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[发明专利]一种高耐压PNP型防反灌功率驱动器及其制造方法-CN201611079421.3在审
发明人：汪义;曾蕴浩;王炜 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐压PNP型防反灌功率驱动器及其制造方法，该功率驱动器包括PNP管和上拉电阻，所述的上拉电阻的一端连接至所述PNP管的发射极且另一端连接至所述PNP管的基极，用以实现所述基极的电位上拉，所述的PNP管发射极为功率驱动器的输入端，所述的功率驱动器还包括一个防反灌二极管，防反灌二极管阳极连接所述的PNP管的集电极，防反灌二极管阴极为功率驱动器的输出端。与现有技术相比，本发明具功率驱动器结构简单、制造工艺简便、性能好、成本低。
功率驱动器二极管上拉电阻一端连接高耐压电位二极管阳极制造工艺发射极集电极输出端输入端上拉制造发射

[发明专利]熔丝结构-CN201510573555.X在审
发明人：汪义 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种熔丝结构，包括电介质层和熔丝，其中该熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。本发明的熔丝结构的益处至少在于可以增加熔丝结构所占据的空间位置，增加熔丝有效长度，增加熔丝的熔断可靠性。
结构

[发明专利]多段自适应的PFM控制器-CN201410833807.3在审
发明人：金杰 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种多段自适应的PFM控制器，包括参考电压的产生电路，其包括：采样转换模块，对功率开关管的电流作采样，获得采样电流后转化成采样电压；上、下限比较器，下限比较器的正输入端接收进入PFM模式的最小开关电流值对应的第一预设电压值，上限比较器的负输入端接收工作在PFM模式的最大开关电流值对应的第二预设电压值；其它两端均接收采样转换模块输出的采样电压；计数器，当采样电压小于第一预设电压值且系统电路未工作在PFM模式下加1；当采样电压大于第二预设电压值且系统电路工作在PFM模式下减1；数模转换器，当计数器加1或减1时，将参考电压变为多个参考电压中的下一个或上一个。本发明可提高开关类电源转换电路进出PFM模式的负载精度。
自适应 pfm 控制器

[发明专利]LDO外扩电路及其LDO外扩结构的制造方法-CN201410652727.8在审
发明人：汪义;曾蕴浩;王炜 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G05F1/571 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDO外扩电路，包括：LDO芯片，具有输入端和输出端；PNP管，具有集电极、发射极和基极，其中该发射极连接至该LDO外扩电路的输入端且该集电极连接至该LDO外扩电路的输出端；以及上拉电阻，该上拉电阻的一端连接至该PNP管的发射极且另一端连接至该PNP管的基极，用以实现该基极的电位上拉；其中，该LDO芯片的输入端连接至该基极同时经由该上拉电阻连接至该LDO外扩电路的输入端，且该LDO芯片的输出端连接至该LDO外扩电路的输出端，其中，该PNP管用作驱动该LDO芯片的功率输出管。
ldo 电路及其结构制造方法

[发明专利]集成电路充电驱动器及其制造方法-CN201310713868.1有效
发明人：汪义;曾蕴浩;王炜;胡舜涛;王强;罗菊亚;张宏林 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路充电驱动器及其制造方法。该制造方法包括：提供基板，基板是p+/p-型外延基板并用作PNP管的集电极，基板包含PNP区和NMOSFET区；在基板的NMOSFET区中形成n型埋层；分别在PNP区的两侧和NMOSFET区的两侧形成p型下隔离；沉积n-外延，n-外延由p型下隔离隔断以形成n-外延岛；在p型下隔离上形成p型上隔离，且n型埋层位于NMOSFET的p阱下方；在n-外延岛上形成多个n+区，PNP区中的n+区用作基极且NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极；在n-外延岛上形成多个p+区，PNP区中的p+区用作发射极，且NMOSFET区中的p+区用作p阱；以及在NMOSFET区上进一步形成栅极。
集成电路充电驱动器及其制造方法

[发明专利]多通道LED 线性驱动器-CN201310724384.7无效
发明人：徐剑;曾蕴浩;郑萍芳;胡舜涛;董用兵 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种多通道LED线性驱动器，包括：电压调整电路，将交流市电的输入电压转换成直流电压，电压调整电路输出第一直流电压和第二直流电压，其中第一直流电压的电压值高于第二直流电压的电压值；线性调整电路，接收来自电压调整电路的第二直流电压；多个彼此串联的LED灯组，其中每一LED灯组由至少一个LED串联构成；多个LED驱动器，每一LED驱动器的一端连接至一个LED灯组的阴极以驱动该LED灯组开启或关闭，且另一端连接至线性调整电路，其中来自电压调整电路的第一直流电压直接加在多个LED灯组的阳极，其中线性调整电路根据输入电压的变化依次驱动多个LED驱动器中的每一个进入线性调整环路。
通道 led 线性驱动器

[发明专利]三电极单向导通场效应管-CN201110301169.7有效
发明人：曾蕴浩;杨小荣 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种三电极单向导通场效应管，包括主开关管、电源选择器、主开关栅极控制电路、以及主开关衬底控制电路。主开关管具有源极、漏极、栅极和衬底。电源选择器选择主开关管的源极电压和漏极电压中的较高电压作为内部电压，利用内部电压和一第一电压来对场效应管的内部电路供电。主开关栅极控制电路，比较主开关管的源极电压和漏极电压，并根据比较结果选择内部电压和第一电压之一为主开关管的栅极电压，当主开关管的栅极施加第一电压时，主开关管导通，当主开关管的栅极施加内部电压时，主开关管关闭。主开关衬底控制电路依据栅极电压控制主开关管的衬底电压，当主开关管关闭时，施加在主开关管的衬底电压是内部电压，从而使主开关管截止。
电极向导场效应

[发明专利]带恒流控制的高压电平位移驱动电路-CN201210532037.X无效
发明人：李锐;顾鹏程;曾蕴浩;陆晓敏 -专利权人： 上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种带恒流控制的高压电平位移驱动电路，包括：高压LDMOS管，其栅极与半桥驱动电路的电源电压连接；恒流控制驱动电路，与电源地、一偏置电压、上侧输入信号和高压LDMOS管的源极连接，用于当半桥驱动电路的上侧功率MOS管的高压电源处于规格允许的电压范围之内时，高压LDMOS管导通后的导通电流是受控恒定的；负载电阻，一端与高压LDMOS管的漏极连接，另一端与半桥驱动电路的上侧驱动电路的浮动电源电压连接；驱动器，与高压LDMOS管的漏极、上侧驱动电路的浮动电源电压、一浮动地和半桥驱动电路的上侧输出端连接；箝位二极管，跨接在负载电阻的两端。本发明既简化电路结构，缩小芯片面积，又解决单脉冲高压电平位移驱动电路的功耗问题，提高电路的可靠性。
带恒流控制高压电平位移驱动电路

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