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[发明专利]用连接片实现连接的半导体封装的方法-CN201310598205.X有效
发明人：鲁军;刘凯;薛彦迅 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用连接片实现内接的半导体封装体，包括：多个芯片，所述的每个芯片分别具有多个顶部接触区及底部接触区；多个基板，用于放置所述芯片，芯片的底部接触区与基板具有电连接，所述的基板设有多个基板外引脚；连接片，所述的连接片连接多个芯片，并同时用于连接多个芯片对应排布的多个顶部接触区，从而固定所述的多个芯片，所述的连接片的端部作为芯片的引脚与外部连接；一塑封体，用以封装芯片、基板、以及连接片，本发明在工艺制作时，通过一个或多个连接片固定连接多个芯片，然后进行封装，最后通过切割或者封装体顶部研磨分离连接片，本发明由于连接片的固定连接作用，避免了芯片在工艺制造过程中错位而影响芯片的电路性能。
连接实现半导体封装方法

[发明专利]双引线框架多芯片共同封装体的制造方法-CN201410073160.9无效
发明人：刘凯;石磊;鲁军;安荷·叭剌 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法，包括两个引线框架；多个芯片，多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片；第一芯片设置在第一引线框架上，第二芯片及第三芯片共同设置在第二个引线框架上，第三芯片为旁路电容；两个连接片，分别为顶部连接片和立体连接片，顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚，并且顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区。本发明简化了多框架多芯片的封装制成工艺，降低了芯片之间的电阻和电感，并且在封装中集成了一个旁路电容，降低了封装过程中的寄生电感，从而提高了整个器件的能量转换效率，并且减小了半导体封装的尺寸，此外，本发明工艺操作简单，制造成本低。
引线框架芯片共同封装制造方法

[发明专利]用连接片实现连接的半导体封装-CN201310598165.9有效
发明人：鲁军;刘凯;薛彦迅 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用连接片实现内接的半导体封装体，包括：多个芯片，所述的每个芯片分别具有多个顶部接触区及底部接触区；多个基板，用于放置所述芯片，芯片的底部接触区与基板具有电连接，所述的基板设有多个基板外引脚；连接片，所述的连接片连接多个芯片，并同时用于连接多个芯片对应排布的多个顶部接触区，从而固定所述的多个芯片，所述的连接片的端部作为芯片的引脚与外部连接；一塑封体，用以封装芯片、基板、以及连接片，本发明在工艺制作时，通过一个或多个连接片固定连接多个芯片，然后进行封装，最后通过切割或者封装体顶部研磨分离连接片，本发明由于连接片的固定连接作用，避免了芯片在工艺制造过程中错位而影响芯片的电路性能。
连接实现半导体封装

[发明专利]带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关-CN201310597591.0有效
发明人：伍志文;韦志南;郑伟强;张艾伦 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：提出了一种桥接电源Vss和负载，带有由VR_dt－产生器动态生成的参考电压VR_dt的限流负载开关。它包括：互相连接在分裂电流结构上的一对功率场效应管和感应场效应管。此场效应管对产生负载电压，并把负载电流Iload限制在预置的最大值Imax以下。场效应管FET对使得它们各自的电流Ipower和Is保持电流比RATIO_I＝Is/Ipower<<1，感应场效应管高端端子通过一个感应电阻器Rsense与Vss耦合，在电阻器两端产生感应电压Vs＝Is×Rsense。限流放大器的输入端与VR_dt和Vs相连，输出端控制场效应管对关闭限流反馈回路。VR_dt－产生器在动态调节VR_dt的同时，补偿由于感应场效应管的运行转换使RATIO_I发生改变所带来的不良影响，因此避免了Iload过度转换而超过Imax的情况。
带有动态生成追踪参考电压限流负载开关

