“H01L51/42”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果3069个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]近红外窄波段选择性光电探测器-CN202110272095.2有效
发明人：吴刚;刘智鑫;陈红征 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外窄波段选择性光电探测器。它包括基底、透明电极层、空穴传输层、可见光滤镜层、电子滤镜层、近红外活性层、空穴阻挡层、金属电极层；从基底自下到上顺次设透明电极层、空穴传输层、可见光滤镜层、电子滤镜层、近红外活性层、空穴阻挡层、金属电极层；可见光滤镜层是一种有机‑无机杂化钙钛矿材料，电子滤镜层是一种宽带隙半导体材料，通过可见光滤镜层、电子滤镜层、近红外活性层的叠合屏蔽可见光信号，实现对窄波段近红外光的选择性响应。
红外波段选择性光电探测器

[发明专利]一种光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法-CN202210288003.4在审
发明人：陈心满;陈运凯;黄梓熙 -专利权人：华南师大（清远）科技创新研究院有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法，该光电逻辑门器件包括位于衬底上的石墨烯导电沟道层，位于导电沟道层上的γ‑石墨二炔吸光和电荷捕获层，以及位于吸光和电荷捕获层上两端的第一电极和第二电极，其以第一电极作为供能电极，以第二电极作为输出电极，在两个电极之间施加恒定的偏压，并以不同波长的两束激光作为光信号照射γ‑石墨二炔层，构筑了光电响应性能良好的光电逻辑门器件。该光电逻辑门器件在外部光波长365nm至980nm范围内均有着较好的光响应度，扩宽了光波的响应范围。并且本发明提供的一步水热反应法获得的γ‑石墨二炔层连续性好，简化了工艺，降低了成本。
一种光电探测器逻辑器件及其制备方法

[发明专利]一种金属-半导体异质结柔性紫外光电探测器及其制备方法-CN202210312521.5在审
发明人：赵新宏;陶宇;方永初 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属‑半导体异质结柔性紫外光电探测器及其制备方法，包括柔性衬底，金属电极层、Al层、ZnO层、Cs3Cu2I5层和PDMS聚二甲基硅氧烷层，柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，金属电极层形成于柔性基底的表面，Al层形成于金属电极层的表面，ZnO层形成于Al层的表面，Cs3Cu2I5层形成于ZnO层的表面，PDMS聚二甲基硅氧烷层形成于Cs3Cu2I5层的表面，本发明使用PET柔性衬底，使得所制备的光电探测器具备优秀的机械柔性，满足了可穿戴电子设备的要求；本发明采用简单低温溶液法合成材料，满足简单易制备，低成本生产光电子设备的要求，有利于大规模的商业应用。
一种金属半导体异质结柔性紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种高质量CsPbI2-CN201811536770.2有效
发明人：韩修训;董琛 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。该方法首先利用旋涂法制备一层PbI2薄膜，然后在PbI2薄膜表面分次旋涂CsBr甲醇溶液，经后退火过程形成钙钛矿。在该过程中，通过控制CsBr沉积次数，可以有效地调控CsPbI2Br薄膜的成膜质量及相成分。同时为了能够让PbI2更有效地转化为钙钛矿、避免过多PbI2的残留，引入了绿色反溶剂对PbI2薄膜进行处理，通过构建具有随机晶粒取向的微/纳多孔中间相薄膜，使CsBr分子能够更有效地扩散到PbI2薄膜中，进而实现CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜更完全、更高效的转化，其制备的无机钙钛矿薄膜厚度、形貌以及相成分可控，光吸收好。该方法工艺简单，成本低廉，易于工业化，有利于推动全无机钙钛矿器件的发展。
一种质量 cspbi base sub

[实用新型]太阳能电池组件及用电设备-CN202220012317.7有效
发明人：郭文明;陈长松;梁伟风;刘召辉;涂保;陈国栋;苏硕剑;郭永胜;欧阳楚英 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池组件及用电设备。太阳能电池组件包括依次串联的若干子电池，所述子电池的背电极和与其相邻子电池的底电极之间设有连接过孔，且所述底电极对应所述连接过孔处设有非平面区域；所述连接过孔内填充有导电部以连接相邻子电池的背电极与底电极，且所述导电部完全覆盖所述非平面区域。通过非平面区域的设置增大导电部与底电极的接触面积，从而减小接触电阻、提升电流输出，从而有效提高太阳能电池组件的效率。
太阳能电池组件用电设备

