专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于IGBT模块的固定工装及IGBT模块组装工艺-CN202310903954.2在审
  • 严大生;许昭雄;陈健洺;张誉骏;付小雷 - 海南航芯高科技产业集团有限责任公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-20 - B23K3/08
  • 本发明提供一种用于IGBT模块的固定工装及IGBT模块组装工艺,IGBT模块组装工艺具有能够一次性实现多个DBC板与多个功率端子、多根高温线进行定位焊接的优点。用于IGBT模块的固定工装包括上治具、下治具、固定板和压盖,下治具具有一结构平面,结构平面开设有多个供基板定位的第一容置腔,上治具设有多个供功率端子定位的第一定位孔和供高温线定位的第二定位孔,固定板开设有结构窗口,上治具与下治具可拆卸地叠合连接,功率端子、高温线在上治具与下治具叠合连接时各与DBC板的焊接部位相接触,固定板在上治具与下治具叠合连接时受上治具和下治具的共同夹紧,压盖可拆卸地叠装于上治具,压盖上安装有多个压紧件,压紧件在压盖叠装于上治具时压紧功率端子。
  • 用于igbt模块固定工装组装工艺
  • [发明专利]一种晶圆测试结构及晶圆测试方法-CN201910142043.6有效
  • 管振兴;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-02-26 - 2023-09-26 - H01L21/66
  • 本发明提供一种晶圆及晶圆测试方法,该方法包括以下步骤:提供一晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面;在所述晶圆背面的至少部分区域贴附非金属贴片;将贴附了所述非金属贴片的所述晶圆放置到测试机台上进行测试。晶圆背面贴附非金属贴片,能够提高晶圆的强度,有效防止出现晶圆翘曲现象,同时能够降低搬运过程中晶圆损坏的风险。贴附非金属贴片的晶圆背面整体上呈现平面式,因此晶圆背面具有凹陷区的晶圆可以直接放置与传统测试机台的卡盘或吸盘上进行测试,免去了设备改造成本,提高了测试机台的通用性及利用率,由此降低了晶圆测试成本。测试完成后回收填充的非金属贴片,所述非金属贴片可以重复使用,由此进一步降低了晶圆的测试成本。
  • 一种测试结构方法
  • [发明专利]一种晶圆测试结构及晶圆测试方法-CN201910141551.2有效
  • 王志勇;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-02-26 - 2023-09-26 - H01L21/66
  • 本发明提供一种晶圆测试方法及晶圆,该方法包括以下步骤:提供一晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面;在晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片;将贴附了所述金属贴片的所述晶圆放置到测试机台上进行测试。对晶圆背面贴附金属贴片,能够提高晶圆的强度,有效防止出现晶圆翘曲现象,同时能够降低搬运过程中晶圆损坏的风险。填充金属贴片的晶圆背面整体上呈现平面式,可以直接放置与传统测试机台的卡盘或吸盘上进行测试,提高了测试机台的通用性及利用率。金属贴片的正面和背面分别设置真空孔和真空通道,使得晶圆能够与传统测试机台的真空吸盘经真空连接并进行测试。金属贴片可以重复使用,由此进一步降低了晶圆的测试成本。
  • 一种测试结构方法
  • [发明专利]一种提高晶圆探针台利用率的方法-CN201910047407.2有效
  • 郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-01-18 - 2023-05-02 - H01L21/66
  • 本发明提供一种提高晶圆探针台利用率的方法,该方法包括:提供一晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面,对晶圆进行背面研磨减薄处理及背金处理;在晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片,金属贴片的中心与晶圆的中心重合;其中,贴附金属贴片的晶圆背面整体呈现平面式;将贴附有金属贴片的晶圆放置到探针台上进行测试。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的,能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试,提高了测试机台的利用率,降低晶圆测试的成本。测试完成后,无需去除该金属贴片,便可进入后续的切割封装过程,本发明的方法既不会对测试阶段的环境造成污染,同时适合后续的切割和封装制程。
  • 一种提高探针利用率方法
  • [实用新型]一种测试探针卡-CN202220250246.4有效
  • 孙梦思;田程;郭海涛;梁振兴;严大生 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2022-02-07 - 2022-07-22 - G01R1/067
  • 本实用新型提供一种测试探针卡,该测试探针卡的四方探针模组与电路板为可拆卸式的连接,从而便于更换,在探针损坏时无需对整个探针卡送修,减少维修周期,而且还能在同一张电路板上更换使用不同型号的探针模组,节省了电路板的资源。同时将现有的引线焊接式的连接改变为触点式连接,在对四方探针模组进行更换时,无需拆线、焊接等步骤,降低损坏风险,方便快捷。此外四方形状的结构设计能够精确地对四方探针模组进行定位,避免出现位置偏移或旋转。
