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[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110444203.X有效
发明人：张丽霞;刘杰;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底以及位于基底上的接合垫，且基底暴露出接合垫表面；接合柱，位于接合垫远离基底的表面且与接合垫相接触；第一器件，位于基底上，且与接合柱相互间隔；焊垫，位于第一器件远离基底的表面；引线，引线连接焊垫和接合柱；保护介质层，沿接合柱的侧壁延伸。本发明实施例有利于提高引线与接合柱和焊垫之间的连接强度，和增强对接合柱的保护效果，以提高半导体结构的稳定性。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]包括桥接管芯的系统级封装-CN201911034952.4有效
发明人：金钟薰;成基俊;金基范 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括桥接管芯的系统级封装。一种系统级封装包括再分配线RDL结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片和桥接管芯。该RDL结构包括第一RDL图案，第一半导体芯片的第一芯片焊盘电连接至第一RDL图案。第二半导体芯片层叠在第一半导体芯片上，使得第二半导体芯片突出越过第一半导体芯片的侧表面，其中，设置在突起上的第二芯片焊盘通过桥接管芯电连接到第一RDL图案。
包括接管系统封装

[实用新型]一种芯片封装结构-CN202321229547.X有效
发明人：柳初发 -专利权人：深圳市金锐显数码科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请适用于电子器件技术领域，提供了一种芯片封装结构，包括基板，基板具有焊接面，焊接面包括内部焊接区和外围焊接区，外围焊接区围设于内部焊接区的外周，内部焊接区和外围焊接区均间隔分布有多个焊盘，位于内部焊接区的焊盘为第一焊盘，位于外围焊接区的焊盘为第二焊盘。两个最接近的第一焊盘之间的距离为第一距离，至少两个相邻的第二焊盘之间的距离为第二距离，至少一个第二焊盘与相邻的第一焊盘之间的距离为第三距离。第二距离大于第一距离，和/或，第三距离大于第一距离。如此设置，使得外周焊接区中至少一个第二焊盘与相邻的焊盘之间的距离较大，从而在一定程度上减少了外围焊接区的焊盘与其相邻的焊盘之间出现短路的情况。
一种芯片封装结构

[实用新型]芯片管脚封装结构及电子设备-CN202320580755.8有效
发明人：王星;柳雷 -专利权人：篆芯半导体（南京）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子线路板技术领域，尤其涉及一种芯片管脚封装结构及电子设备。其中芯片管脚封装结构包括封装基板，封装基板的一面设有供电区，供电区设置有多个第一管脚，多个第一管脚包括多个边缘管脚和多个内部管脚，任意一个内部管脚的周向分散设置有六个所述第一管脚，且对应该内部管脚的六个第一管脚的依次连线形成正六边形，该内部管脚处于所述正六边形的中心。根据本实用新型的芯片管脚封装结构，通过将管脚的布置方式设置成正六边形结构，正六边形结构所占的面积约为矩阵结构所占面积的0.866。正六边形布置使得相同面积下供电区的管脚数目增加了15％，在每个管脚的最大供电电流一定的情况下，整个芯片所能获得的电流值和功耗值可以提升15％。
芯片管脚封装结构电子设备

[发明专利]布线基板、布线基板的制造方法以及半导体装置-CN202210841242.8在审
发明人：川田智则 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供布线基板、布线基板的制造方法以及半导体装置，具有较高的通用性。布线基板具备：第一绝缘层；第一焊盘区域，其设于第一绝缘层的上方，包含第一连接焊盘；第二绝缘层，其相对于第一绝缘层比第一连接焊盘靠上方设置，具有使第一连接焊盘露出的第一开口；第二焊盘区域，其设于第二绝缘层的上方，包含电连接于第一连接焊盘的第二连接焊盘；以及第三绝缘层，其相对于第二绝缘层比第二连接焊盘靠上方设置，具有使第一连接焊盘以及第二连接焊盘露出的第二开口。第一焊盘区域比第二焊盘区域小。
布线制造方法以及半导体装置

[发明专利]部件承载件和制造部件承载件的方法-CN202310251609.5在审
发明人：马库斯·莱特格布;格诺特·格罗贝尔 -专利权人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种部件承载件和制造部件承载件的方法，部件承载件包括：包括电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件，电传导层结构中的至少一部分具有第一密度的迹线结构和第二密度的连接结构；包括另外的电绝缘层结构和另外的电传导层结构的另外的叠置件，另外的电传导层结构中的至少一部分具有第三密度的另外的迹线结构和第四密度的另外的连接结构；被施加至叠置件的第一部件；以及被嵌入到另外的叠置件中的第二部件；连接结构分别连接至另外的连接结构，迹线结构的第一密度低于另外的迹线结构的第三密度，叠置件和另外的叠置件通过叠置件的连接结构并且通过另外的叠置件的另外的连接结构彼此连接，第一部件连接至第二部件。
部件承载制造方法

[发明专利]电子封装件及其封装基板与制法-CN202210315529.7在审
发明人：陈敏尧;张垂弘 -专利权人：芯爱科技（南京）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种电子封装件及其封装基板与制法，其封装基板包括于绝缘部中嵌埋线路层及表面处理层，且该表面处理层结合于该线路层的顶面上，而未形成于该线路层的侧面上，故该线路层能维持原本预定的线距，以有利于该封装基板朝细间距/细线路的设计发展。
电子封装及其制法

