“严伟伟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种发动机用曲轴瓦座内循环结构-CN202320990361.X有效
发明人：姜甫强;严伟伟;张磊 -专利权人：枣阳市博业兴汽车配件有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F16N7/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发动机用曲轴瓦座内循环结构，属于发动机循环设备技术领域，其包括下缸体，所述下缸体的侧面设有下安装板，所述下安装板上设有上安装板，所述上安装板的侧面设有上缸体，所述上缸体上设有活塞缸，所述上缸体与下缸体之间设有轴瓦。该发动机用曲轴瓦座内循环结构，通过设置活塞杆和活塞板，曲轴挤压辊轴向下移动，辊轴通过连接架和活塞杆带动活塞板向下移动，活塞板在活塞筒内向下移动，挤压活塞筒内的润滑油，润滑油受到挤压后通过喷油管和喷油嘴喷出，润滑油喷在曲轴的表面，对曲轴的外侧面进行降温，增加了曲轴冷却循环的效率，降低了曲轴在运转时因高温产生的风险。
一种发动机曲轴瓦座内循环结构

[实用新型]一种镗削发动机缸体主轴瓦专用镗床-CN202321220954.4有效
发明人：姜甫强;严伟伟;张磊 -专利权人：枣阳市博业兴汽车配件有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B23Q3/154 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镗削发动机缸体主轴瓦专用镗床，属于机械加工技术领域，其包括安装盘，所述安装盘的上面中部固定安装有固定筒，所述固定筒内置有打孔组件。该镗削发动机缸体主轴瓦专用镗床，通过设置驱动组件、齿圈、打孔组件和推出结构，驱动组件与齿圈之间啮合传动可带动支撑盘旋转，使得磁座进行旋转运动，使得每个磁座之间的位置可以交替更换，使得磁座上的主轴瓦可以依次对应打孔组件进行打孔作业，利于主轴瓦的连续化批量加工作业，其次加工后，通过打孔组件推动推出结构可自动将主轴瓦推出磁座，方便了主轴瓦的取出，而且可避免在打孔位置取件易受到伤害的问题，使得主轴瓦的整个加工作业更为便捷。
一种削发动机缸体主轴专用镗床

[实用新型]一种连杆瓦冲床成型一体化装置-CN202321220953.X有效
发明人：姜甫强;严伟伟;张磊 -专利权人：枣阳市博业兴汽车配件有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连杆瓦冲床成型一体化装置，属于连杆瓦冲床成型技术领域，其包括冲床主体，所述冲床主体内顶部通过螺栓连接有上模具，所述冲床主体内底部设有顶出机构，所述顶出机构包括安装板，所述安装板顶部的中央位置处固定安装有下模具，所述下模具的中央位置处设有顶出块，所述顶出块的底部对称固定安装有两组顶出杆，且顶出杆延伸至安装板的底部，所述顶出杆表面靠近顶出块的位置处固定安装有第一限位板。该连杆瓦冲床成型一体化装置，通过设置顶出机构，钢板在进行冲压成型后，上模具离开下模具，在顶出弹簧的弹性作用下使顶出块顶起，将成型的连杆瓦顶出下模具，方便人员拿取成型的连杆瓦，提高连杆瓦的加工效率。
一种连杆冲床成型一体化装置

[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法-CN202010465629.9有效
发明人：王东;汪琼;吴勇;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P‑型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P‑型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
一种增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种HEMT器件的外延结构-CN201911323134.6有效
发明人：汪琼;王东;吴勇;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
一种 hemt 器件外延结构

[外观设计]RO机(LMOK)-CN202230446365.2有效
发明人： 严伟伟;陈瑶;樊学蔺 -专利权人：溢泰(南京)环保科技有限公司;溢泰实业股份有限公司;林庆雄
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：RO机(LMOK)。2.本外观设计产品的用途：用于净化水质。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
ro lmok

[发明专利]一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法-CN202010465882.4有效
发明人：吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
一种 gan 增强 hemt 器件及其制备方法

[外观设计]净水器-CN202230014522.2有效
发明人：陈思雨;严伟伟;陈瑶;樊学蔺 -专利权人：溢泰(南京)环保科技有限公司;溢泰实业股份有限公司;林庆雄
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：净水器。2.本外观设计产品的用途：用于净化水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
净水器

