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[发明专利]带有压装工装的压接式电力电子器件阀组及其压装方法-CN201611163138.9在审
发明人：魏天予;曾嵘;余占清;陈政宇;张翔宇;庄池杰;张利欣;魏义涛;刘恒;耿杰 -专利权人：北京平高清大科技发展有限公司;清华大学;平高集团有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有压装工装的压接式电力电子器件阀组及其压装方法，属于电力电子器件装配领域；包括压接式电力电子器件阀组和压装工装，所述压接式电力电子器件阀组还包括依次设置在上端板正下方的压杆和压盘、以及置于上端板上表面的压力计；所述压装工装包括上平台和下平台、位于上下平台角部的四根垂直设置的支撑杆、以及位于上平台中部的液压缸，上平台中部还开设使液压缸活塞通过的通孔；将所述拼装好的压接式电力电子器件阀组放置在液压缸的正下方，且由下平台支撑；本发明通过液压机构精确控制压装力的大小和受力点，从而节约人力并提高电力电子器件的可靠性。
带有工装压接式电力电子器件及其方法

[发明专利]莫特晶体管及制备方法-CN201610078287.9在审
发明人：张洪亮;曹鸿涛;李龙;张莉莉 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种莫特晶体管及其制备方法，其中方法包括如下步骤：采用镀膜工艺在衬底表面制备栅极，并在栅极表面依次制备栅介质层和沟道层；并在未被沟道层覆盖的栅介质层表面制备源极和漏极，完成底栅结构的莫特晶体管的制备；或采用镀膜工艺在衬底表面依次制备沟道层和栅介质层，并在未被栅介质层覆盖的沟道层表面制备源极和漏极，在栅介质层表面制备栅极，完成顶栅结构的莫特晶体管的制备；其中，沟道层为莫特绝缘体薄膜；栅介质层为固态氧化物质子导体膜。其实现了莫特晶体管的全固态结构。由此，当制备的莫特晶体管中进行莫特转变时，不会出现漏液和热稳定性差的问题。最终有效解决了传统的莫特晶体管稳定性较差的问题。
晶体管制备方法

[发明专利]R134a制冷剂气体传感器气敏元件的制备方法-CN201010291011.1有效
发明人：徐甲强;陈俊琛 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种R134a制冷剂气体传感器气敏元件的制备方法，属金属氧化物半导体气敏元件制备工艺技术领域。本发明的传感器气敏元件主要特点是：在Al2O3陶瓷管表面涂覆有两层敏感物质材料，内层为纳米SnO2基体材料，外层为Pt掺杂的纳米多孔Al2O3增敏材料；首先将涂上的SnO2基体材料经500℃煅烧2小时后，按厚膜半导体气敏元件制作工艺对气敏元件进行焊接；即包括引线铂丝的焊接及陶瓷管空腔内镍-镉加热丝的焊接；然后再将掺杂Pt的纳米多孔Al2O3增敏材料均匀涂覆在纳米SnO2基体材料上面；然后在室温下晾干，进行老化，封装，最终制得R134a制冷制气体传感器气敏元件。本发明制得的气敏元件对R134a的检测具有较高灵敏度、响应恢复时间快，稳定性好。
r134a 制冷剂气体传感器元件制备方法

[发明专利]密集存储器阵列的过渡区-CN200680051735.0无效
发明人：博阿兹·埃坦;拉斯托姆·伊拉尼;阿萨夫·沙皮尔 -专利权人：赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-11-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器芯片，其具有：以亚F(低于最小特征尺寸F)的宽度间隔开的字线；以及至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少之一中的相邻的所述延伸部分以至少F的距离间隔开。本发明还包括一种用于对非易失性存储器芯片进行字线图案化的方法，所述方法包括：根据其宽度至少为最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在过渡区中具有延伸部分的亚F字线，所述延伸部分用于连接到外围晶体管。
密集存储器阵列过渡

[发明专利]三端金属-绝缘体转变开关、包括该转变开关的开关系统和控制该转变开关的金属-绝缘体转变的方法-CN200880023847.4无效
发明人：金铉卓;李鎔旭;金俸准;崔诚烈;尹善侲 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2008-05-07 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：提供了一种可容易地控制断续MIT跳变并且不需要传统的栅极绝缘层的3端MIT开关、包括该3端MIT开关的开关系统、和控制该3端MIT开关的MIT的方法。所述3端MIT开关包括：2端MIT器件，用于在转变电压中生成断续MIT；引入电极(200)和引出电极(300)，分别连接到2端MIT器件的每个端子；和控制电极(400)，连接到引入电极，并包括与引入电极的外部端子分开的外部端子，其中根据施加到控制电极的电压或电流来控制2端MIT器件的MIT。所述开关系统包括：该3端MIT开关、连接到引入电极的电压源、和连接到控制电极的控制源。
金属绝缘体转变开关包括系统控制方法

[发明专利]采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件-CN200910174633.3无效
发明人：金铉卓;尹斗协;蔡秉圭;姜光镛;任龙植;金敬玉;孟成烈;金圣贤 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：提供一种使用突变MIT半导体材料层的二端子半导体器件。该二端子半导体器件包括：第一电极层，设置在该第一电极层上并具有小于2eV的能隙以及位于空穴能级的空穴的突变MIT半导体有机或者无机材料层，以及设置在该突变MIT半导体有机或无机材料层上的第二电极层。通过在第一电极层和第二电极层之间施加场，在该突变MIT半导体材料层中产生突变MIT。
采用突变金属绝缘体转变半导体材料端子半导体器件

