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[发明专利]一种大匝数比高自谐振频率的高压隔离变压器-CN202310577316.6在审
发明人：陈立均;代文亮;林巍;李苏萍;吴浩昱 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明提供的一种大匝数比高自谐振频率的高压隔离变压器包括：从下往上依次包括第一叠层H1、第二叠层H2、第三叠层H3和第四叠层H4；第二叠层H2和所述第三叠层H3为电感层；所述第四叠层H4和第一叠层H1为跳线层；所述第二叠层H2为第一电感L1，按照多边形的形状缠绕，缠绕的中心为空心的方式布局；所述第三叠层H3为第二电感L2，按照多边形的形状缠绕，并填满所述第一电感L1的投影区域；所述第一电感L1的线宽小于所述第二电感L2的线宽。提高片上高压隔离变压器的电磁耦合系数k和自谐振频率，变压器耐压可达12KV，k≥0.75；自谐振频率达到1.5GHz以上。
一种大匝数比高谐振频率高压隔离变压器

[发明专利]一种高性能集成电感器的制备方法-CN202310738949.0在审
发明人：陈立均;代文亮;赵佳豪;伊海伦 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种高性能集成电感器的制备方法，所述制备方法包括：铺设第一衬底；在所述第一衬底的上表面沉积一层绝缘物质，用于防止电磁信号往所述第一衬底中泄露；在所述绝缘层上采用电镀工艺形成铜绕线，并作为电感的一部分绕线；在所述铜绕线上形成第二绝缘层介质，用于隔离铜绕线和磁芯；在所述第二绝缘层介质上形成磁芯层；在所述磁芯层的上表面形成第三绝缘层介质；在所述第三绝缘层介质的上表面通过电镀的方式形成所述铜绕线的另一部分，与底部所述铜绕线连接形成螺旋管结构，所述磁芯位于所述螺旋管结构的中间部分。本发明高性能的集成磁芯电感技术还能够提高能源的转换效率、提升电路的高频稳定性能。
一种性能集成电感器制备方法

[发明专利]一种实现调整重布线金属层不同容值的电容的制备方法-CN202310589640.X在审
发明人：代文亮;陈立均;吴浩昱;伊海伦;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供的一种实现调整重布线金属层不同容值的电容的制备方法包括：采用晶元表面处理工艺处理晶元表面，获得处理后晶元表面；在处理后晶元表面上采用氧化工艺依次沉积衬底，第一金属层1，电容介质层，第二金属层2；采用集成无源器件MIM光照刻蚀第二金属层2，形成集成无源器件MIM的上极板形状；采用光照刻蚀所述第一金属层1，形成集成无源器件MIM下极板形状；采用薄膜沉积衬底，覆盖已形成的集成无源器件MIM电容结构，制作完成集成无源器件MIM电容阵列晶元。采用封装重布线工艺RDL来实现对预生产MIM电容阵列进行容值调整的方案，实现了MIM电容的高精度、高定制化、短加工周期、高一致性要求。
一种实现调整布线金属不同电容制备方法

[发明专利]深沟槽硅电容及其制作方法-CN202310201313.2在审
发明人：代文亮;陈立均;付董董;吴浩昱;吴梁成 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种深沟槽硅电容及其制作方法，包括：第一金属层。上电极端子，包括第一上电极端子和第二上电极端子，在第一金属层一侧的呈对角分布。下电极端子，包括第一下电极端子和第二下电极端子，在第一金属层一侧的呈对角分布，与上电极端子位于同侧且异于上电极端子分布的对角位置。第二金属层，固定安装于第一金属层的另一侧。底座，包括硅基底和多个沟槽，多个沟槽开设于硅基底上，硅基底设置于第二金属层远离第一金属层的一侧，且沟槽的开口朝向第二金属层。堆栈阵列，设置于沟槽内部。该深沟槽硅电容通过从不同方向将电流引入深沟槽硅电容的电极点，实现了电流的交互流动，进而抵消电流流入时产生的磁场。
深沟电容及其制作方法

[发明专利]一种异型异构基岛的引线框架-CN202211631015.9在审
发明人：代文亮;陈立均;伊海伦;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供的一种异型异构基岛的引线框架，所述引线框架具体包括：位于中间位置的基岛采用刻蚀的方法刻蚀成一个环形；在所述基岛的内环上向内延伸出多个引脚焊盘；芯片粘接在基岛向内延伸的焊盘上；将所述基岛与引线框架的部分键合引脚焊盘相连。不仅减少了芯片底部的金属面积，有效的降低了金属对芯片电性能的影响，而且基岛与多个引脚焊盘相连使结构更加稳定。
一种异型异构基岛引线框架

