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[发明专利]用于单晶炉的坩埚轴-CN201310380289.X在审
发明人：秦青云 -专利权人：常州华腾合金材料有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明属于光伏太阳能领域，具体是一种用于单晶炉的坩埚轴，它用于生长晶硅的单晶炉。它包括轴体以及轴体内的内管，所述的轴体的壁内设有一个冷却通路，该冷却通路一端与轴体的冷却夹层连通，另一端与冷却夹层的出水口连通，轴体的一端设有用于连接石墨托杆轴的内螺纹孔。本发明的优点是通过内螺纹孔防止了螺纹损坏，通过冷却通路与通路内凹槽的设置，增强了冷却效果，延长了设备的使用寿命。
用于单晶炉坩埚

[发明专利]碳制坩埚及其制造方法-CN201380035277.1无效
发明人：平冈利治;町野洋;川上雅昭 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供碳制坩埚及其制造方法，其采用为了防止坩埚的破裂而将直躯干部与托盘部分割开的构造，并且制造成本低廉且能够缩短交货期。碳制坩埚(1)采用具备直躯干部(9)和托盘部(10)且被上下分割的结构。直躯干部(9)为碳纤维增强碳基复合材料(C/C复合材料)制，托盘部(10)为石墨制。在托盘部(9)的上端面设有外周侧比内周侧高的台阶部(11)。直躯干部(9)与台阶部(11)嵌合，并且在该嵌合的状态下，在台阶部(11)的内周面(11a)与直躯干部(9)的外周面(9a)之间设有间隙(A)。间隙(A)优选为直躯干部的直径的0.1％～1.0％。
坩埚及其制造方法

[发明专利]一种用于单晶生长的石英坩埚及其制备方法-CN201410720086.5有效
发明人：高延敏;李丽英;陆介平;韩莲;赵君 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚，包括内层和外层，其中，所述内层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得；所述的外层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的纳米二氧化硅、稳定相物质和氮化硅按比例制备而成，所述的稳定性物质为氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮化钛、氮化铝和氮化锆中的任意一种。本发明将石英坩埚分为内外两层生产，内层是采用合成石英，其中在石英的颗粒尺度上进行控制，包括大颗粒与小颗粒；外层通过加入增强相和稳定相控制石英强度，增强相加入的物质为天然硅砂二氧化硅。本发明的制造方法提供了石英坩埚强度高、耐久性好、外层粘度高等物理性质，因此可以防止高温加热导致的石英坩埚的开裂、漏硅。
一种用于生长石英坩埚及其制备方法

[其他]用于硅晶体制备的石墨坩埚-CN201290000953.2有效
发明人： A.J.弗兰西斯;R.A.雷诺三世;R.C.埃罗伊特;G.D.希弗斯;P.苏布拉马尼安;O.克鲁斯 -专利权人：格拉弗技术国际控股有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：公开了用于硅晶体制备的石墨坩埚。所述坩埚包括底壁，该底壁包括底壁内部的外层表面。多个侧壁从底壁向上延伸，每个侧壁包括侧壁内部的外层表面。接触点设置在侧壁上以防止坩埚在铸锭移除期间向上移动。侧壁具有垂直于凝固方向的热膨胀系数，该系数小于在坩埚中加工的硅的热膨胀系数的95%。另外，侧壁和底壁在室温下具有从约90至约160W/m·K的贯通面热导率。所述方法涉及具有顶部表面和在后加工步骤中将被移除的切割区域的硅铸锭，所述方法包括：将一个或多个紧固件在所述切割区域中的位置处附接到所述顶部表面；向上牵拉所述一个或多个紧固件，从而从所述石墨坩埚移除所述硅铸锭。
用于晶体制备石墨坩埚

