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[发明专利]一种导电辊修复方法-CN200410073498.0无效
发明人：杨军;符寒光;邹德宁;杜忠哲;朱军;马杰 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于各种类型电镀锡机组导电辊的修复方法，本发明依次包括退铬、磨削、电镀或喷涂铜层、磨削、抛光、复合镀铬、抛光处理步骤；本发明在复合镀铬底层镀铬时，在镀液中除了加入铬酐(CrO₃)和硫酸(H₂SO₄)外，还加入稀土镧(La)和铽(Tb)，在复合镀铬面层镀铬时，在镀液中加入铬酐(CrO₃)和硫酸(H₂SO₄)，稀土镧(La)和铽(Tb)，还加入KIO₃和Al₂O₃微粒，用本发明修复导电辊，导电辊硬度高、耐磨性好、镀层与基体的结合强度高、镀层使用中不能出现开裂和剥落、导电辊使用寿命长。本发明还采用了电解退铬，实现快速退铬。
一种导电修复方法

[发明专利]微型电子工件电化学处理用的装置和方法-CN02813840.6无效
发明人：凯尔·M·汉森;托马斯·L·里茨多尔夫;格雷戈里·J·威尔逊;保罗·R·麦克休 -专利权人：塞米用具公司
申请日： 2002-05-30 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：在一种反应容器(204)中对微型电子工件进行电化学处理所用的装置和方法。反应容器包括：具有外壁(222)的一个外容器(220)；将一种主液流引导至外容器中所用的一个第一出口及以将与主液流分离的一种副液流引导至外容器中所用的至少一个第二出口；布置在外容器中的一个绝缘场成形单元(500)，以接收来自第二出口的副液流，所构造的该场成形单元用于容纳与主液流分离的副液流，场成形单元具有至少一个电极室(520)，副液流可通过该电极室；布置在电极室中的一个电极(600)；由电极下游的场成形单元支承的一个接口件(700)，该接口件用于防止来自副液流中被选出的物质进入主液流。
微型电子工件电化学处理装置方法

[发明专利]用于高深宽比特征结构的动态脉冲电镀-CN02814813.4无效
发明人： H·彼得W·海伊;叶斯迪·多迪 -专利权人：美商·应用材料股份有限公司
申请日： 2002-07-18 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积一金属于一基材上的方法。该金属是藉由依序地施加一电解沉积脉冲，及一电解溶解脉冲至该基材上而加以沉积。在每一电解溶解脉冲后，下一电解溶解脉冲之前，提供有至少一零电压或电流的时间段，其也被称为“关闭时间”于诸脉冲之间。前两电解沉积脉冲较佳具有相同持续时间。随后，后续电解沉积脉冲的持续时间是逐渐地降低，以在高深宽比特征结构中，提供一无孔隙及无接缝的金属沉积。
用于高深特征结构动态脉冲电镀

[发明专利]用于电镀晶片表面的装置和方法-CN02825978.5无效
发明人： D·L·德库贝 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2002-12-12 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于电镀晶片表面的方法，包括将镀液引入到室中的晶片表面，和使晶片绕穿过待镀表面的旋转轴旋转，以及包括移动晶片以便引起其旋转轴自身绕第二旋转轴旋转的进一步的步骤。
用于电镀晶片表面装置方法

[发明专利]基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置-CN200410102211.2无效
发明人：国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;三岛浩二;中村宪二;井上裕章;木村宪雄;松田哲朗;金子尚史;早坂伸夫;奥村胜弥;辻村学;森田敏行 -专利权人：株式会社荏原制作所;株式会社东芝
申请日： 2000-12-25 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
电镀装置方法以及电解处理及其

