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[发明专利]一种Ce掺杂YAG发光陶瓷的制备方法及相关发光陶瓷-CN201610753962.3有效
发明人：李乾;陈雨叁;许颜正 -专利权人：深圳光峰科技股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ce掺杂YAG发光陶瓷的制备方法及相关发光陶瓷，其方法包括：氧化铈纳米粉体和氧化铝粉体与可溶性钇盐溶液在沉淀剂的存在下，发生反应生成包覆型的氧化铈‑氧化铝‑氧化钇前驱体复合粉体材料后，经焙烧后得到包覆型的氧化铈‑氧化铝‑氧化钇复合粉体；再依次经过造粒、过筛、压片和烧结后，得到Ce掺杂YAG发光陶瓷。使用本发明的制备方法得到的复合粉体中，铈与氧化钇充分均匀地相互接触，钇与氧化铝充分均匀地相互接触，提高了钇进入铝晶格中和铈进入钇晶格中的反应效率，从而提高发光陶瓷的相纯度，而该制备方法工艺简单，生产周期缩短，降低成本，适合批量生产，能提高生产效率。
一种 ce 掺杂 yag 发光陶瓷制备方法相关

[发明专利]Cr/Ce:YAG荧光透明陶瓷及其制备方法、制备系统-CN201910152995.6在审
发明人：罗雪方;薛水源;张甜甜 -专利权人：江苏罗化新材料有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供的一种Cr/Ce:YAG荧光透明陶瓷及其制备方法和制备系统，通过在Ce:YAG荧光透明陶瓷中引入三价铬离子，用Cr³⁺去取代Al³⁺形成的化学式Y_3‑xAl_5‑yCr_yO₁₂:Ce_x，其中x为0.001‑0.06，y为0‑4，控制Ce³⁺离子、Cr³⁺离子的浓度调节Cr³⁺离子与Ce³⁺离子之间的能量转移增加红光发射，提高显色指数达75以上。
离子透明陶瓷制备系统制备三价铬离子能量转移浓度调节显色指数红光发射引入

[发明专利]一种精密铸造用氧化钇基陶瓷型芯及其制备方法-CN201910618397.3在审
发明人：康永旺;郭丰伟;李明 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明是一种精密铸造用氧化钇基陶瓷型芯及其制备方法，氧化钇基陶瓷型芯的原材料粉体的组成及重量百分比为：氧化镧、氧化铈、氧化铕中的一种或几种的混合物5‑13％；硝酸钙、碳酸钙、氢氧化钙中的一种1‑3％；氧化钇余量。本发明技术方案解决了现有高活性合金高温铸造型芯使用温度低、强度不足的问题。
陶瓷型芯氧化钇基精密铸造制备高活性合金重量百分比碳酸钙方案解决高温铸造强度不足氢氧化钙混合物硝酸钙氧化钇氧化铈氧化铕氧化镧粉体

[发明专利]用于等离子体环境中的腔室部件的氧化钇-二氧化锆耐蚀材料-CN201910173809.7在审
发明人： J·Y·孙;D·芬威克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：一种用于处理腔室的腔室部件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体由烧结陶瓷材料组成，所述烧结陶瓷材料基本上由Y₂O₃‑ZrO₂的一个或多个相组成。所述陶瓷材料基本上由55摩尔％‑65摩尔％的Y₂O₃和35摩尔％‑45摩尔％的ZrO₂组成。
烧结陶瓷材料腔室部件陶瓷主体等离子体环境处理腔室二氧化锆耐蚀材料陶瓷材料氧化钇

[发明专利]一种SPS法制备防弹窗口用透明陶瓷的方法-CN201910255752.5在审
发明人：乔学斌 -专利权人：嘉兴透陶材料有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及了一种SPS法制备防弹窗口用透明陶瓷的方法，其特征在于，所述陶瓷的材料化学式为Al₅Lu_0.75Y_2.25O₁₂，所述粉体材料采用共沉淀法制得，然后用SPS技术进行烧结，成品为光学性能良好的透明陶瓷材料，该材料具有透光性高，耐磨损，耐冲击，耐腐蚀等特点。
透明陶瓷防弹透明陶瓷材料粉体材料光学性能烧结共沉淀耐冲击耐腐蚀耐磨损透光性陶瓷

[发明专利]一种用作5G通讯器件的微波介质陶瓷材料及制备方法-CN201910191941.0在审
发明人：宋开新;林乾毕;宋正军;刘兵 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本声明公开了一种用作5G通讯器件的微波介质陶瓷材料及制备方法，该陶瓷材料的化学通式可以写成BaY2Si3O10，主要由BaCO3、Y2O3、SiO2组成。制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结，通过控制不同的烧结温度合成一种微波性能良好可以用作5G通讯器件的介质陶瓷材料。
通讯器件制备微波介质陶瓷材料烧结介质陶瓷材料二次球磨化学通式陶瓷材料次球压片预烧造粒微波合成声明

