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- [发明专利]一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法-CN201310617437.5有效
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王京阳;吴贞;孙鲁超
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中国科学院金属研究所
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2013-11-28
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2014-02-19
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C04B35/505
- 本发明涉及多孔陶瓷材料领域，具体为一种通过发泡注凝工艺制备高孔隙率和高强度的钇硅氧多孔陶瓷材料的方法。该方法以氧化钇和氧化硅混合粉末作为原料，水为分散介质，选用聚乙烯亚胺或柠檬酸铵为分散剂，以丙烯酰胺或N-羟甲基丙烯酰胺为单体，再加入交联剂N,N′-亚甲基双丙烯酰胺，搅拌后加入发泡剂十二烷基硫酸钠、起皮抑制剂聚氧化乙烯、催化剂N,N,N′,N′-四甲基乙二胺和引发剂过硫酸铵，接着进行注模凝固。脱模之后先在室温下干燥24～48小时，然后在60～90℃下干燥24～36小时，最后在1500～1550℃下进行1.5～2.5小时的高温反应烧结，最终制备出γ-Y2Si2O7多孔陶瓷。本发明可制备出具有多层次孔结构并且孔隙率可控的高孔隙率(75～85%)和高强度(3～8MPa)的γ-Y2Si2O7多孔陶瓷材料。
- 一种孔隙率强度钇硅氧多孔陶瓷制备方法
- [发明专利]降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法-CN201210592683.5在审
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珍妮弗·Y·孙;仁观·段;杰·袁;立·徐;肯尼思·S·柯林斯
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应用材料公司
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2007-07-04
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2013-05-15
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C04B35/505
- 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。
- 降低暴露卤素等离子体表面腐蚀速率装置方法
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