[发明专利]一种电镀方法及专用于这种电镀方法的电镀设备-CN200310117497.7无效
发明人：朱德祥 -专利权人：番禺得意精密电子工业有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀方法包括以下步骤：(1)提供两物体，该两物体至少一侧大致齐平；(2)将一易濡湿物夹持于上述两物体之间，且该易濡湿物一侧大致与上述两物体大致齐平的一侧相齐平；(3)用电镀液将易濡湿物濡湿；(4)将待电镀物体的需电镀部分贴于易濡湿物上。本发明电镀设备包括至少有一侧大致齐平的两物体及夹持于上述两物体之间的易濡湿物，且该易濡湿物一侧大致与上述两物体大致齐平的一侧相齐平。与现有技术相比，本发明电镀方法因不需要刷这一动作，从而不会损伤待电镀物体，并且因可电镀到局部位置，从而能节省电镀材料，降低成本。
一种电镀方法专用这种设备

[发明专利]一种阴极遮蔽的强化电镀工艺-CN03136301.6无效
发明人：庄和枝 -专利权人：金艺企业股份有限公司
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阴极遮蔽的强化电镀工艺，其系在镀件的周缘部加设遮蔽单元，该遮蔽单元的形状结构与镀件表面的周缘部形状结构相互吻合；因该遮蔽单元具有防渗透构造，从而使电镀液离子附着于镀件周缘部的距离加长，因而可以控制电镀液离子电镀于镀件周缘部的浓度，以减少镀件的周缘部的镀膜厚度，从而使镀件表面形成均匀的镀膜面；并且可增加镀件中间表面的电镀厚度，同时控制周缘部的电镀厚度，以达到强化与方便组装的功能。
一种阴极遮蔽强化电镀工艺

[发明专利]单面电镀方法及其装置-CN200310108973.9无效
发明人：魏连峯 -专利权人：魏连峯
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：单面电镀方法及其装置，即在电镀槽内设置一稳压板，以稳住电镀机在经输入管输入电镀液于整体电镀槽内时电镀液产生的上升压力；同时，在稳压板上方与电镀槽口面上设有一限量板；在稳压板和限量板上分别设有限制电镀液的溢流孔，使电镀液只能由限量板上的溢流孔上流出；如被镀物置于限量板上方，则该电镀液刚好与被镀物接触，且对被镀物产生一浮力，让被镀物以一面贴于电镀液面的方式悬浮，即利用被镀物单面与电镀液接触的方式进行电镀，达到单面电镀的效果。本发明实施方法简便，使用装置结构简单，在对待镀物无需前置处理的情况下，达到单面电镀的效果。它具有成本低，效果好等特点。
单面电镀方法及其装置

[发明专利]金属膜内晶粒生长控制方法-CN99107192.1无效
发明人： P·W·德哈文;S·卡杰;C·C·高德史密斯;M·S·勒格雷;J·L·赫特;F·D·佩费托 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1999-06-09 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70-100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过-20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。
金属膜晶粒生长控制方法

[发明专利]控制局部电流以获得均匀电镀厚度的方法和设备-CN200310101404.1有效
发明人：郑天人;托德·M·福勒;埃贾伊·P·吉里;安顿·尼纳迪克;布莱森·塞缪尔;黄洸汉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制局部电流以获得均匀电镀厚度的方法和设备，其包括步骤：设置一具有阳极的电镀浴；将衬底浸入到电镀浴中，并使其与阳极分离开，衬底构成一阴极。在电镀浴中设置一第二阴极，其位于衬底与阳极之间，靠近衬底表面并与衬底表面分离，第二阴极包括一具有不同尺寸的开孔的丝网筛子部分，这些开孔的尺寸是按照要被电镀的金属器件而设计的。在待电镀器件密度较高的区域附近，第二阴极筛子部分上具有尺寸较大的开孔，而在待电镀器件密度较低的区域附近，开孔的尺寸较小。本发明的方法还包括步骤：在衬底与阳极之间、以及在第二阴极与阳极之间，通过电镀浴通入电流，从而在衬底上电镀出密度不同的金属器件。
控制局部电流获得均匀电镀厚度方法设备

