专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子器件-CN202011202887.4有效
  • 佃龙明;中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-11-30 - 2023-08-08 - H05K1/02
  • 一实施方式的电子器件具有布线基板,上述布线基板具有连接有第一外部端子的第一布线、及连接有第二外部端子且沿着上述第一布线延伸的第二布线。另外,上述电子器件具有搭载于上述布线基板且与上述第一布线及上述第二布线分别电连接的半导体器件。另外,上述电子器件具有搭载于上述布线基板且经由上述第一布线及上述第二布线的各布线而与上述半导体器件电连接的电容器。另外,上述半导体器件与上述电容器的距离比上述第一外部端子及上述第二外部端子各自与上述电容器的距离短。
  • 电子器件
  • [发明专利]半导体装置-CN201610773399.6有效
  • 高田圭太;小池信也;中原明宏;田中诚 - 瑞萨电子株式会社
  • 2016-08-30 - 2021-11-05 - H01L27/088
  • 一种半导体装置,用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET,由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘,开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1),在俯视视角下,狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201710362880.0在审
  • 中原明宏;田中诚 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-05-22 - 2017-12-01 - H03K17/082
  • 本发明涉及半导体装置。根据现有技术的半导体装置具有如下问题钳位输出电压的钳位电压不能根据电源电压自适应地变化,因此不可能将半导体芯片的发热降低到足够低的水平。根据一个实施例的所述半导体装置包括用于控制输出晶体管(13)的导通和截止的驱动电路(10)以及当输出电压Vout达到钳位电压时控制所述输出晶体管(13)的导通状态的过压保护电路(12),并且所述过压保护电路(12)具有将钳位电压设定为与电源电压VDD成比例地变化的电路结构。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置以及包含该半导体装置的车载电子装置和汽车-CN201510624073.2在审
  • 上村圣;中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-09-25 - 2016-04-13 - H05B37/02
  • 本发明涉及半导体装置以及包含该半导体装置的车载电子装置和汽车。一种负载驱动装置,其包括:温度检测器,当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差大于基准温差时,其将温差检测信号设置为激活,当输出晶体管的温度高于基准温度时,其将超温检测信号设置为激活;限流器,当任何一个检测信号变为激活时,其限制输出晶体管的GS电流;以及所述输出晶体管,当任何一个检测信号变为激活时,其不管外部输入信号如何而断开。当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差等于或小于基准温差时,温度检测器将温差检测信号设置为非激活,当输出晶体管温度等于或小于基准温度时,温度检测器将超温检测信号设置为非激活。
  • 半导体装置以及包含车载电子汽车
  • [发明专利]限流电路-CN201110037002.4有效
  • 中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2011-02-10 - 2011-09-21 - H02H9/02
  • 本发明涉及限流电路。该限流电路包括:输出晶体管,该输出晶体管控制从电源流到负载的电流;电流感测晶体管,取决于流经输出晶体管的电流的电流从其流经;感测电阻器,该感测电阻器与电流感测晶体管串联地连接;电势差检测单元,该电势差检测单元检测在感测电阻器的两端之间生成的电势差;恒定电流生成单元,该恒定电流生成单元将恒定电流提供到电势差检测单元;以及控制单元,该控制单元基于由电势差和恒定电流而生成的控制电压来控制输出晶体管的导电状态,其中感测电阻器被布置为围绕电势差检测单元。
  • 限流电路
  • [发明专利]电力供给控制装置-CN201010537169.2有效
  • 中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-11-05 - 2011-05-25 - H03K17/08
  • 本发明提供一种电力供给控制装置。电力供给控制装置包括:输出晶体管,该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间,输出端子被构造为与负载相耦合;保护晶体管,该保护晶体管被耦合在输出晶体管的栅极和第二电源线之间;负电压控制单元,该负电压控制单元被耦合在第一电源线和输出晶体管的栅极之间;补偿晶体管,当来自于负载的反电动势电压被施加给输出端子时该补偿晶体管使第二电源线和输出端子进入导通状态;以及背栅控制电路,在当电源的极性正常时的待机状态中,该背栅控制电路控制补偿晶体管和保护晶体管中的每一个的背栅和第二电源线以使其进入导通状态。
  • 电力供给控制装置
  • [发明专利]负载驱动装置-CN201010537135.3有效
  • 中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-11-05 - 2011-05-11 - H03K17/08
  • 本发明提供一种负载驱动装置。根据本发明的示例性方面的负载驱动装置包括:输出晶体管,该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间,该输出端子被构造为与负载相耦合;保护晶体管,该保护晶体管被提供在输出晶体管的栅极和第二电源线之间,并且当被耦合在第一电源线和第二电源线之间的电源的极性被倒置时使输出晶体管进入导通状态;以及背栅控制电路,当电源的极性正常时,在待机模式下,该背栅控制电路控制第二电源线和保护晶体管的背栅进入导通状态。
  • 负载驱动装置
  • [发明专利]负载驱动装置-CN201010537152.7有效
  • 中原明宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-11-05 - 2011-05-11 - H03K17/08
  • 本发明涉及一种负载驱动装置。根据本发明的示例性方面的负载驱动装置包括:输出晶体管,该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间,该输出端子被构造为与负载相耦合;驱动器电路,该驱动器电路控制输出晶体管的导通/非导通;补偿晶体管,该补偿晶体管被耦合在输出端子和第二电源线之间,并且当驱动器电路使输出晶体管非导通时以及当第二电源线的电势达到预定值或者更大时变成导通,以保持输出晶体管的非导通状态;以及第一电阻器,该第一电阻器被耦合在第二电源线和补偿晶体管的背栅之间。
  • 负载驱动装置
  • [发明专利]输出电路-CN200410085979.3无效
  • 中原明宏;相马治 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2004-10-25 - 2005-04-27 - H03K19/0185
  • 一种输出电路包括:由N沟道MOS晶体管组成的源极跟随器、电压检测器、第一放电电路和第二放电电路。源极跟随器的漏极连接到电源并且源极连接到输出端,并且当根据输入的导通信号对栅极充电时,该源极跟随器通过输出端将输出电压施加于负载;电压检测器确定输出电压是处在与电源的电压电平基本相同的第一电压电平还是处于比第一电压电平低的第二电压电平;当输出电压处于第一电压电平时,第一放电电路根据输入的断开信号对源极跟随器的栅极进行放电,并且当输出电压从第一电压电平降低到第二电压电平时,停止对源极跟随器的栅极放电;当输出电压从第一电压电平降低到第二电压电平时,第二放电电路根据断开信号比第一放电电路更加逐渐地对源极跟随器的栅极进行放电。
  • 输出电路
  • [发明专利]输出MOS晶体管的过电压保护电路-CN200410083206.1有效
  • 中原明宏 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2004-09-29 - 2005-04-06 - H03K17/08
  • 过电压保护电路用于输出MOS晶体管和负载串联在第一电源和第二电源之间的电路。过电压保护电路包含控制信号电路、动态箝位电路、控制开关和电涌检测电路。控制信号电路连接在所述输出MOS晶体管的栅极和所述负载之间,而动态箝位电路连接所述输出MOS晶体管的所述栅极。控制开关连接在所述第一电源和所述动态箝位电路以及电涌检测电路之间,该电涌检测电路监视所述第一电源的电压并在所述第一电源的电压升高到比预定电压高的电压时断开所述控制开关。
  • 输出mos晶体管过电压保护电路

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