[发明专利]一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201910191942.5在审
发明人：宋开新;林乾毕;宋正军;刘兵 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料成分为Y₂O₃、SiO₂、SrCO₃，所述原料成分以SrY₂Si₃O₁₀(SYSO)化学计量比进行配比。本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，在致密化烧结温度下制备得到的微波介质陶瓷材料微波介电性能稳定。
微波介质陶瓷材料制备低介电常数硅基高温固相反应法微波介电性能化学计量比致密化烧结传统的配比

[发明专利]一种氧化钆-氧化镁纳米复合陶瓷及其制备方法-CN201910153529.X在审
发明人：李晓东;吴南;张牧;任轶;孙旭东 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及纳米复合陶瓷材料技术领域，特别涉及一种氧化钆‑氧化镁纳米复合陶瓷及其制备方法。该纳米复合陶瓷以自制的氧化钆‑氧化镁纳米复合粉体为原料，纳米复合粉体由氧化钆及氧化镁为原料，其中氧化钆及氧化镁的两相摩尔比比值为0.20～0.35，该粉体制备方法包括配制包含钆离子和镁离子的金属离子溶液，然后加入螯合剂，得到原料混合溶液；随后进行加热、搅拌、烘干处理得到前驱粉末，最后对其进行煅烧处理得到纳米复合粉体；该纳米复合粉体经过球磨处理且烘干过筛后，可干压为成型坯体；坯体经保温烧结与退火处理便获得氧化钆‑氧化镁纳米复合陶瓷。本发明具有高维氏硬度及高红外透光性，制备方法简单、易操作，便于工业化生产。
氧化钆氧化镁纳米纳米复合粉体复合陶瓷制备氧化镁纳米复合陶瓷材料金属离子溶液纳米复合陶瓷原料混合溶液保温烧结成型坯体粉体制备复合粉体烘干处理前驱粉末退火处理镁离子摩尔比透光性钆离子螯合剂干压高维过筛烘干两相坯体球磨煅烧加热配制自制

[发明专利]一种氧化钇多孔陶瓷材料的制备方法-CN201811214853.X在审
发明人：郭艳艳;王殿元;王庆凯;吴杏华;周玉俊 -专利权人：九江学院
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：一种氧化钇多孔陶瓷材料的制备方法，该方法包括以下步骤：首先将六水硝酸钇溶于去离子水，磁力搅拌，得到硝酸钇水溶液；其次将碳酸氢铵溶于去离子水，磁力搅拌，得到碳酸氢铵水溶液，并将其缓慢滴入硝酸钇水溶液中，并不停磁力搅拌，反应结束后，静置陈化得混合溶液；再次将所得混合溶液离心得滤饼，于马弗炉中退火，得到氧化钇纳米粉体；然后按质量百分比称取氟硅酸钠，与所得氧化钇纳米粉体混合，于球磨罐中球磨，取出后干燥得陶瓷烧结原料粉末；最后将陶瓷原料粉末干压成型，再在箱式高温炉中烧结，得到氧化钇多孔陶瓷材料。本发明具有制备工艺简单，成本低，陶瓷产品孔隙率和强度高等优点。
多孔陶瓷材料磁力搅拌氧化钇氧化钇纳米粉体硝酸钇水溶液混合溶液去离子水球磨制备碳酸氢铵碳酸氢铵水溶液退火陶瓷原料粉末六水硝酸钇箱式高温炉质量百分比氟硅酸钠干压成型静置陈化陶瓷产品陶瓷烧结原料粉末制备工艺烧结孔隙率马弗炉称取滴入滤饼取出

[发明专利]钛合金熔融铸造用电熔三氧化二钇陶瓷坩埚及其制备方法-CN201610593898.7有效
发明人：梁新星;梁奇星 -专利权人：郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物陶瓷应用领域，尤其涉及一种用于钛合金熔融铸造的钛合金熔融铸造用电熔三氧化二钇陶瓷坩埚及其制备方法，以氧化物重量的百分比计，总计为100%，其具有以下化学组成：Y2O3：70%‑99.5%；Zro2：30%‑0.5%；不大于0.5%的其它微量杂质，其它微量杂质为氧化物，通过高频加热熔壳法对三氧化二钇熔融体磁力搅拌熔炼制备高纯度结晶体原料、氧化钇结晶体的破碎和粒度配备及成型、氧化钇陶瓷坩埚的烧结等步骤，其具有具有不黏连、不浸润、良好的热冲击性能及超高的使用寿命等特性，安全使用温度2300度以下，有效的避免了与钛合金金属溶液在高温下活性大而造成的化学反应致使的坩埚寿命低及反应后的剥落而导致的钛合金纯净度的下降等问题。
钛合金熔融铸造用电氧化陶瓷坩埚及其制备方法