[发明专利]多晶金膜的电化学表面纳米处理方法-CN02118756.8无效
发明人：董绍俊;金永东 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2002-04-30 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明属于多晶金膜的电化学表面纳米处理方法。将化学镀法制备的厚度为50～100nm的多晶金膜作为工作电极，在0.4～0.8mM Ag₂SO₄的0.1M H₂SO₄溶液中进行银欠电位沉积与溶出处理，通过控制欠电位沉积与溶出的电极电位和次数，即可获得表面等离子体共振响应改变的、颗粒形貌尺寸更为均一光滑且表面原子基本上为金(111)取向排列的金膜。
多晶电化学表面纳米处理方法

[发明专利]使金属容器表面呈现两种颜色和/或表面效果的表面处理方法-CN03122798.8无效
发明人：李昶浩 -专利权人：李昶浩
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使金属容器表面呈现两种颜色和/或表面效果的表面处理方法，它是将成型抛光后的金属容器的一部分覆盖保护，对露面部分进行腐蚀或喷砂处理，然后对整个金属容器进行电镀处理形成同一颜色的光滑镀层表面和花纹图案或喷砂镀层表面的两种表面效果；或者先将成型抛光后的金属容器进行电镀处理，再将其中一部分覆盖保护，对露面部分退镀处理后重新镀上新颜色的镀层，使金属容器表面形成两种不同颜色表面镀层；用这样的表面处理方法还可以得到两种以上的表面色彩以及两种以上的表面效果，使金属容器的表面色彩更加丰富，花纹图案可以变化多端，表面效果也多种多样，大大增强了金属容器的装饰作用。
金属容器表面呈现颜色效果处理方法

[发明专利]钕铁硼(NdFeB)永磁材料表面防护技术-CN02108634.6无效
发明人：牛玮;任英良;牛庆章 -专利权人：牛玮;任英良
申请日： 2002-04-04 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁铁硼永磁材料表面防护技术，该技术采用材料表面电镀镍技术，在前处理工艺中，采用材料表面封孔技术，在施镀工艺中，采用中性镀液和酸性镀液复合镀技术，其镀层厚度可根据要求达5μm－25μm，材料表面防护性能达200小时－800小时(盐雾试验)。
钕铁硼 ndfeb 永磁材料表面防护技术

[发明专利]一种滚桶电镀的加工方法及其装置-CN99116489.X无效
发明人：张华;谢锐兵;徐邦义;叶昌祺;李捷;付志勇 -专利权人：谢锐兵
申请日： 1999-05-25 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种滚桶电镀的加工方法及其装置，该方法是将被加工件装入电镀滚桶然后一起放进电镀槽液中，被加工件与阴极导电杆导通，电镀槽中的阳极和阴极导电杆分别与电源的正、负极相导通，在加工过程中电镀滚桶进行正向、反向交替旋转。本发明的装置为一种具有正、反旋转功能的电镀滚桶。本发明能明显改善阳极溶解效果，降低槽电压，节省能耗，并能有效提高滚镀的加工质量和成品率。
一种电镀加工方法及其装置

[发明专利]电解沉积出金属层的方法和装置-CN95107031.2无效
发明人：Ｒ·舒马赫;Ｗ·迈尔;Ｗ·达姆斯;Ｒ·施奈德 -专利权人：阿托特德国有限公司
申请日： 1995-06-20 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：为了电解沉积出具有特定物理机械特性的均匀金属层，尤其是铜层，将不使用可溶解的阳极，这是因为它的几何形状会随着电解而改变，而且它的电场在小电镀室中的分布，也将因此而产生持续的变化。为了解决上述问题，提出一种方法，其中，添加在沉积溶液中的氧化还原体系将会在电解的同时，于不溶解的阳极上被转化掉。这里所形成的化合物将从一个含有被镀金属的池子的小隔间中溶出新的金属离子，以便来补充溶液中因电解而被取走的金属离子。本发明提供一种方法，其中，它的添加化合物不被分解，不同于目前技术所使用的化合物。
电解沉积金属方法装置