[发明专利]一种基于选择性滤光设计的半透明全无机钙钛矿/有机叠层太阳电池及其制备方法-CN202210331083.7在审
发明人：白一鸣;韩飞;田石磊;王福芝;黄庭尧;谭占鳌 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层太阳电池，包括依次设置的导电基底、电子传输层、全无机钙钛矿层、中间复合层、有机活性层、空穴传输层和金属电极层。本发明提供的叠层太阳电池半透明叠层的设计是在提高电池效率的同时实现选择性的滤光设计，可调谐的吸收人眼不可见的紫外以及红外区的光，透射出与人眼视觉具有良好响应的可见光，从而在有效降低成本且提升PCE，同时保持良好的人眼舒适度，提供卓越而稳定的发电、节能和隐私保护性能。本发明提供的基于选择性滤光设计的叠层太阳电池，具有良好的显色特性，可作为用于遮挡日光、保护隐私的光伏玻璃应用，实现太阳电池在BIPV、幕墙、航空和汽车智能窗等美学应用领域进一步的广泛应用。
一种基于选择性滤光设计半透明无机钙钛矿有机太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池-CN202210443401.9在审
发明人：王伟;逯好峰;路忠林;王飞;职森森 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，所述电池自上而下依次包括：正面高透玻璃、正面TCO层、钝化层、钙钛矿吸光层，在所述钙钛矿吸光层下方，为交替设置的电子传输层和空穴传输层，形成载流子传输层；在所述载流子传输层下方依次为电极缓冲层、背面TCO层；在所述背面TCO层下方对应载流子传输层为金属电极层；其中，所述载流子传输层呈叉指状分布且相互绝缘隔离，所述载流子传输层通过A、B两套掩膜版实现叉指状分布。本发明提出的这种结构设计将IBC技术和钙钛矿太阳能电池相结合，进一步提升钙钛矿太阳能电池的效率极限。
一种 ibc 结构钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种有机-无机杂化钙钛矿单晶异质结、制备方法及其用途-CN202210280510.3在审
发明人：罗军华;王紫阳;姬成敏;张馨元 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结和制备方法及其用途。一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结，所述的有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结由单晶硅片及在所述的单晶硅片表面外延生长的有机‑无机杂化钙钛矿铅氯甲胺单晶。本发明制备出了CH3NH3PbCl3/Si异质结，制备方法简单，成本低廉、反应条件温和、稳定性较高。本发明制备的CH3NH3PbCl3/Si异质结对紫外光有着优异的光电响应。此外，利用CH3NH3PbCl3单晶异质结与硅基之间形成异质结之后的内建电场，在不加外加偏压的条件下即可对光生载流子就行分离和传输，形成电流。即该异质结不需要外加电压便可自驱动紫外光电探测。开发制备所得的自驱动紫外光电探测器因不需要外加电源，可实现能源节约以及所制备小型化器件，因此实现自驱动的紫外光电探测具有非常重要的实用价值。
一种有机无机杂化钙钛矿单晶异质结制备方法及其用途

[发明专利]曲面电池及其封装方法-CN202011642412.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种曲面电池，包括曲面电池组件和依次制备在曲面电池组件表面上的第一保护层和第二保护层，所述曲面电池组件的内部结构从下往上依次包括弧形基底、透明导电电极、第一载流子传输层、吸光层、第二载流子传输层和背电极层，所述弧形基底为透明材料或半透明材料制备，所述第一保护层使用将紫外光转化为可见光的薄膜材料制备，所述第二保护层的制备材料为全氢聚硅氮烷聚合物或全氟聚醚基聚合物。本发明还公开其封装方法。本发明实现弧形钙钛矿太阳能电池常温下的封装，满足弧形太阳能电池封装的技术需求，实现较好的水汽、氧气阻隔效果。
曲面电池及其封装方法

[发明专利]柔性光电器件及制作方法-CN202011585647.7在审
发明人：韩云飞;张浩;潘伟;王振国;闫翎鹏;龚超;骆群;林剑;马昌期 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性光电器件及制作方法。所述柔性光电器件包括：沿设定方向依次设置在透光绝缘基底上的第一电极、功能层和第二电极，以及，第三电极；该第一电极为透明电极，该第三电极与第一电极电性接触，该第三电极能够通过导电通道与另一柔性光电器件的第一电极或第二电极电连接，该导电通道包括沿设定方向贯穿该透光绝缘基底的一个以上通孔，且通孔内填充有导电物质。藉由本发明的技术方案，只需利用导电胶等即可简单、快捷地实现多个柔性光电器件的串联或并联，而避免使用激光刻蚀工艺等，从而降低了器件制作成本，并提升器件良率，此外通过在透明电极周围设置第三电极，还可以有效提升器件性能。
柔性光电器件制作方法

