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[发明专利]液相等离子喷涂高纯氧化钇悬浮液及其制备方法-CN202310174175.3在审
发明人：龚晔 -专利权人：常州市卓群纳米新材料有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明属于稀土陶瓷材料制备领域，具体涉及一种液相等离子喷涂高纯氧化钇悬浮液及其制备方法。先配制含钇的无机盐水溶液，再配制草酸溶液；将草酸溶液加入到含钇的无机盐水溶液中，得到氧化钇的前驱体草酸钇；将草酸钇高温煅烧，得到氧化钇粉体；将氧化钇粉体加入卧式研磨机中，同时加入润湿剂，研磨后分散体系加入氨水，调节PH，加入表面活性剂，通过超声得到稳定的乳白色分散体。
相等离子喷涂高纯氧化钇悬浮液及其制备方法

[发明专利]一种具有宽光谱红光发射的荧光陶瓷材料及其制备方法-CN202211467609.0有效
发明人：姜本学;孙炳恒;范金太;张龙 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽光谱红光发射的荧光陶瓷材料，其特征在于，其化学通式为Y3(MnxAl1‑x‑yScy)5O12，其中，0.0002≤x≤0.005，0y≤0.3。按化学计量比称量Al2O3，Y2O3，Sc2O3和MnCO3原料粉体，加入烧结助剂和溶剂；经过球磨、干燥、过筛得混合粉体；再进行干压和冷等静压，得到素坯；经过高温真空烧结和双面抛光，即得Y3(MnxAl1‑x‑yScy)5O12荧光陶瓷材料。
一种具有光谱红光发射荧光陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种稀土共掺氧化钇透明陶瓷及其制备方法-CN202110050638.6有效
发明人：张蕾;于淑会;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了稀土共掺氧化钇透明陶瓷，透明陶瓷材料的组成为以Y2O3为基体材料，Cr3+离子和稀土离子为掺杂材料，其中，Cr3+离子掺杂浓度为0.1at.％，稀土离子掺杂浓度为0～0.5at.％。其制备方法包括以下步骤：1)采用Y2O3、Cr2O3和掺杂稀土氧化物的纳米粉为原料粉体，原料粉体预处理后，混合，以La2O3和ZrO2为复合烧结助剂，以无水乙醇为介质，加入球磨介质进行高能球磨得到混料；2)将混料经旋转蒸发真空干燥后进行研磨并过筛得到混合粉体；3)将混合粉体干压成型，冷等静压后放入真空炉内进行高温烧结；4)退火处理，经双面抛光，得到稀土共掺氧化钇透明陶瓷。本发明研究了掺杂离子间能量传递机理，探索其作为太阳光泵浦激光介质的可行性。
一种稀土氧化钇透明陶瓷及其制备方法

[发明专利]基于3D打印一体化成型的透明陶瓷微反应器及其制备方法-CN202211565768.4在审
发明人：唐燕如;孙艳;阮罗渊;宋睿烜;杜瑀;白石根 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明通过基于3D打印一体化成型的透明陶瓷微反应器及其制备方法，所述将陶瓷粉料均匀分散在光敏树脂中形成陶瓷浆料；其中陶瓷粉料占比为50‑70wt％；基于透明陶瓷微反应器的结构对陶瓷浆料进行光固化3D打印，从而获得光固化陶瓷坯体；对光固化陶瓷坯体进行阶梯式升温脱胶，去除光敏树脂，并真空烧结得到透明陶瓷微反应器。本发明可实现高精度、复杂构型透明陶瓷微反应器的制备，且所制备的透明陶瓷微反应器具有耐高温高压、抗酸碱腐蚀以及使用寿命长等特点。
基于打印一体化成型透明陶瓷反应器及其制备方法

[发明专利]一种致密氧化钇材料及其制备方法-CN202310038786.5在审
发明人：魏耀武;余益鸣;周辉;李帅 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种致密氧化钇材料及其制备方法。其技术方案是：先将97～99.5wt％的氧化钇粉体和0.5～3wt％的氟化钙粉体在行星式球磨机中球磨2～5小时，即得球磨后的混合粉体；将所述混合粉体置入鼓风干燥箱中，在80～110℃条件下干燥8～12h，筛分，得粒度＜44μm的干燥粉体；将所述干燥粉体在20～100MPa条件下预制成素坯，将所述素坯在100～250Mpa条件下冷等静压成型，保压180～300s；然后在1500～1700℃条件下保温2～6小时，冷却，制得致密氧化钇材料。本发明工艺简单、生产成本低、烧结温度低、烧结助剂用量少，所制备的氧化钇材料致密化度高、抗剥落性能优异，应用范围广。
一种致密氧化钇材料及其制备方法