  • 一种测试探针
  • [实用新型]用于晶圆运输车的辅助工装-CN202123428060.8有效
  • 王志勇;严大生;蔡育源;韩小丹;郭海涛 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-06-28 - H01L21/677
  • 本申请公开了一种用于晶圆运输车的辅助工装,涉及半导体制造相关技术领域。该辅助工装包括承载平台、锁紧机构和连动机构。承载平台倾斜地设置在晶圆运输车的承载板上,锁紧机构包括活动组件和和设置在活动组件上的若干限位柱,活动组件可相对于承载平台移动,若干限位柱在承载平台上限定出用于容置晶圆料盒的空间,连动机构调节活动组件的位置,可使若干限位柱限定出适配于晶圆料盒的空间,并对位于承载平台之上的晶圆料盒进行锁紧。上述辅助工装能够锁紧晶圆料盒,避免晶圆料盒在运输过程中出现颠簸、晃动等现象,避免了晶圆出现破片的风险,提高了晶圆在传送过程中的良率。
  • 用于运输车辅助工装
  • [实用新型]晶圆传送装置-CN202123180571.2有效
  • 田程;严大生;梁振兴;郭海涛 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-06-24 - H01L21/677
  • 本申请公开了一种晶圆传送装置,涉及半导体制造相关技术领域。该晶圆传送装置包括基座、第一承载机构、第二承载机构和调节机构,第一承载机构将整个晶圆传送装置在横向上分为第一区和第二区,并在第一区和第二区之间横向移动,第二承载机构位于第二区。在第一承载机构移动至第二区内的预定位置后,调节机构调节第二承载机构在垂向的位置,使晶圆在第一承载机构和第二承载机构之间转换,完成晶圆的传送过程。本申请中的晶圆传送主要在垂向上进行,避免晶圆与第一承载机构或者第二承载机构之间产生摩擦而出现晶圆损伤,提高了晶圆在传送过程中的良率。
  • 传送装置
  • [发明专利]探针台故障检测方法及其系统、探针台及其使用方法-CN201911302332.4在审
  • 邱海斌;严大生;蔡育源 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-12-17 - 2021-06-18 - G01R35/00
  • 本发明提供一种探针台故障检测方法及其系统、探针台及其使用方法,该故障检测系统包括:用于存储设定参数值的存储模块,用于采集实时进度数据值的数据采集模块,数据处理模块和显示模块;数据处理模块用于获取设定参数值及实时进度数据值,并将其对比,并根据对比结果获得探针台硬体部位的具体故障点;显示模块用于显示设定参数值、实时进度数据值及对比结果。采用该探针台故障检测系统,当探针台发生故障时,通过将探针台硬体部位的变量的设定参数值与发生故障时的实时进度数据值进行比较,从而可快速、精确的获得探针台硬体部位发生故障的具体故障点,有效缩短设备当机时间,提高配件更换精度,降低设备维修成本,提高设备利用率。
  • 探针故障检测方法及其系统使用方法
  • [发明专利]一种晶圆测试设备-CN201910745933.6在审
  • 邱海斌;严大生;蔡育源;王志勇 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-08-13 - 2021-02-23 - G01R31/28
  • 本发明提供一种晶圆测试设备,包括:承载板,位于一承载台上,承载台具有窗口,该窗口外缘的所述承载台中具有若干连接孔,承载板的边缘具有若干圆弧形限位孔,若干圆弧形限位孔对应的圆心重合,圆弧形限位孔与连接孔数量相等并一一对应;若干紧固部件,紧固部件与连接孔数量相等并一一对应,紧固部件依次贯穿圆弧形限位孔和连接孔,以防止承载板和承载台在垂直方向相对运动;驱动装置,驱动装置用于驱动承载板相对于承载台水平转动。本发明的晶圆测试设备能够使承载板旋转,而且旋转精度高,旋转量可控,进而使探针卡的旋转量可控,方便于探针卡校准位置,节省测试时间,还能使探针位置精度更高。
  • 一种测试设备
  • [发明专利]功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法-CN201910362271.4在审
  • 郑英豪;严大生 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-04-30 - 2020-10-30 - H01L23/29
  • 本发明提供一种功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法,所述功率MOSFET至少包含:在衬底的下面形成的粘附阻挡层;以及在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层;其中,所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。所述方法包括如下步骤:在半导体器件的正面形成临时粘附载体;翻转所述半导体器件并将所述衬底减薄;在所述衬底上依次形成粘附阻挡层和电镀铜层;以及去除所述临时粘附载体。上述方法不仅可以工艺简单、费用低廉地将功率MOSFET器件的衬底减薄到100μm以下,而且减小了功率MOSFET的总电阻,尤其是在低压功率MOSFET中这种电阻的下降非常明显,并由此提高了功率MOSFET的性能。
  • 功率mosfet半导体器件及其衬底方法

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