[发明专利]引入PMMA插层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210292495.4在审
发明人：戴俊;冯艳琴 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种引入PMMA插层的钙钛矿太阳能电池，依次由导电基底层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、聚甲基丙烯酸甲酯钝化层、电子传输层、缓冲层和银电极组成，形成倒置结构；其中聚甲基丙烯酸甲酯钝化层由旋涂浓度为2～8mg/mL的聚甲基丙烯酸甲酯氯苯溶液，然后退火处理形成；制备方法为：选取ITO作为导电基底，分别旋涂PEDOT:PSS溶液、钙钛矿溶液、聚甲基丙烯酸甲酯的氯苯溶液、6,6‑苯基‑C61‑丁酸甲酯、Bphen溶液并进行退火处理，最后蒸镀金属银电极，得到倒置结构的钙钛矿太阳能电池；该电池为倒置结构，并在钙钛矿/电子传输层界面引入PMMA钝化层，改善了钙钛矿薄膜质量和电子提取效率，有利于增加电池效率、抑制迟滞效应和提高电池的稳定。
引入 pmma 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿光电元件-CN202210315017.0在审
发明人：黄琬瑜;施彦辰;潘宜呈;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿光电元件，此钙钛矿光电元件包含介面修饰层位于下载子传输层及钙钛矿活性层之间。介面修饰层由介面修饰层材料所构成，介面修饰层材料包含具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，两性离子基团具有阳离子基团及阴离子基团；且，阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。当此介面修饰层积层在下载子传输层的上表面后，能使随后形成于介面修饰层上表面的钙钛矿活性层的涂布过程能够获得良好的涂布均匀性，并因而使得钙钛矿光电元件有良好的光电特性及环境稳定性。
钙钛矿光电元件

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏系统-CN202210315287.1在审
发明人：何嘉伟;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明适用于钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏系统，本发明实施例提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过在透明导电膜层上沉积贯通空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层及金属电极的铁电绝缘层来取代第三道激光划线工序，以完成钙钛矿太阳能电池的分割，一方面可以防止激光划线对钙钛矿太阳能电池的损伤，减少了钙钛矿太阳能电池的效率损失；另一方面通过铁电极化对钙钛矿pin结进行场钝化，既增强了钙钛矿材料的内建场促进了光生电子空穴对的分离与传输，又加剧了钙钛矿pin结内电子、空穴准费米能级的劈裂，使电池的开路电压得到进一步提升，最终提升钙钛矿电池的光电转换效率。
钙钛矿太阳能电池及其制备方法系统

[发明专利]一种圆偏振光探测器及其制备方法和应用-CN202011558025.5在审
发明人：江浪;朱丹蕾;王朝晖;刘洁 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆偏振光探测器及其制备方法和应用，属于有机半导体材料技术领域。本发明提供的圆偏振光探测器为顶栅底接触或顶栅顶接触的双层异质结结构的有机场效应晶体管；所述双层异质结包括手性活性层和半导体活性层；所述手性活性层的材料为具有圆二色性的、不具备场效应迁移率或具备场效应迁移率性质的拆分的手性材料；所述半导体活性层的材料为具有场效应迁移率性质的半导体材料。本发明的圆偏振光探测器可以不依赖于手性分子的场效应迁移率，利用手性分子对圆偏振光的特异性响应以及异质结中电荷传输的特性，达到对圆偏振光的检测。
一种偏振光探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种晶格匹配的异质结复合薄膜、制备方法及钙钛矿太阳能电池-CN202010545805.X有效
发明人：曾玮;伊海波;薛瑞;黄林生;阮莉敏;王思亮;徐超;梁栋 -专利权人：安徽大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶格匹配的异质结复合薄膜、制备方法以及采用该复合薄膜作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池，该复合薄膜含有纳米尺度的Bi烯‑SnO2异质结，制备时采用了旋涂及在空气中退火的工艺。结果表明，以该复合薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的能量转换效率为18.12‑19.38％，大于以纯SnO2为电子传输层的钙钛矿太阳能电池。而且以该钙钛矿太阳能电池能在35‑45％的湿度空气中，经过800小时，性能仍然能保持初始性能的80％以上，具有更优的稳定性。
一种晶格匹配异质结复合薄膜制备方法钙钛矿太阳能电池