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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电容串结构、存储器装置及电子装置-CN202210381200.0在审
发明人：陈重光;萧增辉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电容串结构、存储器装置及电子装置。电容串结构包括多个导电板。导电板设置在存储器装置中。导电板相互堆叠，分别形成存储器装置中的多条字线，其中导电板中相邻的二者间形成电容。
电容结构存储器装置电子

[发明专利]忆容器、忆容器的编程方法和容变式存储器-CN201880002043.X有效
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种忆容器、忆容器的编程方法和容变式存储器，该忆容器包括：源电极，为金属材料；第一绝缘介质层，沿水平方向设置在所述源电极的外侧；编程电极，沿水平方向设置在所述第一绝缘介质层的外侧；第二绝缘介质层，设置在所述源电极和所述第一绝缘介质层的上表面；读取电极，设置在所述第二绝缘介质层的上表面，所述读取电极、所述第二绝缘介质层和所述源电极之间形成电容器。
容器编程方法容变式存储器

[发明专利]电容矩阵布置及其激励方法-CN201780076100.4有效
发明人： K·德玛斯休思;A·克斯什 -专利权人：塞姆隆有限责任公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容矩阵布置，其包括有源介质，其布置在字线和位线之间的层中，其交叉点具有可通过字线和位线的激励选择的具有介入有源介质的电容单元，还涉及一种激励方法，其中本发明基于将矩阵中的电容元件的有源激励与无源激励的优点结合的目标。这是通过字线具有可变的德拜长度来实现的，即它们由具有可变移动电荷载流子浓度的材料组成，并且布置在有源介质和非有源电介质之间。通过控制电场的作用来进行激励。
电容矩阵布置及其激励方法

[发明专利]电熵存储器设备-CN201680069884.3有效
发明人： D·R·卡弗;S·C·霍尔;C·K·安德烈庞特;S·W·雷诺兹;J·H·吉布斯;B·W·富尔费尔 -专利权人：卡弗科学有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本文公开了包括电熵存储设备(EESD)的阵列的电熵存储器设备的实施例，以及制作和使用所述电熵存储器设备的方法。所述存储器设备包括按行布置以选择一行EESD的多个地址线，以及按列布置以选择一列EESD的多个数据线，其中每个EESD都串联地耦合在被连接至所述EESD的一侧的地址线和被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间。所述存储器设备可以具有包括多层地址线、数据线和EESD的堆叠架构。所公开的电熵存储器设备可以在ROM和RAM模式下操作。所公开的电熵存储器设备中的EESD可以包括2‑4096个逻辑状态，和/或具有0.001kb/cm3至1024TB/cm3的密度。
存储器设备

[实用新型]一种铁电存储器-CN202020305887.6有效
发明人：刘藩东;华文宇;马科 -专利权人：珠海拍字节信息科技有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁电存储器，其包括铁电存储单元，所述铁电存储单元包括：电容器，所述电容器包括下电极、上电极以及布置在下电极与上电极之间的铁电层；第一晶体管，所述第一晶体管的源极电连接到位线，第一晶体管的栅极电连接到第一字线，第一晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极；以及第二晶体管，所述第二晶体管的源极电连接到位线，第二晶体管的栅极电连接到第二字线，第二晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极，其中所述电容器的上电极连接到板线。
一种存储器

[发明专利]模块化的三维电容器阵列-CN201080041800.8有效
发明人： L·L·徐;X·欧阳;C-C·杨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：一种模块化的电容器阵列包括多个电容器模块。每个电容器模块包括电容器和开关器件，该开关器件配置成电断开电容器。开关器件包括配置成检测该电容器的漏电水平的感测单元，从而使得如果泄漏电流超过预定水平，则开关器件电断开电容器。每个电容器模块可以包括单个电容器平板、两个电容器平板或多于两个的电容器平板。使用漏电传感器及开关器件以电断开电容器阵列的任何漏电的电容器模块，从而保护电容器阵列免受过度漏电之害。
模块化三维电容器阵列

[发明专利]用于短路保护的晶体管栅极驱动器-CN201080022545.2无效
发明人： R·皮特戈伊-阿伦;张万峰 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：特定实施方式总体上涉及驱动器结构。在一个实施方式中，装置包括驱动用于晶体管的第一电流的第一驱动器。第一驱动器在驱动晶体管的驱动时间的第一部分期间驱动第一电流。第一驱动器在第二部分期间为关。第二驱动器在第二部分期间驱动用于晶体管的第二电流。
用于短路保护晶体管栅极驱动器

[发明专利]存储电容器-CN201110281063.5无效
发明人：朴根雨 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明公开了存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件。一种存储电容器包括：第一供电单元和第二供电单元，以及串联在第一供电单元和第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。
存储电容器