[外观设计]净水器-CN202230014524.1有效
发明人：陈思雨;严伟伟;陈瑶;樊学蔺 -专利权人：溢泰(南京)环保科技有限公司;溢泰实业股份有限公司;林庆雄
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：净水器。2.本外观设计产品的用途：用于净化水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
净水器

[外观设计]净水器-CN202130857101.1有效
发明人： 严伟伟;陈瑶;樊学蔺 -专利权人：溢泰(南京)环保科技有限公司;溢泰实业股份有限公司;林庆雄
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：净水器。2.本外观设计产品的用途：用于净化水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
净水器

[实用新型]一种基于BIM建筑施工用管道支撑架-CN202121834401.9有效
发明人： 严伟伟;王紫田 -专利权人： 严伟伟
申请日： 2021-08-07 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B66F7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于BIM建筑施工用管道支撑架，包括基板，所述基板顶部对称的固定连接有两组滑轨，所述滑轨上滑动连接有两个滑块，所述滑轨顶部设置有支撑机构，所述支撑机构顶部固定连接有底座，所述底座顶部设置有固定卡，所述支撑机构之间设置有第一横撑和第二横撑，本实用新型通过将管道放置在底座上，管道通过固定卡将管道固定在底座上，通过基板底部四角固定连接的万向轮将管道运输到相应的位置，减少管道移动的难度，确定好位置时，转动第二转盘，第二转盘驱动第二丝杆套移动，第二丝杆套通过第一横撑带着支撑机构在基板上滑动，实现对管道位置的调节，方便管道的安装。
一种基于 bim 建筑施工管道支撑架

[实用新型]一种基于BIM建筑施工用警示装置-CN202121691198.4有效
发明人： 严伟伟;王紫田 -专利权人： 严伟伟
申请日： 2021-07-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： E01F9/692 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于BIM建筑施工用警示装置，包括第一横板、第二横板、第三横板、连接竖轴、支撑机构、警示板、安装竖板、支撑箱体和蓄电池，将第一固定螺栓与连接的螺纹孔分离，通过转动第一横板带动支撑机构使其带动安装竖板进行转动，当转动至需要展示的方向后，再通过将第一固定螺栓的底端螺纹连接于与其对应的螺纹孔内，进而实现对警示板的展示方向进行调整，通过向上拉动滑杆使其沿着套筒向上滑动，进而带动安装竖板向上移动，当调整至需要的高度后，通过转动第二固定螺栓使其端部对滑杆进行挤压固定，使滑杆保持在当前高度，实现对警示板的高度进行调整，通过警示灯的光亮，便于人员及时发现本警示装置，提前预警。
一种基于 bim 建筑施工警示装置

[发明专利]一种生产丝裂霉素的新方法-CN202011448849.7在审
发明人：王鸿鸣;严伟伟;薛强;顾玉峰;许康;李萍萍;冯天泽 -专利权人：无锡福祈制药有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C07D487/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产丝裂霉素的新方法，包括以下步骤：S1、丝裂霉素发酵液预处理；S2、板框过滤：将料液压入板框中的丙纶滤布进行过滤，并收集滤液；S3、过滤；S4、提取步骤：将步骤S3中的滤液经过大孔树脂进行第一次吸附、第一次洗脱，得到第一次洗脱液；将第一次洗脱液进行萃取，得到萃取液；将萃取液经过大孔树脂进行第二次吸附、第二次洗脱，得到第二次洗脱液；将第二次洗脱液经工业色谱进行纯化，得到料液；将料液经过大孔树脂进行第三次吸附、第三次洗脱，得到第三次洗脱液；S5、精制步骤。本发明是在现有技术的基础上优化了MMC的提取纯化生产过程，增加了部分分离纯化工艺步骤，使整个分离纯化的过程更为稳定可控。
一种生产丝裂霉素新方法

[发明专利]一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法-CN202010964120.9在审
发明人：王东;严伟伟;汪琼;吴勇;陈兴;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。
一种尺寸 si 衬底 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法-CN202010964501.7在审
发明人：吴勇;葛林男;汪琼;王东;陈兴;严伟伟;陆俊;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
一种型帽层增强 hemt 器件及其制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 31 条