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[发明专利]非易失性存储器掉电后的恢复-CN200910222338.0有效
发明人： J·埃金顿;H·乔杜里 -专利权人： J·埃金顿;H·乔杜里
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：非易失性存储器阵列能够在掉电之后被恢复。在一种实施例中，在掉电后，对存储器阵列中的页进行扫描，以寻找第一空闲页。该第一空闲页被标记为可用，被标记为可用的页在下一个写周期被写入。
非易失性存储器掉电恢复

[发明专利]具有位于存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置-CN200880021966.6有效
发明人：东谷政昭 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：一种具有存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置。屏蔽板通过在存储元件和它们的相关字线之间沉积诸如掺杂的多晶硅的导电材料以及提供用于屏蔽板的触点而形成。屏蔽板降低了存储元件的浮置栅极之间的电磁耦合，并可用于优化编程、读取和擦除操作。在一种方式中，屏蔽板在感测操作期间提供NAND串中的存储元件之间的场感应导电性，使得衬底中无需源极/漏极植入。在一些控制方案中，交替的高电压和低电压被施加到屏蔽板。在其他控制方案中，共同的电压被施加到屏蔽板。
具有位于存储元件之间单独控制屏蔽非易失性装置

[发明专利]具有耐插拔串接槽的迷你随身碟-CN200710196594.8无效
发明人：于鸿祺;卢科文;邱文俊 -专利权人：华东科技股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有耐插拔串接槽的迷你随身碟，主要包含一存储器模块封装件、多个弹性导电片以及一用以固定所述弹性导电片的绝缘固定件。设于串接槽内为多个转接指，邻近设于该存储器模块封装件的一端。每一弹性导电片位于对应转接指的上方。借由该绝缘固定件的固定，所述弹性导电片为突出状显露。当插接另一随身碟于该串接槽时，所述弹性导电片的接触端导电性接触至所述转接指，使两个随身碟达到电性互连但不会对转接指直接造成磨擦刮伤，故可提供耐插拔的电性接触。
具有耐插拔串接槽迷你随身

[发明专利]最小化位干扰及存储器阵列及支持电路的电压耐受要求的用于编程及擦除NMOS EEPROM单元阵列的方法-CN200780019864.6有效
发明人：肯特·休依特;唐纳德·格伯;杰弗里·A·希尔兹 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种编程和擦除NMOS电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元阵列的方法，其使位干扰及对存储器阵列单元和支持电路的高电压要求最小化。此外，通过产生在其上制造存储器区段的多个电隔离的P井，可将N沟道存储器单元阵列分离成可独立编程的存储器区段。例如，可通过p-n接面隔离或介电隔离来形成所述多个电隔离的P井。
最小化干扰存储器阵列支持电路电压耐受要求用于编程擦除 nmos eeprom

[发明专利]一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路-CN200710176507.2有效
发明人：黄钧;李刚;陈震;徐磊;陈冈;宗萍;乔瑛;殷越;刘亮 -专利权人：北京同方微电子有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路，涉及FLASH闪存技术领域。本发明控制电路包括分为普通区、常用区和替换区的FLASH。普通区和常用区为系统总线可访问区域，普通区不可被替换。常用区可通过替换区对坏块的逻辑地址进行替换。替换区为常用区的替换备份区。本发明控制电路还包括控制FLASH擦替换的擦替换控制单元、系统上电时用来检查并校验写错误的上电纠错单元、索引存储单元以及控制FLASH擦写时序的FLASH接口单元。同现有技术相比，本发明通过对FLASH进行物理上的配置分区，对坏块进行记录和擦写替换以及上电纠错，实现系统逻辑地址访问NOR FLASH时，有不同擦写耐力。
一种实现 nor flash 管理方法及其控制电路

[发明专利]平均磨损方法及使用此方法的控制器-CN200710167007.2有效
发明人：叶志刚 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明提出一种有限系统资源下的平均磨损方法，适于非易失性存储器，其中，非易失性存储器实质上分割为多个数据块且此些数据块至少分组为数据区、备用区、替换瞬时区，数据区的这些数据块可分为多个最近使用数据块与多个最近未使用数据块，此平均磨损方法包括：a.仅记录最近使用数据块以及备用区的数据块抹除次数；b.当从备用区中提取用于替换瞬时区的数据块时，以备用区中其它数据块的抹除次数加上第一阈值为提取的判断条件；以及c.执行耗损调整程序。其中，所提取数据块与其它数据块是以一随机方式或一循序方式来选取。
平均磨损方法使用控制器

[发明专利]用以增强存储装置的保留特性的方法-CN200710181260.3有效
发明人：吴昭谊;徐子轩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明是经由执行一保留改善工艺来改善一存储装置保留特性的方法。而该保留改善工艺包含，一烘烤流程，将该存储装置安置于一高温环境下；一确认流程，决定存储装置存储单元的逻辑状态；以及一重新编程流程，经由在一0－状态编程存储单元至一高阈值电压状态，而再次地编程该存储装置。在烘烤步骤中，安置该存储装置于一高温环境下，经由释放浅层捕捉电荷来造成一电荷流失，使得保存可靠度获得改善。
用以增强存储装置保留特性方法

[发明专利]具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置及其资讯储存方法-CN200710090764.4无效
发明人：章耀勋;龚荣华 -专利权人：宇瞻科技股份有限公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置及其资讯储存方法。该具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置运用一单级单元式执行架构以提供资讯快速存取进而提升处理效能，并运用一多级单元式执行架构以增加每单元储存资料量密度而达到降低每单位资讯的成本与体积；该资讯储存方法将如作业系统程序、应用程序等重要资讯或存取次数频繁的资讯储存于单级单元式执行架构以提高存取速度与处理效能，而将一般性资讯储存于多级单元式执行架构以降低每单位资讯的成本与体积。
逻辑型快闪记忆体储存装置及其资讯方法