[发明专利]一种单晶炉埚杆的修复方法-CN201410618479.5在审
发明人：刘彬国;何京辉;曹祥瑞;黄瑞强;陈二星 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉埚杆的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：将断裂的石墨埚杆的杆体和托体的断裂面整形抛光为平面；在断裂平面的同一位置上，分别制作螺纹孔，托体螺纹孔贯穿托体，螺纹孔孔径相同；再将杆体和托体的断裂平面对接，用螺钉从托体上部旋入托体和杆体的螺纹孔，固定连接杆体和托体；根据固定好的杆体和托体的总长度a，制作加长件，加长件的加长长度为b，使得a和b的和满足所需埚杆的总长度，加长件的上部形状尺寸与托体的上部形状尺寸相同，为圆柱形凹槽；加长件的底面形状尺寸与托体的上部形状尺寸相适配。本发明提供了一种可靠经济的单晶炉石墨埚杆修复方法，延长了埚杆的使用寿命，降低了生产成本，提高了生产效益。
一种单晶炉埚杆修复方法

[发明专利]石英坩埚及其制备方法-CN201310345023.1在审
发明人：陈龙;伍耀川;何钊煊;孙前颂;潘守明 -专利权人：徐州协鑫太阳能材料有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种石英坩埚，包括坩埚主体，坩埚主体包括坩埚内壁、坩埚外壁以及坩埚底壁。坩埚内壁的底部具有通孔；在坩埚主体与硅熔液接触面上涂覆有保护涂层。上述石英坩埚，在坩埚内壁以及坩埚外壁之间形成持续注入固态或液态硅料的环形加液区。与传统技术相比，固态或液态硅料能够在环形加液区内进行温度混合以及流速缓冲，从而减少了硅熔液对晶体生长环境的温度扰动，提高了长晶质量。在坩埚主体上涂覆的保护涂层，能够减少石英由于“析晶”现象对坩埚主体的破坏，有效阻止了硅熔液与坩埚主体发生反应的几率，在提高石英坩埚的使用寿命的同时，也提高了单晶硅的纯度。此外，还揭示了石英坩埚的制备方法。
石英坩埚及其制备方法

[实用新型]一种四节式炭素材料组合坩埚-CN201420512775.2有效
发明人：刘俊锋;闫卫东;戴开瑛;崔金 -专利权人：湖南南方搏云新材料有限责任公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种四节式炭素材料组合坩埚，包括炭-炭坩埚（4）、石墨坩埚（5），所述炭-炭坩埚（4）由炭-炭坩埚上段（1）、炭-炭坩埚中段（2）和炭-炭坩埚下段（3）构成，炭-炭坩埚上（1）、炭-炭坩埚中（2）、炭-炭坩埚下（3）圆周方向分别均布有孔径为3～30mm的通孔。本实用新型结构简单，操作方便，能够有效地减轻去除石英坩埚残体时对组合埚的损伤，延长组合埚的使用寿命；此外，炭-炭坩埚上（1）、炭-炭坩埚中（2）、炭-炭坩埚下（3）圆周方向分别均布有通孔，更有利于辐射热的传递，提高了能量利用率。
一种四节式炭素材料组合坩埚

[发明专利]硅锭凝固用坩埚及其制造方法-CN201380015883.7在审
发明人： C·胡盖特;S·巴伊;V·布里泽 -专利权人：原子能及能源替代委员会
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及能用于从熔融硅凝固硅锭的坩埚，其特征在于所述坩埚在其内表面上至少部分地涂覆有外层，所述外层是分层堆垛的形式，每个分层具有从5到150μm变化的厚度，并且由下述这样的材料形成，所述材料通过热分解聚硅氮烷和/或聚硅氧烷获得并且在其中结合了尺寸从50nm到200μm变化的无机颗粒。本发明还涉及这种坩埚的制备方法。
凝固坩埚及其制造方法