[发明专利]一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构-CN201310540264.1有效
发明人：薛彦迅;安荷·叭剌;鲁军 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构，将两个MOSFET芯片堆叠连接形成功率切换器，并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容；更可在该同一封装中还设置一PIC芯片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构，使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET芯片，产生的寄生电感最小，从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时，也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。
一种应用于功率切换电路半导体封装结构

[发明专利]一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路-CN201210181610.7有效
发明人：苏毅;安荷·叭剌;伍时谦 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，由多个晶体管单元组成，每个晶体管单元都有一个源极、一个栅极以及一个控制源极和栅极之间电流传输的漏极。这种半导体还包括一个栅漏箝位终端，串联在栅极和漏极之间，还包括多个背对背多晶硅二极管，串联在一个硅二极管上，在半导体衬底中，硅二极管含有平行掺杂纵栏，其中平行掺杂纵栏带有一个预设的缝隙。掺杂纵栏还包括一个U形弯管纵栏，将设置在U形弯管下方并包围U形弯管的深掺杂井，与平行掺杂纵栏末端连接在一起。
一种用于功率器件击穿保护箝位静电放电电路

[发明专利]功率半导体器件封装及制造方法-CN201210185444.8无效
发明人：鲁军;弗兰克斯·赫尔伯特;刘凯;张晓天 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一个带有贯穿开口的半导体晶片，开口的尺寸和结构要足够容纳连接结构。在一个可选实施例中，一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一对半导体晶片，设置在连接结构的任意一侧，并间隔一定的距离。
功率半导体器件封装制造方法

[发明专利]用连接片实现连接的半导体封装及其制造方法-CN201010178158.X有效
发明人：鲁军;刘凯;薛彦迅 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用连接片实现内接的半导体封装体，包括：多个芯片，所述的每个芯片分别具有多个顶部接触区及底部接触区；多个基板，用于放置所述芯片，芯片的底部接触区与基板具有电连接，所述的基板设有多个基板外引脚；连接片，所述的连接片连接多个芯片，并同时用于连接多个芯片对应排布的多个顶部接触区，从而固定所述的多个芯片，所述的连接片的端部作为芯片的引脚与外部连接；一塑封体，用以封装芯片、基板、以及连接片，本发明在工艺制作时，通过一个或多个连接片固定连接多个芯片，然后进行封装，最后通过切割或者封装体顶部研磨分离连接片，本发明由于连接片的固定连接作用，避免了芯片在工艺制造过程中错位而影响芯片的电路性能。
连接实现半导体封装及其制造方法

[发明专利]双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法-CN201010167961.3有效
发明人：刘凯;石磊;鲁军;安荷·叭剌 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法，包括两个引线框架；多个芯片，多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片；第一芯片设置在第一引线框架上，第二芯片及第三芯片共同设置在第二个引线框架上，第三芯片为旁路电容；两个连接片，分别为顶部连接片和立体连接片，顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚，并且顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区。本发明简化了多框架多芯片的封装制成工艺，降低了芯片之间的电阻和电感，并且在封装中集成了一个旁路电容，降低了封装过程中的寄生电感，从而提高了整个器件的能量转换效率，并且减小了半导体封装的尺寸，此外，本发明工艺操作简单，制造成本低。
引线框架芯片共同封装及其制造方法

[发明专利]一种薄型封装的工艺-CN201010148709.8无效
发明人：薛彦迅 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明一种薄型封装的工艺，包含以下步骤：制作引线框架，所述引线框架包括焊盘和引脚，将芯片设置在所述的引线框架上，将芯片与引线框架上的引脚电连接，对引线框架及芯片进行封装构成封装体、电镀封装底部的外露部分，分割封装体；其特点是：封装后对封装体进行薄化处理。本发明采用厚的引线框架用于芯片的安装及封装，确保了芯片封装质量及安全，当封装完毕后对引线框架进行薄化，薄化后的引线框架不影响封装工艺过程，并且有效的降低了半导体封装的尺寸和重量，此外，本发明既可以应用于外露焊盘的封装，也可用于不外露焊盘的封装，应用灵活方便。
一种封装工艺

