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[实用新型]一种内置隔离器可平行出光的TO封装半导体激光器-CN201921639319.3有效
发明人：王良恒;宋梦芹 -专利权人：武汉高跃科技有限责任公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内置隔离器可平行出光的TO封装半导体激光器，TO管帽罩在LDTO底座的上部，半导体致冷器安装在LDTO底座的上部，L型热沉设置在半导体致冷器的上部，NTC热敏电阻和激光器芯片设置在L型热沉的上部，隔离器安装在准直透镜的上部，透镜套筒套装在准直透镜和隔离器的外部通过紫外胶安装在L型热沉的上部，窗口玻璃片安装在所述TO管帽的内顶部。本实用新型有益效果：本实用新型使用短焦透镜，在激光器封帽前将透镜与芯片进行最佳光路耦合，并在透镜前端加入隔离器，有效压缩光斑，提高光斑质量及准直距离；TO管帽的顶部形成斜角可以有效抑制光的反射。
一种内置隔离器平行 to 封装半导体激光器

[发明专利]具有降低的RIN的带有椭圆形孔口的VCSEL-CN201880068562.6在审
发明人：迪帕·加祖拉;尼古拉·基蒂克;马列克·哈钦斯基;加里·兰德里;吉姆·塔特姆 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种VCSEL，该VSCEL可以包括：椭圆形孔口，该椭圆形孔口位于定位在有源区域与发射表面之间的氧化区域中的椭圆形氧化物孔口，该椭圆形孔口具有半径比(短半径)/(长半径)在0.6与0.8之间的短半径和长半径，VCSEL具有小于‑140dB/Hz的相对强度噪声(RIN)。VCSEL可以包括椭圆形发射孔口，该椭圆形发射孔口具有与椭圆形氧化物孔口相同的尺寸。VCSEL可以包括椭圆形接触件，椭圆形接触件具有位于其中的椭圆形接触件孔口，该椭圆形接触件围绕椭圆形发射孔口。椭圆形接触件可以是C形的。VCSEL可以包括位于氧化区域侧向的一个或更多个沟槽，所述一个或更多个沟槽形成为椭圆形形状，其中，氧化区域具有椭圆形形状。所述一个或更多个沟槽可以是梯形形状的沟槽。
具有降低 rin 带有椭圆形孔口 vcsel

[实用新型]一种耦合隔离一体件及其激光器-CN201922013628.6有效
发明人：王鹏;范文明;毕军;蒋波 -专利权人：昂纳信息技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光器领域，具体涉及一种耦合隔离一体件及其激光器；所述耦合隔离一体件包括一用于将光路中反向杂散光进行隔离的隔离器以及固定设置在隔离器上且用于将光信号进行耦合汇聚的耦合透镜，其中，一光束射入耦合隔离一体件，经过耦合透镜进行耦合汇聚后再经过隔离器隔离掉光束中的反向杂散光；本实用新型通过设计一种耦合隔离一体件及其激光器，将耦合透镜与隔离组件进行一体化设计，一方面使得其耦合工艺的可变因素减少，从而降低其耦合难度，一方面该一体件可实现批量化生产，从而减少生产成本；进一步地，将一体机设置在激光器中使得整个激光器结构更加紧凑，大幅度减小了其整体长度，从而适应于对激光器相关长度有要求的应用场景。
一种耦合隔离一体及其激光器

[发明专利]一种射频注入调制的片上太赫兹双频梳装置-CN201811583153.8有效
发明人：黎华;李子平;万文坚;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频注入调制的片上太赫兹双频梳装置，包括太赫兹量子级联激光器和T型偏置器，所述太赫兹量子级联激光器在同一水平面上同时具有两个激光谐振腔，两个激光谐振腔分别具有各自的上电极和增益介质，并共享同一个下电极，分别独立工作；两个激光谐振腔各自的上电极分别通过不同的T型偏置器同时与不同的RF源和直流源的正极连接，两个激光谐振腔共同的下电极与各自的直流源的负极连接；其中，一个T型偏置器与RF源之间设有环形器，所述环形器通过低噪声放大器与频谱分析仪相连；所述两个激光谐振腔的相隔500‑5000μm。本发明能够稳定输出光模式，扩大输出频谱范围，实现太赫兹波段双频梳光谱。
一种射频注入调制片上太赫兹双频装置