[发明专利]一种发光陶瓷复合材料的制备方法以及发光陶瓷复合材料-CN201710470370.5在审
发明人：李乾;陈雨叁;许颜正 -专利权人：深圳市光峰光电技术有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光陶瓷复合材料的制备方法以及发光陶瓷复合材料。本发明的发光陶瓷复合材料的制备方法包括以下步骤：将包含荧光粉和用于封装荧光粉的封装材料以及任选的烧结助剂a的生坯浸润于烧结助剂b的前体溶液中，并将经过浸润的生坯煅烧以使烧结助剂b的前体转变为烧结助剂b的浸润‑煅烧步骤；将煅烧之后的生坯进行烧结，从而获得发光陶瓷复合材料的烧结步骤。本发明通过液相浸润法，改良了烧结助剂的添加方式，从而获得了相对密度较高且光学性能优异的发光陶瓷复合材料。
发光陶瓷复合材料烧结助剂浸润生坯煅烧制备荧光粉封装材料光学性能前体溶液烧结步骤烧结前体封装改良

[发明专利]一种上转换发光增强的透明陶瓷及其在提高晶体硅太阳能电池光电转换效率中的应用-CN201810846728.4在审
发明人：张家骅;吴昊;郝振东;张亮亮;张霞;潘国徽;武华君 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种上转换发光增强的透明陶瓷及其在提高晶体硅太阳能电池光电转换效率中的应用，属于透明陶瓷应用技术领域。解决了铒离子单掺杂氧化钇基透明陶瓷在～1μm处上转换发光强度弱的问题。本发明的透明陶瓷，化学式为(Y_{1‑x‑y‑z}Er_xM_yYb_z)₂O₃，式中，M为Sc、La、Gd、Lu、Zr、Hf、Zn和Li中的一种或多种，x、y和z均为元素摩尔分数，0
透明陶瓷晶体硅太阳能电池光电转换效率上转换上转换发光波长氧化钇基透明陶瓷应用技术领域发射波长光子吸收摩尔分数太阳光铒离子镱离子共掺光子式中应用掺杂保证

[发明专利]一种上转换透明陶瓷及其在提高晶体硅太阳能电池光电转换效率中的应用-CN201810844553.3在审
发明人：张家骅;吴昊;郝振东;张亮亮;张霞;潘国徽;武华君 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种上转换透明陶瓷及其在提高晶体硅太阳能电池光电转换效率中的应用，属于透明陶瓷应用技术领域。解决了现有晶体硅太阳能电池不能吸收波长大于其带隙宽度的光子的问题，提高其光电转换效率。本发明的透明陶瓷，化学式为(Y_1‑x‑yEr_xM_y)₂O₃，式中，M为Sc、La、Gd、Lu、Zr、Hf、Zn和Li中的一种或多种，x和y均为元素摩尔分数，0
晶体硅太阳能电池透明陶瓷光电转换效率上转换波长光子应用技术领域光子吸收摩尔分数吸收波长太阳光带隙式中应用保证

[发明专利]一种高显色荧光陶瓷及其制备方法与应用-CN201811145264.0在审
发明人：喻彬;周世斌;彭锐敏;秦波 -专利权人：成都东骏激光股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种高显色荧光陶瓷及其制备方法与应用，属于陶瓷领域。该高显色荧光陶瓷的原料包括Ce³⁺:YAG和Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺，Ce³⁺:YAG的化学式为[Y_(1‑x)Ce_x]₃Al₅O₁₂，x＝0.05‑5％。该高显色荧光陶瓷具有较高的显色指数、热导率、耐久性和耐热性，使光谱波长向长波方向红移，获得视觉舒适的暖白光照明效果。其制备方法包括：混合Ce³⁺:YAG与Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺，球磨，过筛，冷等静压制成素坯，烧结。该制备方法简单，耗时短，过程易控。制备所得的高显色荧光陶瓷可用于制备高显色显示或照明器件。
高显色制备荧光陶瓷耐热性白光照明长波方向光谱波长冷等静压陶瓷领域显色指数照明器件烧结热导率过筛红移可用球磨素坯耗时应用视觉

[发明专利]一种单斜相氧化钇的制备方法-CN201811048416.5在审
发明人：钟声亮;李欣炜;夏先明;刘冉 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种单斜相氧化钇的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)制备钇基配位聚合物；(2)将钇基配位聚合物煅烧，得到立方相氧化钇；(3)在2～20MPa条件下对立方相氧化钇进行预压；(4)使预压后的立方相氧化钇在500～1500℃、1～5GPa条件下进行高温高压反应，得到单斜相氧化钇。本发明的方法具有过程简单、反应条件较低、产物纯度高、产量高等一系列优点。本发明为单斜相氧化钇合成提供了一种快速高效的新方法。
氧化钇单斜立方相制备配位聚合物预压钇基高温高压反应产物纯度反应条件煅烧合成