结构，包括如下步骤：步骤S1：在衬底的表面上设置有牺牲层；在牺牲层上沉积薄膜材料；步骤S2：将沉积薄膜材料后的衬底放入聚焦离子束设备腔室中，选取所设计图形的中间部分，采用聚焦离子束在薄膜材料表面进行图形结构加工，且刻蚀深度不小于薄膜厚度；步骤S3：在聚焦离子束设备腔室中通过气体系统通入预设气体，在图形结构表面进行牺牲层刻蚀，控制通气时间结合离子束刻蚀，获得悬浮结构；步骤S4：在悬浮结构表面加工剩余图形至所需位置，获得悬空边缘结构和悬浮微结构。本发明采用聚焦离子束两次刻蚀的方法进行悬浮微结构加工，解决了现有技术中悬浮边缘难以控制及边缘结构不易加工的技术难题。
聚焦离子束悬浮微结构加工方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811509633.X有效
发明人：常荣耀;纪世良;乌李瑛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括相邻的第一区和第二区，第二区与第一区相互分立；分别在基底第一区和第二区表面形成伪栅结构；在所述基底表面形成介质层，介质层顶部低于伪栅结构顶部，介质层覆盖伪栅结构部分侧壁；在介质层表面形成第一保护层和第二保护层，第一保护层与第二保护层材料不同，第二保护层与伪栅结构顶部材料不同；去除伪栅结构，在介质层、第一保护层和第二保护层内形成初始伪栅开口；在初始伪栅开口内和第二保护层表面形成栅结构膜，栅结构膜充满初始伪栅开口；平坦化栅结构膜，直至暴露出第一保护层，在介质层和第一保护层内形成伪栅开口和位于伪栅开口内的栅极结构。所形成的器件性能好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统-CN202210488488.1有效
发明人：瞿敏妮;程秀兰;乌李瑛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
提高 fib 刻蚀光栅结构侧壁垂直方法系统

[发明专利]电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法-CN202211239950.0在审
发明人：付学成;程秀兰;王英;乌李瑛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
电子束镀铝坩埚及其使用方法

[发明专利]一种耐腐蚀导电材料及其制备方法-CN202210928478.5在审
发明人：付学成;程秀兰;王英;乌李瑛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐腐蚀导电材料及其制备方法。耐腐蚀导电材料是以SiO2和铂或金为主要成分的一种新型材料。该材料利用氨水、醋酸作为催化剂，正硅酸已酯(TEOS)为SiO2源，甘油作为防裂剂，铂或金粉作为导体材料。利用氨水的催化使得硅‑羟基化合物的溶解度增大，再利用醋酸的二步催化使硅－羟基化合物聚合成胶粒。往配制好的胶体里加入甘油作为防裂剂，添加适量的微米级粒度的铂或金粉，搅拌混合均匀。将制备好的胶体旋涂在硅片等不同的衬底上，利用快速退火炉进行热处理，可制备出一种新型耐腐蚀导电材料。本发明方法简单，具有非常好的可塑形性，具有耐氧化，耐强酸、盐水的腐蚀性能，在海水中长时间工作，电阻不变，电阻率可调节的范围非常大。
一种腐蚀导电材料及其制备方法

[发明专利]基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜-CN202210994615.5在审
发明人：刘丹;程秀兰;乌李瑛;刘民;张笛;瞿敏妮;权雪玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
基于循环刻蚀工艺石英透镜制备方法

[发明专利]一种用椭圆偏振光谱仪无损检测金属衬底氧化变性的方法-CN202110552737.4有效
发明人：瞿敏妮;程秀兰;乌李瑛;权雪玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种用椭圆偏振光谱仪无损检测金属衬底氧化变性的方法，所述方法使用“金属衬底‑目标氧化物”光谱作为目标光谱，使用“金属衬底‑金属氧化界面‑目标氧化物”光谱作为参考光谱，通过拟合及对比能够快速判断出金属氧化界面的存在，并进一步分析其成分及厚度等信息，与此同时获得目标氧化物的厚度及光学常数。本方法测量精度高、对样品无损伤、对薄膜材料具有普适性。
一种椭圆偏振光谱仪无损检测金属衬底氧化变性方法

[发明专利]一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法-CN202010393189.0有效
发明人：付学成;程秀兰;王英;乌李瑛;权雪玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，MgV2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。
一种常温 ntc 热敏电阻薄膜及其制备方法

[发明专利]一种在金属铜上形成保护层的方法-CN202110090264.0在审
发明人： 乌李瑛;瞿敏妮;马玲;程秀兰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种在金属铜上形成保护层的制备方法。所述方法利用热法原子层沉积系统，在较低温度下在半导体基底的铜金属表面制备金属氧化物介质层，从而形成金属铜的保护层。所述金属氧化物介质层包括氧化铝、氧化铪、氧化钛等。本发明可以在器件加工过程中有效的保护金属铜表面，并防止铜的继续氧化，提高器件性能。
一种金属形成保护层方法

[发明专利]提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备-CN202011156256.3在审
发明人： 乌李瑛;程秀兰;瞿敏妮;付学成;马玲;权雪玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理，然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪，可以提高高介电绝缘介质层和锗衬底之间的层间界面的质量、抑制锗向高介电绝缘介质层的扩散，并对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。本发明能够更有效地降低锗MOS器件的漏电流，增加累积电容，改善锗MOS器件的性能，同时，原位NH3/N2混合等离子体处理可以在原子层沉积HfO2薄膜前直接利用原子层沉积设备的等离子体同步原位处理锗衬底，提高了生产效率，使其在工业领域更具有潜在优势。
提高 ge mos 电容器件性能方法系统设备

[发明专利]一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法-CN202010431522.2在审
发明人： 乌李瑛;程秀兰;付学成;马玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。本发明通过在原子层沉积的反应过程中，在反应腔体里引入氟基等离子体来实现。氟基等离子体可以用以修补高介电栅介质的氧缺陷从而有效的减少界面态及减少漏电流，提高栅介质的介电常数。
一种提高原子沉积介质薄膜介电常数方法

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