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[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-CN201180033939.2有效
发明人：贝恩德·迈尔;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片，其具有：n型半导体层（3）；p型半导体层（4）；在n型半导体层（3）和p型半导体层（4）之间的有源区域（2）；侧面（14），所述侧面在侧向方向上对n型半导体层（3）、p型半导体层（4）和有源区域（2）限界；掺杂区域（1），在所述掺杂区域中将掺杂物质引入半导体芯片的半导体材料中；和/或中和区域（1），其中掺杂区域（1）和/或中和区域（1）在所述侧面（14）上至少构造在有源区域的区域中，并且发光二极管芯片在工作时设置为用于发射非相干电磁辐射。
发光二极管芯片用于制造方法

[发明专利]光电子组件-CN201180032886.2有效
发明人：安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;克里斯特·贝格内克;于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出一种光电子组件（100），所述光电子组件具有-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由半导体器件（1）发射的电磁辐射；-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或由所述过滤颗粒形成，其中-过滤机构（3）将由半导体器件（1）发射的电磁辐射中的至少一个可预设的波长范围与和该可预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且-过滤颗粒（31）具有以Q0测量的最低0.5nm至最高500nm的d50值和/或-过滤颗粒（31）至少局部地丝状地构成并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。
光电子组件

[实用新型]一种具有过压保护结构的发光二极管芯片-CN201220331272.6有效
发明人：王四新;刘先章;宋亚美 -专利权人：北京瑞普北光电子有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止静电击穿损坏的具有过压保护结构的发光二极管芯片，包括衬底、位于衬底上的P型掺杂半导体层，位于P型掺杂半导体层上的P电极和发光层，位于所述发光层上的N型掺杂半导体层，位于所述N型掺杂半导体层上的N电极，所述P型掺杂半导体层、发光层和N型掺杂半导体层的左侧设有压敏保护层，所述发光层和N型掺杂半导体层的右侧也设有压敏保护层。本实用新型的具有过压保护结构的发光二极管芯片，由于在N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间连接有压敏保护层，在发光层两侧设有压敏保护层，因此可以保护发光层被静电击穿，防止芯片的损坏。
一种具有保护结构发光二极管芯片

[发明专利]发射辐射的半导体器件-CN201180015349.7有效
发明人： M.维特曼恩 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射辐射的半导体器件，具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）覆盖的位置处用该光吸收材料（4）覆盖，以及发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。
发射辐射半导体器件

[发明专利]用于发光器件的滤光器-CN201180026234.8无效
发明人： D.R.查伯林 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明的实施例包括半导体发光器件，能够发射具有第一峰值波长的第一光；以及波长转换元件，能够吸收第一光并发射具有第二峰值波长的第二光。在一些实施例中，该结构还包括金属纳米颗粒阵列（32），配置成通过第一波长范围中的大部分光而反射或吸收第二波长范围中的大部分光。在一些实施例中，该结构还包括滤光器（42，16），配置成通过第一波长范围中的大部分光并反射或吸收第二波长范围中的大部分光，其中配置所述滤光器，使得对于以相对于滤光器主表面法线0°和60°之间角度入射在滤光器上的光而言，滤光器通过最小量光的波长偏移不超过30nm。
用于发光器件滤光

[实用新型]直接出射线偏振光的发光二极管-CN201220310674.8有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直接出射线偏振光的发光二极管，所述发光二极管在衬底上形成旋光阵列结构，并在外延层上形成偏振分光阵列结构，所述偏振分光阵列结构用于对自然偏振光产生分光作用，以透射一类型偏振光，反射另一类型偏振光，所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的另一类型偏振光再次反射，并将其转换为与偏振分光阵列结构透射类型相同的偏振光后，再经过偏振分光阵列结构射出，从而不需要引入外置偏振片即可实现直接出射线偏振光的目的，为后续二次光学设计提供了便利，也缩小相应领域应用产品的体积，降低了其生产成本，且光能得到充分利用、基本无能量损失，同时本实用新型所述发光二极管的制造方法工艺成熟且易实施。
直接射线偏振光发光二极管

[实用新型]半导体发光器件-CN201220016071.7有效
发明人：林朝晖;王树林 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体发光器件，所述器件为三明治式夹层结构，所述夹层结构的中间部位为发光体；在所述发光体的一侧依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层，和位于所述透明导电导热层表面的玻璃层；在所述发光体的另一侧依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层，和位于所述透明导电导热层表面的具有透光窗口的金属层。本实用新型的半导体发光器件能够使LED器件立式放置并双面发光，提高发光效率，而且不影响器件的散热性能。
半导体发光器件

[发明专利]发光器件，发光器件封装以及光单元-CN201210088795.7无效
发明人：姜大成;崔洛俊;丁圣勋;韩永勋;孙圣珍 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了发光器件，发光器件封装以及光单元。根据本发明实施例的发光器件，包括：在其上表面上提供粗糙部分并包括PEC蚀刻控制层的第一导电半导体层；位于第一导电半导体层下的有源层；位于有源层下的第二导电半导体层；电连接至第二导电半导体层的反射电极；以及电连接至第一导电半导体层的第一电极。
发光器件封装以及单元