[发明专利]使用单层单元和多层单元闪速存储器的便携式数据存储-CN200580051689.X无效
发明人：陈胜利;符延彬;钦贤·雷蒙德·黄 -专利权人：特科2000国际有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：公开了一种便携式数据存储设备，其包括：接口(3)，用于使能便携式数据存储设备与主计算机(5)进行数据传输；以及接口控制器(2)，用于控制接口(3)。还有主控制器(7)，用于对将数据写入非易失性存储器(8，9)以及从非易失性存储器(8，9)中读取数据进行控制。非易失性存储器是至少一个单层单元(SLC)闪速存储器(8)和至少一个多层单元(MLC)闪速存储器(9)。至少一个单层单元闪速存储器(8)和至少一个多层单元闪速存储器(9)能够同时工作，以提高仅通过多层闪速存储器工作的速度。
使用单层单元多层存储器便携式数据存储

[发明专利]一种闪存阵列装置-CN200710171787.8有效
发明人：舒曼·拉菲扎德;保罗·威尔曼;林贻基;胡英 -专利权人：苏州壹世通科技有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存阵列装置，加大存储容量、加快存取速度、降低了功耗。其技术方案为：闪存阵列装置包括：物理输入/输出接口，与外界进行数据传输；多个闪存模块组成的闪存阵列；闪存阵列控制器，设置在该物理输入/输出接口和该闪存阵列之间，进一步包括：块映射单元，在该物理输入/输出接口与外界之间数据传输的逻辑地址、该物理输入/输出接口与该闪存阵列之间数据传输的物理地址之间进行地址映射。本发明应用于存储设备领域。
一种闪存阵列装置

[发明专利]电子硬盘-CN200610113958.7无效
发明人：许丰 -专利权人：北京锐科天智科技有限责任公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子硬盘，采用非易失存储器(如FLASH，FRAM等)做为静态数据载体，采用随机存储器(如SDRAM，DDR内存等)做为动态数据载体，采用快速访问并带纠错(如ECC等)的控制器对存储器进行存取与安全控制，当外部设备访问电子硬盘时，控制器把非易失存储器中数据缓冲到随机存储器，根据外部设备请求进行读写，当外部设备停止对电子硬盘访问或到达刷新条件(外部设备发出刷新请求或控制器达到定时刷新间隔)时控制器把随机存储器中数据写回非易失存储器。为了防止外部突然掉电对数据的损坏，电子硬盘中有内置或外置电池维持随机存储器对非易失存储器数据的写入。本发明还公开了一种安全多媒体电子硬盘，一种电子硬盘内存和一种电子硬盘伴侣。
电子硬盘

[发明专利]非易失性的电可编程存储器-CN200710146845.1有效
发明人： R·米歇洛尼;R·拉瓦西奥 -专利权人：意法半导体股份有限公司;海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性的电可编程存储器。提供一种固态大容量存储器件(105，100；400，415，420)。该固态大容量存储器件限定了适于存储数据的存储区域(100；415)；该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度存储数据。该存储区域至少包括第一存储区域部分(120)和第二存储区域部分(130)。该固态大容量存储器件进一步包括存取装置(105；420；440)，该装置适于利用第一存储区域部分以第二存储密度以第二数据传送速度存储数据，以及适于利用第二存储区域部分以第三存储密度和第三数据传送速度存储数据。第二存储密度低于第三存储密度，其又低于或等于第一存储密度；第二数据传送速度高于第三数据传送速度，其又高于或等于第一数据传送速度。
非易失性可编程存储器

[发明专利]包括块信息块的闪存设备及操作该闪存设备的方法-CN200710138500.1无效
发明人：金恩敬;牟炫宣;姜相喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器设备，其包括：多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和备用区；以及存储所述存储器块的块信息的块信息存储区。
包括信息闪存设备操作方法

[发明专利]与非闪存的读取方法-CN200610086318.1有效
发明人：金泰瓘 -专利权人：乐金电子（昆山）电脑有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种与非闪存的读取方法，包括：CPU输入读取的指令和地址，从与非闪存中读取相关页面数据；为了检测是否在上述相关页面数据中存在错误，生成正确的ECC值，将该值与上述相关页面的ECC值进行比较；当上述两个ECC值的比较结果是在上述相关页面中发生1字节错误时，对发生的1字节错误进行纠正后，对相应的错误页面一览表进行更新，当上述相关页面的1字节错误发生的次数超过已设定的频度基准次数时，将相关页面数据存储到已设定的预约区域中；当上述两个ECC值的比较结果是在上述相关页面发生2字节错误时，如果判断在上述预约区域存在相关页面的数据，则读取该区域存储的相关页面数据，执行第2步骤。
闪存读取方法

[发明专利]单锁存结构的多位闪存器件及编程方法、系统和存储卡-CN200710138897.4有效
发明人：李镐吉;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：提供一种多位非易失性存储器件。所述存储器件包括存储单元阵列，其包括多个存储单元。页缓冲器电连接到所述存储单元阵列。所述页缓冲器包括多个锁存器，其被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的多位数据的第一位。缓冲随机存取存储器(RAM)电连接到所述页缓冲器。所述缓冲RAM被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的所述多位数据的第二位。还提供相关系统、存储卡和方法。
单锁存结构闪存器件编程方法系统存储