[发明专利]一种三线共模滤波器-CN202211349984.5在审
发明人：代文亮;陈立均;吴梁成;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01P1/201 文献下载
摘要：本发明提供的一种三线共模滤波器，所述共模滤波器包括：第一层厚铜、第二层厚铜、第三层厚铜和第四层厚铜；所述第二层厚铜与所述第一层厚铜之间设置有第一过孔；所述第三层厚铜与所述第二层厚铜之间设置有第二过孔；所述第四层厚铜与所述第三层厚铜之间设置有第三过孔；所述第二层厚铜、所述第三层厚铜和所述第四层厚铜均设置有电容极板，用于调节回波损耗。实现高性能小尺寸的三线共模滤波器。
一种三线滤波器

[实用新型]一种三线共模滤波器-CN202222891084.5有效
发明人：代文亮;陈立均;吴梁成;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01P1/201 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种三线共模滤波器，所述共模滤波器包括：第一层厚铜、第二层厚铜、第三层厚铜和第四层厚铜；所述第二层厚铜与所述第一层厚铜之间设置有第一过孔；所述第三层厚铜与所述第二层厚铜之间设置有第二过孔；所述第四层厚铜与所述第三层厚铜之间设置有第三过孔；所述第二层厚铜、所述第三层厚铜和所述第四层厚铜均设置有电容极板，用于调节回波损耗。实现高性能小尺寸的三线共模滤波器。
一种三线滤波器

[发明专利]一种超宽带滤波器-CN202211226423.6在审
发明人：陈立均;代文亮;吴梁成;林巍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带滤波器，包括：由三级声学机械波谐振器组成的滤波器，所述滤波器具有第一端口和第二端口；LC滤波器，包括高通滤波器和/或低通滤波器，所述高通滤波器和/或低通滤波器具有第三端口和第四端口；其中，所述第三端口和第四端口并联在所述第一端口和第二端口上。本发明保留了FBAR谐振器抑制陡降优势的同时，在靠近低频段抑制也通过滤波器将抑制压深，且并未形成原有的反翘，最终使集成的器件拥有原声学机械波器件的高矩形系数的同时，也突破了原来窄带的劣势。
一种宽带滤波器

[发明专利]一种紧凑型螺旋抽头式滤波器-CN202210973060.6在审
发明人：陈立均;代文亮;吴梁成;李苏萍;吴浩昱 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种紧凑型螺旋抽头式滤波器，包括：第一连接端口和第二连接端口，所述第一连接端口和第二连接端口之间设有组合式电感，形成LC滤波电路，所述组合式电感包括弹簧状螺旋紧密排布的多个电感，并在所需信号节点处进行抽头连接信号；其中，所述组合式电感包括:衬底，所述衬底上间隔地开设有多个通孔；底部厚铜，设置在所述衬底的底部；次顶部厚铜，设置在所述衬底的上表面，且所述次顶部厚铜的位置与所述通孔的位置相对应；金属化衬底通孔，设置在所述衬底内，所述衬底通孔的上下两端分别与所述次顶部厚铜与底部厚铜相连接，形成并排的第一电感和第二电感；电容，设置在所述次顶部厚铜和顶部金属之间。发明具有高性能、小尺寸等优点。
一种紧凑型螺旋抽头滤波器

[发明专利]一种可切换通带带宽的滤波器-CN202210948665.X在审
发明人：代文亮;陈立均;张雨静;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种可切换通带带宽的滤波器，在滤波器的电路中并联开关形成并联开关电路，或者串联开关形成串联开关电路，以对通带带宽进行控制；并联开关电路包括第一固定电路单元、第一切换电路单元和第二切换电路单元，第一切换电路单元和第二切换电路单元均包括相互串联的电感和电容；电感和电容上分别设置有第一开关和第二开关；串联开关电路包括第二固定电路单元、第三切换电路单元和第四切换电路单元，第三切换电路单元和第四切换电路单元均包括相互并联的电感和电容；电容上分别设置有第一开关和第二开关。本发明可快速实现N77频段和N77频段+N79频段之间的切换，同时还具有良好的抑制作用，其具有较高的集成度和小型化的优点。
一种切换带宽滤波器