[发明专利]开关元件及开关元件的制造方法-CN200780019848.7有效
发明人：阪本利司;井口宪幸;伴野直树;川浦久雄 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：公开了一种开关元件，该开关元件利用了电化学反应来操作，并包括：离子传导层(54)，能够传导金属离子；第一电极(49)，布置成与离子传导层接触；第二电极(58)，用于向离子传导层提供金属离子。该开关元件的特征在于包含比第二电极更易于被氧化的材料的吸氧层(55)形成为与第二电极接触。
开关元件制造方法

[发明专利]阵列式静电保护元件的制程与结构-CN200710181859.7无效
发明人：黄建豪;冯辉明;巫宜燐;苏圣富 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：一种阵列式静电保护元件的制程，整个制程均于真空环境下作业，包括步骤如下：提供一第一绝缘层，于该第一绝缘层形成至少一导电图案层；于导电图案层的两侧之间切割一沟槽，沟槽切开导电图案层且延伸至第一绝缘层内部；提供一第二绝缘层，于第二绝缘层钻设至少一盲孔；将第二绝缘层具有盲孔的一侧与该第一绝缘层具有沟槽的一侧相对地压合粘结，沟槽与盲孔相连通；以及于第二绝缘层、导电图案层及第一绝缘层的相对二侧分别形成至少一第一侧边导电层及至少一第二侧边导电层；通过以上的设计，可以有效地减少静电保护元件所占的面积，进而可以有效整合更多种功能的被动元件于电子产品中。本发明另提供一种阵列式静电保护元件结构。
阵列静电保护元件结构

[发明专利]开关装置、可重写逻辑集成电路和存储器装置-CN200780005061.5无效
发明人：井口宪幸 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：根据本发明的开关装置包括：包含氧化钛的离子传导层23；以与离子传导层23相接触的方式提供的第一电极21；和以与离子传导层23相接触的方式提供的第二电极22，并且该第二电极22可以向离子传导层23提供金属离子。
开关装置重写逻辑集成电路存储器

[发明专利]内埋电子元件结构及其制造方法-CN200710198632.3有效
发明人：史哲坤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明公开一种内埋电子元件结构及其制造方法。其中此内埋电子元件结构包括：下压合层、第一夹制层、介电层、第二夹制层、电子元件、上压合层以及连结栓。第一夹制层设置于下压合层之上。介电层设置于第一夹制层之上。第二夹制层位于介电层之上。电子元件埋设于该介电层之中，且电子元件的下表面与第一夹制层接触，电子元件的上表面与第二夹制层接触。上压合层覆盖于第二夹制层之上。连结栓邻接于电子元件并贯穿介电层，且分别与第一夹制层及第二夹制层连结。本发明解决现有的内埋电子元件因电子元件与封装结构之间的结合力不足，而导致封装体脱层或断裂的问题，以达到提升良率与降低制造成本的目的。
电子元件结构及其制造方法

[实用新型]突波吸收器改良结构-CN200720002771.X无效
发明人：林丽华 -专利权人：林丽华
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种突波吸收器改良结构，包含有一陶瓷晶体与数导电体，所述的陶瓷晶体包括有一本体，与两涂覆在本体两侧面的电极层，而导电体一端是呈线性焊接在所述陶瓷晶体外侧面，且导电体另一端是耦接一端子，并凭借导电体焊接在陶瓷晶体外侧面，使本实用新型具有不易损坏与增加可靠性的优点。
吸收改良结构

[发明专利]基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器-CN200710064947.9有效
发明人：朱嘉麟;孙家林;张建红;刘伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。
基于宏观长度纳米线异质结构电流传感器

[发明专利]氢半导体传感器气敏元件及其制作方法-CN200410102757.8有效
发明人：王磊;熊玉华;杜军;毛昌辉;尉秀英;杨志民;秦光荣;苑鹏 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n－SnO_2－x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd－Ni层，形成Pd－Ni/SnO₂复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd－Ni/SnO₂复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
半导体传感器元件及其制作方法

[发明专利]薄膜气体传感器的制备方法-CN200410101832.9无效
发明人：刘晓娣;张大成;王玮;李婷;罗葵;田大宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
薄膜气体传感器制备方法

[实用新型]含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件-CN200520100186.4无效
发明人：杨慕杰;姚宗武;李扬;黄德欢 -专利权人：黄德欢
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件。含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件具有微晶玻璃片基体，在微晶玻璃片基体表面上蒸发、光刻有多对叉指金电极，在叉指金电极上连接有引线，在微晶玻璃片基体和叉指金电极表面上涂覆有感湿膜，感湿膜为含硅阳离子聚电解质共聚物。方法的步骤如下：1)用浸涂机将微晶玻璃叉指金电极浸渍在感湿液中，提拉、取出后，热处理制得感湿膜；2)将具有感湿膜的微晶玻璃叉指金电极在一定湿度和温度下，通电老化，制得含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件。本实用新型是一种宽湿度量程，高灵敏度，特别有极快响应速度的电阻型湿敏元件，而且制作方法简单，成本低，可广泛应用于过程及环境湿度的精度测量与控制。
共聚物电阻薄膜元件