[发明专利]坩埚-CN201410017147.1无效
发明人： A.樊尚;F.罗德里格斯;W.P.M.米斯泰尔;A.M.伯宁格 -专利权人：欧洲技术研究圣戈班中心
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于一种能够用于硅的熔化和/或结晶的坩埚（1），该坩埚包括下部分（2）和可拆卸的上部分（5），其中所述下部分包括底部（3）和下侧壁（4），所述上部分包括支撑在所述下侧壁（4）上的上侧壁（6），所述坩埚（1）使得所述上侧壁（6）基于上部分材料，所述上部分材料为包括硅和氮的多孔陶瓷材料，而所述下侧壁（4）和所述底部（3）则基于与所述上部分材料不同的、不是氮化硅的下部分材料。
坩埚

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063685.3在审
发明人：加藤英生;久府真一 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚(8)中的原料熔体(7)提拉多根单晶硅(1)的多重提拉法制造单晶硅(1)的方法，该方法包括省略掉单晶硅(1)的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤，其中将在坩埚(8)的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
制造单晶硅方法

[实用新型]坩埚-CN201420160375.X有效
发明人：高四才 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种坩埚。该坩埚包括：坩埚底；筒体，筒体与坩埚底上下式分体设置，筒体设置在坩埚底上，筒体包括沿筒体的轴向布置的多个独立的筒段。应用本实用新型的技术方案，坩埚由分体设置的坩埚底和筒体构成，筒体由多个筒段构成，在坩埚局部发生破损时，仅需更换构成坩埚的一部分，有效地降低了使用成本。
坩埚

[实用新型]一种三爪卡托单晶炉坩埚取出装置-CN201320824244.2有效
发明人：潘燕萍 -专利权人：常州市天龙光电设备有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产设备技术领域，特别涉及一种三爪卡托单晶炉坩埚取出装置，包括提升杆、提升滑套、托板、支臂和连接杆，所述提升滑套设在提升杆外部，提升杆与提升滑套可相对滑动，所述托板、支臂和连接杆组成卡托机构，卡托机构设置在提升杆和提升滑套的周向且均匀分布形成三爪卡托，该装置可以安全快速且省力的取出单晶炉坩埚，在取出过程中保护坩埚不被损坏。
一种三爪卡托单晶炉坩埚取出装置

[发明专利]单晶的制造方法-CN201280051969.0有效
发明人：岩崎淳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2012-10-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明是一种单晶的制造方法，该方法是通过CZ法的单晶的制造方法，该单晶的制造方法对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析，并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。由此，提供一种在通过CZ法的单晶的制造中，能够制造不会发生LT(Life Time)降低和LPD(Light Point Defect)异常的高质量的单晶的方法。
制造方法

[实用新型]一种坩埚旋转磁密封装置-CN201320681924.3有效
发明人：张松华;雷世友 -专利权人：杭州奔博科技有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种坩埚旋转磁密封装置包括壳体、防尘油封圈、磁密封圈、轴承垫圈、轴承、端盖和旋转轴。本实用新型的有益效果在于：壳体上部内侧设有磁密封圈，采用磁密封圈与壳体配合，防止因为骨架油封的唇边磨损，而导致冷却水泄漏；壳体上端内侧各设有一个防尘油封圈且该防尘油封圈设于壳体与旋转轴之间，下端的防尘油封圈设于端盖内侧且该防尘油封圈设于端盖与旋转轴之间，防止端口的灰尘进入壳体内，减少了磨损现象，使坩埚旋转磁密封装置的使用寿命更长。
一种坩埚旋转密封装置

[实用新型]一种单晶炉坩埚套件-CN201320796563.7有效
发明人：张雷;李莉;孙雪敏 -专利权人：保定天威英利新能源有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本使用新型提供了一种单晶炉坩埚套件，包括石墨坩埚、石英坩埚以及石墨环。所述石英坩埚置于所述石墨坩埚内部，所述石英坩埚外壁与所述石墨坩埚内壁相接，所述石英坩埚口部高于所述石墨坩埚，所述石墨环套装在石墨坩埚的口部并低于石英坩埚的口部。
一种单晶炉坩埚套件