[发明专利]一种半导体激光器快速自对准光纤整形方法-CN201710063965.9有效
发明人：汤庆敏;赵克宁;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体激光器快速的自对准光纤整形方法，包括以下步骤：（1）将所述半导体激光器置于一个工装内，该工装带有内孔，其顶端设置有光纤定位槽，其外侧设置有工装定位槽，光纤定位槽与工装定位槽呈垂直状态；（2）使管座定位槽与工装定位槽重合，以实现半导体激光器在工装中的定位且使发光芯片的出光面与光纤平行；（3）将整形光纤放置在光纤定位槽中，固定光纤，对半导体激光器整形。该整形方法能够实现自对准功能，解决了半导体激光器的光纤整形中多处技术方面的不足，解决了整形过程中不容易调节光纤的弊端，解决了手动整形的工作弊端，不仅减少了光纤的损坏率，而且在保证工艺要求的前提下较大地提高了工作效率。
一种半导体激光器快速对准光纤整形方法

[实用新型]一种基于物联网的大功率半导体激光单管温湿度监测装置-CN201921739519.6有效
发明人：黄晓园;王红成;张耿;梁金朝 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于物联网的大功率半导体激光单管温湿度监测装置，包括有大功率半导体激光单管、温湿度传感器、主控模块、数码管、WIFI模块、Onenet平台和移动终端，将所述的温湿度传感器紧贴在大功率半导体激光单管的热沉外部端面上，温湿度传感器与主控模块连接，主控模块上还连接有数码管，主控模块通过WIFI模块与所述的Onenet平台连接，Onenet平台与移动终端通讯连接。本实用新型采用工业物联网技术，能实现激光器温湿度的远程采集与查看；使用温湿度传感器采集数据，能极大地提升检测数据的准确性，大大降低了人为误差大等因素的影响；成本较低、体积小、可靠性高、抗干扰能力较强，可用于工业环境。
一种基于联网大功率半导体激光温湿度监测装置

[实用新型]一种可调谐激光平面生成装置-CN201921630142.0有效
发明人：费宇明;洪桂杰 -专利权人：浙江大学德清先进技术与产业研究院
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调谐激光平面生成装置，包括光源模块、光学透镜组模块、电源管理模块以及机械调节模块，用于生成一个坡度和频率可调的激光扇面。光源模块用于发出激光光束；光学透镜组模块用于接收光源模块发射的激光光束，进行准直并展宽后射出；电源管理模块用于给光源模块、机械调节模块供电，电源管理模块包括光源模块的调制电源，以及机械调节模块所用的步进电机的驱动电源；光源模块的半导体激光二极管接收到的调制电流可以控制激光光束的频率；机械调节模块用于调节光学透镜组模块的相对位置和角度，改变激光扇面的坡度。本实用新型可以生成一个激光扇面，激光扇面的坡度和周期可以分别通过机械调节模块和电源管理模块进行调制。
一种调谐激光平面生成装置

[实用新型]分体式激光器-CN201921883373.2有效
发明人：李晓群 -专利权人：陕西硕维光电科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结构设计新颖的分体式激光器，包括激光镜头组件、激光器机体组件；激光镜头组件、激光器机体组件通过光纤连接。
体式激光器

[实用新型]一种激光器-CN201922124798.1有效
发明人：范一松;郭强;郭欢;陈春城 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光器，包括：第一调节装置进行旋转，可使第一束激光穿过第一调节装置中第一旋转盘之通光孔、或使经过第三调节装置进行90°反射的第二束激光在第一旋转盘之45°全反射镜上再进行90°反射，从而与第一束激光同光路轮流输出；第二调节装置进行旋转，可使前述已经同光路输出的第一、第二两束激光穿过其第二旋转盘之通光孔，或使经过第四调节装置进行90°反射的第三束激光在第二旋转盘之45°全反射镜上再进行90°反射，从而使得第三束激光与第一、二束激光同光路轮流输出。利用本实用新型实施例，能够使得三路激光轮番发出，并沿着各自的路线汇合到主光路形成同路激光输出，不需要每次进行光路对准，提高合束输出的效率。
一种激光器

[实用新型]应用于地铁接触网的激光器-CN201921925013.4有效
发明人：李晓群 -专利权人：陕西硕维光电科技有限公司
申请日： 2019-11-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结构设计新颖的应用于地铁接触网的激光器，包括半导体激光二极管；还包括非球面镜、第一正镜、第二正镜、鲍威尔棱镜；所述非球面镜与第一正镜通过光纤通信连接；所述光纤的端部与第一正镜之间、第一正镜与第二正镜之间、第二正镜与鲍威尔棱镜之间的间距依次为3.00mm、13.00mm、2.50mm。
应用于地铁接触激光器