[发明专利]一种集成无源器件的电容加工误差的纠正方法-CN202210915884.8在审
发明人：陈立均;吴浩昱;代文亮;李苏萍 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成无源器件的电容加工误差的纠正方法，包括：S1、对衬底进行表面处理；S2、在衬底的上表面沉积电容，电容包括上底极板、第一介质层和下底极板，在电容的上表面沉积第二介质层；S3、在第二介质层上设置电感；S4、在电感的上表面设置焊盘；S5、在焊盘上设置第五介质层，并在第五介质层上刻蚀出焊盘开窗；S6、将RDL金属转移到第五介质层上，并重新布局新焊盘位置，形成RDL金属层；S7、当电容偏小，则调整RDL金属层增大电感；当电容偏大，则调整RDL金属层减小电感。本发明降低了电容误差产生的次品率，大大提升了产品合格率，具有调节效率高、费用低，且加工周期较快等优点。
一种集成无源器件电容加工误差纠正方法

[发明专利]一种高性能的高频薄膜机械波谐振器的制造方法-CN202210915886.7在审
发明人：陈立均;赵佳豪;代文亮;吴浩昱 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能的高频薄膜机械波谐振器的制造方法，包括以下步骤：S1、在衬底上的第一表面通过刻蚀形成凹槽结构，并在凹槽结构内沉积第一金属层；S2、在凹槽结构内第一金属层的上表面填充第一牺牲材料层，并将第一牺牲材料层抛光至与衬底的表面相齐平；S3、在第一牺牲材料层的上方沉积三明治结构，三明治结构包括自下而上依次设置的下电极、压电层和上电极；S4、将上电极连接至与下电极同一高度；S5、释放凹槽结构内的第一牺牲材料层，形成器件；S6、将盖帽层与器件进行键合，并布置信号管脚。本发明极大的减小了欧姆损耗，提升器件的Q值，同时增加器件的散热途径，使得器件能够满足大功率，高频、大带宽的应用中需求。
一种性能高频薄膜机械波谐振器制造方法

[发明专利]一种机械波谐振器的性能提升方法-CN202210915887.1在审
发明人：陈立均;代文亮;赵佳豪;吴浩昱 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械波谐振器的性能提升方法，包括以下步骤：S1、在衬底的第一表面刻蚀形成凹槽结构；S2、在凹槽结构内填充牺牲材料层；S3、在牺牲材料层的上方沉积三明治结构，三明治结构包括自下而上依次设置的下电极、压电层和上电极，下电极设置在牺牲材料层的上方；S4、对三明治结构的平面方向进行结构优化，以抑制横波泄露和衬底泄露；S5、对相邻两个机械波谐振器本体的连接方式进行优化；S6、释放填充的牺牲材料层，使凹槽结构的内部形成空气腔，并成型机械波谐振器本体；S7、对机械波谐振器本体进行封装。本发明抑制横波泄露和衬底泄露，提高机械波谐振器的Q值，且保证机械波谐振器的机械结构稳定性。
一种机械波谐振器性能提升方法

[实用新型]一种混合滤波器结构及MEMS芯片-CN202221695780.2有效
发明人：胡孝伟;代文亮;袁琳;黄志远;张竞颢;崔云辉 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种混合滤波器结构及MEMS芯片，涉及MEMS芯片制造工艺技术领域，该混合滤波器结构，包括Si衬底、下电极金属钼、压电层、上电极金属钼、Cu种籽层、Cu走线、凸点、铜线、IPD电感、介质层及SiO2支撑层；其优点在于：将相对单一品种的SAW滤波器、BAW滤波器、IPD滤波器组合结构能够支持更多的频段信号的多工器，同时能够集成BAW滤波器的高Q值的优势；制成的混合滤波器在满足终端产品的性能需求的同时，也可以与终端产品的高集成小尺寸的要求适配度更高。
一种混合滤波器结构 mems 芯片

[实用新型]一种薄膜体声滤波器结构及MEMS芯片-CN202221746439.5有效
发明人：胡孝伟;代文亮;袁琳;黄志远;张竞颢;崔云辉 -专利权人： 上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜体声滤波器结构及MEMS芯片，包括Si衬底、金属钼下电极、氮化铝压电层、金属钼上电极、Cu走线、SiO2支撑层、铜线及凸点；Si衬底上设有下空腔，在Si衬底的表面位于下空腔的上方覆盖有金属钼下电极，在金属钼下电极上覆盖有氮化铝压电层；氮化铝压电层的一端部设有边缘斜坡，边缘斜坡覆盖于金属钼下电极的一端部；在氮化铝压电层上覆盖有金属钼上电极，在金属钼上电极位于边缘斜坡同侧端部以及边缘斜坡表面覆盖有Cu走线；在Si衬底上还淀积一层SiO2支撑层，SiO2支撑层上设有两个引线开孔，两个引线开孔中均设有铜线，其中一铜线一端和金属钼下电极连接、另一端设有凸点，其中另一铜线一端和Cu走线连接、另一端设有凸点。
一种薄膜滤波器结构 mems 芯片

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