[发明专利]具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法-CN201210281653.2有效
发明人：李璟;王国宏;詹腾 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法，涉及LED芯片的生产技术领域，本发明的特点是：在ITO作为GaN基LED增透膜时，其膜厚应为d＝（m+1）λ/4n，且制备出多周期ITO薄膜，所述各周期ITO网孔图形的直径分别为50～500nm，相邻的各周期ITO网孔图形之间的间距为50～500nm。本发明可以进一步增大出光侧面积，进一步增加光的逃逸路径，使光的提取效率进一步增加。
具有提取效率 gan led 芯片制作方法

[发明专利]改进的多结点LED-CN201080064139.2有效
发明人： G·哈斯奈恩;S·D·莱斯特;S-Y·胡;J·拉默 -专利权人：普瑞光电股份有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：在此披露了一种光源以及用于制造该光源的方法。该光源包括一个基板以及沉积在该基板上的一个发光结构。一个屏障体将该发光结构分成彼此电气隔离的第一和第二区段。一个串联电极将该第一区段与该第二区段串联连接在一起。一个位于该发光结构与该基板之间的第一阻挡二极管在该发光结构发光时防止了电流在该发光结构与该基板之间流动。该屏障体延伸穿过该发光结构并且进入该第一阻挡二极管。
改进结点 led

[发明专利]带有ZnO微米和纳米复合结构的LED管芯及其制备方法-CN201210258879.0有效
发明人：吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有ZnO微米和纳米复合结构的LED管芯及其制备方法，该LED管芯是在LED管芯的发光面上生长有ZnO微米图形阵列，在ZnO微米图形阵列上垂直生长有纳米棒，其制备包括以下步骤：（1）生长LED外延片，制作完整结构的LED管芯；（2）在LED发光面溅射一层ZnO种子层；（3）在LED表面制作光刻胶微米周期图形；（4）以光刻胶微米周期图形为模板生长ZnO微米图形阵列；（5）用去胶液去除光刻胶，得到ZnO微米图形阵列，（6）在ZnO微米图形阵列上溅射一层ZnO种子层；（7）在ZnO微米图形阵列上生长ZnO纳米棒阵列。本发明不仅可以更高比例的提取发射光，也保证了发光二极管整个发光表面出光的均匀性。
带有 zno 微米纳米复合结构 led 管芯及其制备方法

[发明专利]带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法-CN201210257595.X有效
发明人：吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法，该LED管芯是在LED管芯的发光面上溅射有一层的ZnO种子层，ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列，其制备包括以下步骤：（1）生长LED外延片，制作完整结构的LED管芯；（2）在LED发光面溅射一层ZnO种子层；（3）在LED表面制作光刻胶微米周期图形；（4）以光刻胶微米周期图形为模板生长ZnO微米图形阵列；（5）用去胶液去除光刻胶，即得到ZnO微米图形阵列的LED。本发明不仅可以更高比例的提取发射光，也保证了发光二极管整个发光表面出光的均匀性，制作简单，成本低，不会对LED管芯的电学性能造成破坏，能够提高平板GaN基LED的发光效率约40%。
带有 zno 微米图形阵列 led 管芯及其制备方法

[发明专利]直接出射线偏振光的发光二极管及其制造方法-CN201210224234.5无效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种直接出射线偏振光的发光二极管及其制造方法，所述发光二极管通过在衬底上形成旋光阵列结构，并在外延层上形成偏振分光阵列结构，所述偏振分光阵列结构用于对自然偏振光产生分光作用，以透射P型偏振光，反射S型偏振光，所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的S型偏振光再次反射，并将其转换为P型偏振光，再次经过偏振分光阵列结构射出，从而不需要引入外置偏振片即可实现直接出射线偏振光的目的，为后续二次光学设计提供了便利，也缩小相应领域应用产品的体积，降低了其生产成本，且光能得到充分利用、基本无能量损失，同时本发明所提供的制造方法，工艺成熟且易实施。
直接射线偏振光发光二极管及其制造方法

[发明专利]具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构-CN201210014722.3有效
发明人：许并社;李学敏;刘旭光 -专利权人：许并社;李学敏;刘旭光
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管组件，具体是一种具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构。本发明解决了现有白光发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低的问题。具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构包括蓝宝石基板、N型氮化镓外延层、多层量子阱氮化铟镓主动层、P型氮化镓外延层、负电极金属层、以及正电极金属层；还包括具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层；其中，N型氮化镓外延层堆栈于蓝宝石基板上；多层量子阱氮化铟镓主动层堆栈于N型氮化镓外延层上。本发明基于全新的结构，有效解决了现有白光发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低的问题，适用于发光二极管的制造。
具有组成纳米结构白光 led 芯片

[发明专利]半导体发光结构-CN201110200357.0有效
发明人：屠德威;温伟值;王泰钧;赖柏宏;许志平 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上，其中第一电极具有第一上表面及第一侧表面。绝缘层覆盖部分第一导电性半导体层、第一电极的第一侧表面及第一电极的第一上表面的边缘，其中绝缘层具有第一开口，以暴露出第一电极的部分第一上表面。第一粘着层配置于第一上表面的边缘与绝缘层之间，以接合第一上表面与绝缘层。
半导体发光结构