[发明专利]低相位噪声下的频率可调谐微波信号生成装置及其方法-CN202010068876.5在审
发明人：张品;傅振华;滕义超;刘珩 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种低相位噪声下的频率可调谐微波信号生成装置及其方法，通过调节所述光纤布拉格光栅的光栅长度，实现反射光信号频率的改变，利用所述光纤布拉格光栅反射出的光信号与所述半导体激光器发出的光信号之间的可变频率差值实现微波信号的频率可调谐；同时，光电振荡环路有效降低输出信号的相位噪声，于是可输出低相位噪声下的频率可调谐微波信号。结合其它结构或方法有效避免了现有技术中微波信号频率调谐范围较小、增加了系统成本、严重影响信号的相位噪声的缺陷。
相位噪声频率调谐微波信号生成装置及其方法

[实用新型]一种基于掺铋砷化镓的被动锁模脉冲激光器-CN201922103814.9有效
发明人：常建华;陈思成;张树益;陈恬恬;戴腾飞;刘海洋;戴瑞 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于掺铋砷化镓的被动锁模脉冲激光器，包括半导体激光器、耦合透镜组、Nd:GGG晶体、第一平凹镜、第二平凹镜、掺铋砷化镓可饱和吸收体和输出镜；所述半导体激光器发射的连续光依次透过耦合透镜组和Nd:GGG晶体后，依次经第一平凹镜和第二平凹镜反射到掺铋砷化镓可饱和吸收体，连续光透过掺铋砷化镓可饱和吸收体后经输出镜输出。该激光器由于使用了掺铋砷化镓可饱和吸收体，所以调Q效果更好，激光器可以产生更窄的脉冲更高的单脉冲能量以及更高的峰值功率。
一种基于掺铋砷化镓被动脉冲激光器

[实用新型]一种基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器-CN201922104950.X有效
发明人：常建华;陈恬恬;陈思成;刘海洋;戴腾飞;毛仁祥 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于二硒化锡可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，包括半导体激光器、耦合透镜组、Yb:SYS晶体，第一平凹镜、第二平凹镜、平面反射镜、二硒化锡可饱和吸收体和输出镜；所述半导体激光器发射的连续光中心波长为979nm，所述连续光依次透过耦合透镜组和Yb:SYS晶体后入射到第一平凹镜，经第一平凹镜反射至第二平凹镜，然后经第二平凹镜反射至平面反射镜，再经平面反射镜反射至二硒化锡可饱和吸收体，反射光透过二硒化锡可饱和吸收体后经输出镜输出波长为1066nm的锁模脉冲激光。该激光器可获得高能量脉冲激光，实现飞秒级的脉冲激光输出。
一种基于二硒化锡可饱和吸收体脉冲激光器

[发明专利]一种半导体激光泵浦的量子光源装置-CN201911141088.8在审
发明人：陈立峰 -专利权人：嘉兴君宏光学股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光泵浦技术领域，尤其为一种半导体激光泵浦的量子光源装置，包括有壳体，壳体的内部设有聚光罩，聚光罩的内壁依次固定连接有透镜A、透镜B、透镜C和透镜D，后壳的内部固定连接有储蓄电池，储蓄电池远离后壳的一端固定连接有激光器，激光器的基面上固定连接有激光灯，后壳的侧壁固定连接有底座，后壳的底部固定设置有接线柱，接线柱远离后壳的一端线性连接有控制导线，控制导线远离接线柱的一端线性连接有控制器。本发明通过聚光罩的内壁依次固定连接有透镜A、透镜B、透镜C和透镜D，该光学系统光效好，便于半导体激光泵浦的量子光学研究，极大程度地提高测量的精确度。
一种半导体激光量子光源装置

[实用新型]半导体激光器-CN201921556814.8有效
发明人：周少丰;刘鹏;喻文琛 -专利权人：深圳市星汉激光科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提出一种半导体激光器，其包括出光单元、光束耦合单元和光纤。出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和准直反射镜，快轴准直透镜设置于激光芯片的出光方向上，准直反射镜包括第一反射面，第一反射面为弯曲面，第一反射面设置于快轴准直透镜的出光方向上，激光芯片用于发射激光束，快轴准直透镜用于对激光束进行折射并准直，第一反射面用于对激光束进行反射并准直；光束耦合单元设置于第一反射面的反射方向上，光束耦合单元用于对激光束进行耦合；光纤与光束耦合单元的耦合点重合设置，光纤用于引导并输出耦合后的激光束。通过以上设置，可降低激光束在传播过程中的能量损失，从而提高了半导体激光器的输出功率。
半导体激光器