[发明专利]存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件-CN200910128457.X无效
发明人：朴根雨 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明公开了存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件。一种存储电容器包括：第一供电单元和第二供电单元，以及串联在第一供电单元和第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。
存储电容器包括半导体器件

[发明专利]在一个单元中具有多个并联的沟槽电容器的多端口存储器-CN200780001802.2无效
发明人：程慷果;R·迪瓦卡鲁尼;J·A·曼德尔曼;C·J·拉登斯;王耕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：提供一种包括存储器的集成电路，该存储器在每个存储器单元中具有多个端口，用于在多个存储器单元中的每一个内存取数据位。这样的存储器包括存储器单元阵列，其中每个存储器单元包括连接在一起作为单一电容源的多个电容器(102)。第一存取晶体管(104)耦合在多个电容器中的第一个与第一位线之间，并且第二存取晶体管(106)耦合在多个电容器中的第二个与第二位线之间。在每个存储器单元中，第一存取晶体管的栅极连接至第一字线，并且第二存取晶体管的栅极连接至第二字线。
一个单元具有并联沟槽电容器多端存储器

[发明专利]保留的易失性存储器单元-CN200680031239.9无效
发明人：皮尔·瑞索;克里多夫·摩尔鲁克斯;大卫·那拉;阿曼·卡利 -专利权人： ST电子有限公司
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种持久的易失性存储器单元(PVCELL)，用于在独立于该存储器单元的供电电压(Vcc)的保持时间(Tp)内存储二进制数据(Fp)。根据本发明，该存储器单元包含：供应持久电压(Vp)且具有确定的放电时间的电容性存储点(CMP)，用在擦除信号(RESET)具有有效值时触发该存储点放电的开关(T1)，用于在写入信号(SET)具有有效值时触发该存储点充电的开关(T2)，以及具有接收持久电压(Vp)的输入端(IN1)和提供二进制数据(Fp)的输出端(OUT1)的感测放大器电路(SACT)。特别应用于在无接点集成电路中管理盘存标签。
保留易失性存储器单元

[发明专利]使用相变材料存储器元件的非易失性内容可寻址存储器-CN200680016650.9有效
发明人： L·L·C·苏;B·L·季;C·H·兰;H－S·P·翁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：一种非易失性内容可寻址存储器单元包括：第一相变材料元件，所述第一相变材料元件具有连接到匹配线的一端；第一晶体管，所述第一晶体管具有连接到字线的栅极、连接到真位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第一相变材料元件的另一端的漏极；第二相变材料元件，所述第二相变材料元件具有连接到所述匹配线的一端；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有连接到字线的栅极、连接到互补位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第二相变材料元件的另一端的漏极。
使用相变材料存储器元件非易失性内容寻址

[发明专利]1T1C SRAM-CN200480020439.5无效
发明人：孙正德 -专利权人：兹莫斯技术有限公司
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：描述了存储器电路和方法，其提供与高密度动态存储器(DRAM)，如1T1C(1晶体管和1电容器)存储器单元的接口，从而提供了与静态存储器(SRAM)的完全兼容性。所述电路克服了DRAM的、如与恢复和刷新相联系的缺陷，所述缺陷已经阻碍了针对SRAM兼容器件的对DRAM核心的全面利用。所述电路可单独地或更优选地组合地结合本发明的许多方面，包括用于限制最大页面模式周期时间的脉冲化字线结构、带有任选地址缓冲的地址持续期比较功能、以及在写控制信号禁止之后开始写操作的迟写功能。
t1c sram

[发明专利]存储器-CN200410075264.X无效
发明人：宫本英明;境直史;石塚良行 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-13 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制扰动现象的存储器。该存储器，在对一部分所述选择存储装置进行重写动作，或者对全体选择存储装置都不进行重写动作时，选择字线以及与不被重写的存储装置对应的各个位线，在将互相之间的电位差维持在给定值以下的情况下进行升压，同时，让向选择字线以及与被重写的所述存储装置对应的各个位线施加用于重写的电压的期间长度，与字线以及与不被重写的存储装置对应的位线中至少任一方的电位迁移期间长度不一样。
存储器

[发明专利]具有电荷泵像素单元的空间光调制器-CN03800124.1有效
发明人： P·理查兹 -专利权人：反射公司
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：一种电压存储单元电路，包括存取晶体管和存储电容，其中所述存取晶体管的源极连接到位线，所述存取晶体管的栅极连接到字线，且其中所述存取晶体管的漏极连接到所述存储电容的第一板而形成存储节点，而且其中所述存储电容的第二板接到一泵信号。这种方案允许进行新颖的像素电路设计，其面积需要可与1T1C DRAM类的像素单元的面积需要相比，而具有在通路晶体管的击穿电压所允许的整个范围输出电压摆动的优点。例如微镜阵列的空间光调制器可以包含这种电压存储单元。
具有电荷像素单元空间调制器

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