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[发明专利]激光元件-CN202111357771.2在审
发明人：野口哲宽;谷善彦;中津弘志 -专利权人：夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：激光元件(10)具备依次层叠的n型半导体层(13)、发光层(14)及p型半导体层(15)。p型半导体层(15)包括在包含主面(P1)的层设置有接触层(1522)的脊(152)。在侧面(P2)与主面(P1)的边界设有使接触层(1522)凹陷的台阶(1523)。
激光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201380031117.X有效
发明人： 中津弘志;井上知也;野中健太朗;浅井俊晶;竹冈忠士;谷善彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)具备基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]制造氮化物基半导体器件的方法-CN201010243743.3无效
发明人：笔田麻佑子;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
制造氮化物半导体器件方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置的制造方法-CN200810125316.8有效
发明人：小河淳;驹田聪;高冈宏树;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。
氮化物半导体发光装置制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN200810004903.1有效
发明人：小河淳;相生明雄;驹田聪;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件-CN200610074666.7无效
发明人：笔田麻佑子;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长In_xAl_yGa_1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
制造氮化物半导体器件方法如此发光器件

[发明专利]半导体发光元件、其制造方法以及半导体装置-CN200410010488.2有效
发明人：大山尚一;村上哲朗;仓桥孝尚;山本修;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。
半导体发光元件制造方法以及装置

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN200410090081.5有效
发明人：仓桥孝尚;村上哲朗;大山尚一;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(Al_yGa_1－y)_zIn_1－zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体激光器件-CN200410086916.X无效
发明人：滨冈治;中津弘志;市川英树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。
半导体激光器

[发明专利]半导体发光元件-CN200410003659.9无效
发明人：太田清久;中津弘志;佐佐木和明;中村淳一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-02-05 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。
半导体发光元件

[发明专利]发光二极管-CN200310123390.3有效
发明人：村上哲朗;中津弘志;仓桥孝尚;大山尚一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有至少AlGaInP发光层和透明电极的一种发光二极管，其中该透明电极由第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成。
发光二极管

[发明专利]光传输和接收组件-CN00102119.2无效
发明人：石原武尚;幸秀树;名仓和人;寺岛健太郎;中津弘志 -专利权人：夏普公司
申请日： 2000-01-12 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一个光传输和接收组件包括一个光源；一个光接收元件；和一个分光元件；该分光元件用于使来自光源的信号光入射到光纤、并使从所述光纤输出的信号光入射到所述的光接收元件。该分光元件包括一个棱镜矩阵，该棱镜矩阵具有多个以基本相同的间距平行设置的三角形棱镜、所述棱镜位于垂直于光源和光接收元件的光轴的平面内，并基本上垂直于连接光源和光接收元件的假想线延伸。
传输接收组件

[发明专利]半导体发光二极管-CN99118000.3无效
发明人： 中津弘志;山本修 -专利权人：夏普公司
申请日： 1999-08-20 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：半导体基底；分层结构，该分层结构由AlGaInP型化合物半导体材料制成并设在该半导体基底上。分层结构包括：发光结构，包含一对覆层和该两覆层之间的发光的活性层；与该发光结构晶格失配的电流扩散层，由下式确定的电流扩散层相对于该发光结构晶格失配度Δa/a为1％或更小：Δa/a＝(a_d-a_e)/a_e，a_d是电流扩散层晶格常数，a_e是发光结构晶格常数。它具有高亮度低阻抗，对于发光结构的发光波长透明，在高温高湿条件下发光特性不变差。
半导体发光二极管

[发明专利]半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法-CN200310101530.7无效
发明人：仓桥孝尚;中津弘志;村上哲朗;大山尚一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
半导体发光器件以及制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN03160266.5无效
发明人：仓桥孝尚;村上哲朗;大山尚一;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al_0.5Ga_0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al_0.2Ga_0.8)_0.5In_0.5P或Al_0.5In_0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×10³Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
半导体发光器件

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