[发明专利]一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构-CN201010127101.7有效
发明人：薛彦迅;安荷·叭剌;鲁军 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构，将两个MOSFET芯片堆叠连接形成功率切换器，并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容；更可在该同一封装中还设置一PIC芯片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构，使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET芯片，产生的寄生电感最小，从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时，也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。
一种应用于功率切换电路半导体封装结构

[发明专利]低衬底电阻的晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法-CN200910253713.8有效
发明人：冯涛 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种低衬底电阻的晶圆级芯片尺寸封装，包括一个半导体晶片及一个导电加固件，半导体晶片包括一个半导体晶片上表面及一个半导体晶片下表面，半导体晶片上表面设有多个集成电路芯片、多个凸点下金属化层及每个凸点下金属化层之上的用于芯片连接的多个焊接球；导电加固件包括一个导电加固件上表面，导电加固件上表面设有第一金属层；在工艺制造过程中将导电加固件的第一金属层与半导体晶片下表面粘合在一起。本发明一种低衬底电阻的晶圆级芯片尺寸封装及制造方法提高了芯片的衬底导电能力，降低衬底以及横向导通电阻，另一方面在减小封装尺寸的同时提高芯片的可靠性，使晶圆和芯片在工艺操作中不容易被损坏。
衬底电阻晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法

[发明专利]一种用于引脚凸出的半导体器件的封装方法-CN200910253503.9有效
发明人：汪利民;石磊;赵良;叶峰 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种用于引脚凸出的半导体器件的封装方法，包括：步骤1、在引线框架上进行贴片和配线；步骤2、以引线框架上的金属筋为分隔进行塑封，形成若干个塑封条；步骤3、切除相邻塑封条之间的金属筋，分割形成外露独立引脚；步骤4、对塑封条进行横向切割，形成若干独立的半导体器件。本发明方法结合采用现有技术中的切割封装方法和引脚切断式封装方法，实现较高密度，低材料耗用，以及高生产率的半导体封装工艺，生产得到高质量的半导体器件产品。
一种用于引脚凸出半导体器件封装方法

[发明专利]引脚外露的半导体封装的工艺方法-CN200910252292.7有效
发明人：薛彦迅;鲁军 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种引脚外露的半导体封装的工艺方法，包括：步骤1、在引线框架上进行芯片粘贴和连接键合；步骤2、将整个引线框架封装在塑封体内；步骤3、将金属筋以及各个引脚的外露部分上方的塑封材料切割除去，形成以金属筋分隔的若干塑封条；步骤4、对引线框架进行纵向切筋和横向切割，形成若干独立的引脚外露的半导体封装器件。本发明提供的引脚外露的半导体封装的工艺方法，所利用的加工模具以及机械工具均同时适用于普通封装工艺及不同类型的引脚外露的半导体封装工艺，无需额外设计并制造特有的模具等操作工具，有效提高封装效率，降低制造成本。
引脚外露半导体封装工艺方法

[发明专利]在引线框架和晶圆上印刷粘接材料的半导体封装及其制造方法-CN200910179349.5有效
发明人：张晓天;鲁军;刘凯 -专利权人： 万国半导体有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种在引线框架和晶圆上印刷粘接材料的半导体封装及其制造方法，其在引线框架的载片台和引脚上通过印刷形成粘接材料，并在半导体芯片的正面电极上也通过印刷形成粘接材料，随后将半导体芯片的背面粘接在载片台上，并利用金属连接体分别连接半导体芯片正面电极和引脚。其中，所述的粘接材料的大小、形状和厚度根据实际需要确定，或者由所粘接的半导体芯片，以及金属连接体的接触区域决定。本发明所提供的半导体封装，利用印刷形成粘接材料的特点，克服了现有技术中存在的明显缺点和不足，能有效改善半导体产品的质量和性能，提高生产效率。
引线框架晶圆上印刷材料半导体封装及其制造方法

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