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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]错误检测方法和包括一个或多个存储器设备的系统-CN200980151271.4无效
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：公开了一种包括一个或多个存储器设备的系统和错误检测和纠正方法。该系统的存储器设备包括用于接收包的输入。该包的第一部分可包括至少一个命令字节，且该包的第二部分可包括奇偶校验位以便于命令错误检测。该存储器设备可包括配置为基于该奇偶校验位来检测是否在至少一个命令字节中存在错误的错误管理器，和配置为将包提供到错误管理器的电路。
错误检测方法包括一个存储器设备系统

[发明专利]用于检验存储器的方法-CN201010263912.X有效
发明人：傅承煊 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检验存储器的方法，尤其是用于检验功能检验系统的功能监视存储器的方法，包括：执行(101)存储器检验例程，其中n次检验所述至少一个存储器，其中n是检验(103)的预先确定的数目；以及在经过预先确定的时间间隔之后重新执行(105)存储器检验例程。
用于检验存储器方法

[发明专利]降低存储器漏电流的方法与存储器存取方法-CN200910004734.6无效
发明人：张全仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：本发明提供一种降低存储器漏电流的方法。在存储器开机时，执行备用栏位检测，以找出存储器的损坏存储单元。接着根据备用栏位检测结果，切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此，当存储器在预充电时，损坏存储单元的位元线不会被预充电，以避免损坏存储单元的位元线与字元线之间出现漏电流。
降低存储器漏电方法存取

[发明专利]用于利用乘积码来纠正非易失性存储器中的错误的系统和方法-CN200780029503.X有效
发明人：吴子宁;潘塔斯·苏塔迪嘉 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：一种用于非易失性(NV)存储器的乘积码编码器包括第一编码器，该第一编码器将数据编码到存储在NV存储器中的第一维中的码字中。乘积码编码器还包括第二编码器，该第二编码器将数据编码到存储在NV存储器中的第二维中的码字中。乘积码码字基于第一维的码字和第二维的码字。
用于利用乘积纠正非易失性存储器中的错误系统方法

[发明专利]具有错误校正能力和高效率的部分字写操作的存储器设备-CN200780022825.1有效
发明人： R·A·柯勒;R·J·麦克帕特兰德;W·E·沃纳 -专利权人：艾格瑞系统有限公司
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：存储器设备包括存储器阵列和连接到存储器阵列的错误校正电路。存储器设备配置用于执行至少部分字写操作和读操作，部分字写操作包括读阶段和写阶段。例如通过在时钟周期内在部分字写操作的写阶段和读操作之间时分多路复用存储器阵列的位线，使得部分字写操作的写阶段与读操作在存储器设备的同一时钟周期内发生。因而，部分字写操作使得在包括或者以其他方式利用存储器设备的高级系统看来该操作只要求存储器设备的单个时钟周期。
具有错误校正能力高效率部分操作存储器设备

[发明专利]检验闪存单元电性能的方法-CN200610119139.3无效
发明人：金泰圭;金钟雨;叶向华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种检验闪存单元电性能的方法，包括下列步骤：对闪存单元做规定时间的存储电子编程，通过测量阈值电压，将达到规定参考值的闪存单元筛选出来作为第一批初步符合要求的闪存单元，随后对筛选出的闪存单元进行一定时间的再次存储电子编程，再对这些闪存单元进行烘培，最后再对经过烘培的这些闪存单元再次测量阈值电压，判断是否仍能够维持在参考值，以此来确定闪存单元最终是否符合电性能要求。通过上述检验方法，能够使得那些电性能处于临界状态的闪存单元由于再次存储电子编程而获得阈值电压余量，弥补烘培造成的阈值电压下降，从而使阈值电压维持在参考值通过电性能检测，因而提高产品良率。
检验闪存单元性能方法

[发明专利]记忆体动态管理方法-CN200610079098.X有效
发明人：许昌伟;吴濬杰 -专利权人：宇瞻科技股份有限公司
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：本发明是有关于一种记忆体动态管理方法，其是适用于一可携式储存装置中，主要特征是包括下列步骤。首先，读取储存于该可携式储存装置的使用模式对照表，检查目前记录使用模式的标签为第k级，并确认该保留区的最大容许坏轨量，其中1≤k≤n；接着，读取该保留区中的坏轨数量。检查该保留区中的坏轨数量是否大于最大容许坏轨量，若是，修改使用模式，修改该标签由第k级至第k+1级；若否，则不用修改，程式结束。本发明藉由以软件程式动态地修改可携式储存装置的储存空间，可有效解决现有的可携式储存装置中保留区的固定空间，只能容纳一定坏轨数量，无法根据可携式储存装置中的坏轨数量来动态地更改保留区的问题，而可使该可携式储存装置的使用效能达到最佳化。
记忆体动态管理方法

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