[发明专利]部件承载件及其制造方法-CN202310258892.4在审
发明人：马库斯·莱特格布;杰勒德·弗雷德尔 -专利权人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种部件承载件，该部件承载件包括：叠置件，叠置件包括电传导层结构和至少一个电绝缘层结构，其中，电传导层结构包括较高密度连接区域和较低密度连接区域；以及第一部件和第二部件，第一部件和第二部件被表面安装在所述叠置件上；其中，第一部件和第二部件通过较高密度连接区域彼此电耦合。本申请还提供了一种制造部件承载件的方法。
部件承载及其制造方法

[发明专利]电子装置-CN202310751266.9在审
发明人：郑百乔 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一电子装置，其包括基板、第一衬垫、绝缘层、另一绝缘层以及与第一衬垫相对设置的第二衬垫。第一衬垫设置在基板上并包括第一导电组、第二导电组以及设置在第一导电组与第二导电组上的氧化物层。绝缘层设置在第二导电组及氧化物层之间，其中绝缘层具有一开口，氧化物层覆盖位于该开口中的第二导电组且延伸覆盖一部分的绝缘层。另一绝缘层设置在第二导电组及第一导电组之间，其中另一绝缘层具有另一开口，第二导电组覆盖位于该另一开口中的第一导电组且延伸覆盖一部分的另一绝缘层。
电子装置

[发明专利]半导体器件及集成电路-CN202310091321.6在审
发明人： D·J·朱斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在一些方面，本文所述的技术涉及一种半导体器件及集成电路。该半导体器件包括：包括多个引脚的封装件；半导体管芯，其包括：第一接合焊盘；第二接合焊盘；以及传输晶体管，其具有：与该第一接合焊盘电耦接的漏极端子；以及与该第二接合焊盘电耦接的源极端子；在该多个引脚中的一个引脚与该第一接合焊盘之间延伸的第一键合引线；以及在该引脚与该第二接合焊盘之间延伸的第二键合引线，该传输晶体管被配置为便于检测以下项中的至少一项：该引脚与该第一接合焊盘之间电气连续性的缺乏；或者该引脚与该第二接合焊盘之间电气连续性的缺乏。
半导体器件集成电路

[发明专利]一种低芯片温度梯度的功率半导体模块封装结构及方法-CN202311052204.5在审
发明人：杨鑫;赵诗涵 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种低芯片温度梯度的功率半导体模块封装结构及方法，封装结构包括功率半导体芯片、衬板和基板；衬板包括从上至下依次连接的上铜层、陶瓷层和下铜层，功率半导体芯片通过芯片焊料层与上铜层连接，下铜层通过衬板焊料层与基板连接，芯片焊料层的材料分别为第一材料和第二材料，芯片焊料层中应力小于或者等于设定应力的区域选用第二材料，芯片焊料层中应力超过设定应力的区域选用第一材料，第一材料的屈服强度大于第二材料。本发明提出的一种低温度梯度功率半导体模块封装结构在相对较低的成本下，能有效降低功率半导体芯片表面的温度梯度，同时也降低了芯片焊料层的热应力，提高了功率半导体模块的寿命。
一种芯片温度梯度功率半导体模块封装结构方法

[发明专利]集成电路的连线网络、集成电路、芯片及电子设备-CN202011153930.2有效
发明人：刘君 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种集成电路的连线网络、集成电路、芯片及电子设备，属于微电子技术领域。本申请提供的连线网络中包括在竖直方向上层叠设置的金属层、中间隔断层、重布线层、电源凸点和接地凸点，金属层中的导线延伸的方向与重布线层中导线延伸的方向之间的夹角小于90度且大于0度，由于重布线层中的导线与金属层中的导线不等于90度，也即重布线层中的导线能够作为导通逻辑元件到凸点之间水平方向和垂直方向两个方向上的导线，由于重布线层中的导线的电阻小于相同长度的金属层中的导线的电阻，因此，本申请提供的连线网络能够降低集成电路的走线电阻，减少集成电路上的电压降，从而降低了集成电路的延时，提高了集成电路的性能。
集成电路连线网络芯片电子设备

[发明专利]重新布线层、具有所述重新布线层的封装结构及制备方法-CN201710338191.6有效
发明人：吴政达;林正忠;蔡奇风;林章申 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种重新布线层、具有所述重新布线层的封装结构及制备方法，所述重新布线层至少包括：介电层；金属叠层结构，位于所述介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；金属种子层，位于所述介电层内，且位于所述金属叠层结构的一表面上，所述金属种子层的材料与所述金属线层的材料相同。本发明的重新布线层采用与其材料相同的单一材料作为种子层，在对种子层进行刻蚀时不存在侧切现象，所述重新布线层中金属线的线宽及线间距均比较小；将所述重新布线层应用于封装结构中时，在相同的尺寸内可以得到更多的供电轨道。
重新布线有所封装结构制备方法

[发明专利]集成电路装置-CN201910800057.2有效
发明人：郭大荣;金志睿;千正焕;郭玟灿;卢东贤;李珍旭;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
集成电路装置

[实用新型]包括铜柱数组的半导体结构-CN202320229402.3有效
发明人：陈玮佑;张向晴;李建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开的各种实施例提供一种包括柱数组的半导体结构。中介层包括第一中介层接合接垫。使用中介层侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至第一中介层接合接垫。通过使用衬底侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至位于封装衬底上的衬底接合接垫以将封装衬底贴合至铜柱结构的数组。
包括数组半导体结构