[发明专利]一种热喷涂用球形钇基复合陶瓷的制备方法-CN202211694674.7在审
发明人：沈凯 -专利权人：常州市卓群纳米新材料有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明属于稀土陶瓷材料制备领域，具体涉及一种热喷涂用球形钇基复合陶瓷的制备方法，在氧化钇中掺杂氧化铝，硅粉等物质提升陶瓷的性能，改善单一陶瓷的缺陷，改善陶瓷的孔隙率及粗糙度，提升陶瓷的耐电压性能，同时可以降低成本，适合大规模生产。
一种喷涂球形复合陶瓷制备方法

[发明专利]一种无添加剂的热喷涂用高纯氧化钇球型颗粒的制备方法-CN202111445834.X有效
发明人：龚晔 -专利权人：常州市卓群纳米新材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明属于稀土陶瓷材料制备领域，具体涉及一种无添加剂的热喷涂用高纯氧化钇球型颗粒的制备方法。先分别称取99.99％纯度的微米级氧化钇和纳米级氧化钇，然后将微米级氧化钇和去离子水或无水乙醇投入研磨机进行研磨，再加入纳米氧化钇重量3‑4倍的去离子水或无水乙醇，再加入纳米级氧化钇，继续研磨；研磨浆料检测Zata电位和粘度；浆料通过喷雾造粒，高温煅烧，得到热喷涂用高纯氧化钇球型颗粒。本发明制备过程中不使用任何粘结剂或分散剂，不会带入杂质，制备的产品纯度更高，提高了产品质量。且该方法工艺简单，适合批量生产，松装密度高，流动性更好，颗粒球形度好，粒度分布更窄。
一种添加剂喷涂高纯氧化钇颗粒制备方法

[发明专利]一种超细纳米晶粒复相陶瓷材料及其制备方法-CN202110475265.7有效
发明人：张龙;范金太;姜本学;张阳 -专利权人：杭州光学精密机械研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细纳米晶粒复相陶瓷材料及其制备方法，其中，方法包括步骤：对Y2O3‑MgO复相陶瓷粉体进行冷等静压成型处理，得到陶瓷素坯；将所述陶瓷素坯在真空条件下进行加热处理，得到加工陶瓷素坯；在真空条件下，将所述加工陶瓷素坯密封在铂金包套中，得到密封陶瓷素坯；对所述密封陶瓷素坯进行热等静压处理，制得所述超细纳米晶粒复相陶瓷材料。本发明采用真空包套的方式对陶瓷素坯进行密封，以解决素坯致密度低不适合热等静压处理的问题，本发明不需要经过温度较高的素坯预烧，可直接对密封陶瓷素坯进行热等静压烧结处理，从而制得晶粒小于150nm的超细纳米晶粒复相陶瓷材料，其在3‑5微米波段光的平均透过率到达82％，三点抗弯强度大于350MPa。
一种纳米晶粒陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高红外透过率透明陶瓷的制备方法-CN202211570828.1在审
发明人：罗泽;尚华;彭翔 -专利权人：宜宾红星电子有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明属于透明陶瓷材料技术领域，特别涉及一种高红外透过率透明陶瓷的制备方法。为了解决氧化钇使用湿法成型时的水解问题，同时采用传统真空烧结，烧结温度较高，且经过烧结后还需要进一步空气氛围下高温退火，导致透明陶瓷晶粒尺寸较大，从而样品的力学性能较差，透过率无法达到最优的技术问题。本发明在Y2O3粉体表面包覆Zr4+，通过在真空预烧结时进行双层包埋烧结，然后再热等静压烧结抛光将氧化钇透明陶瓷红外透过率最高提升至84.6％。
红外透过透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种纳米粉体填充制备Y2-CN202011035173.9有效
发明人：范金太;沈宗云;钱凯臣;张龙;冯涛;姜本学;冯明辉;张露露;范翔龙 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：一种纳米粉体填充制备Y2O3‑MgO复合粉体的方法，将Y2O3纳米粉体倒入球磨罐，再把高纯度六水硝酸镁加入无水乙醇溶解获得的盐溶液倒入球磨罐与Y2O3纳米粉体混合；或将MgO纳米粉体倒入球磨罐，再把高纯度六水硝酸钇加入无水乙醇溶解获得的盐溶液倒入球磨罐与MgO纳米粉体混合，经球磨后，将纳米粉体与盐溶液的混合物进行加热煅烧使硝酸盐分解完全，形成分解的纳米氧化镁对Y2O3的纳米填充和包覆；或形成分解的纳米氧化钇对MgO的纳米填充和包覆，获得纳米粉末填充和包覆的晶粒尺寸小于150nm的Y2O3‑MgO复合粉体。
一种纳米填充制备 base sub

[发明专利]一种纳米晶激光级倍半氧化物透明陶瓷的制备方法-CN202111187964.8有效
发明人：王俊;李晴;马杰;张长华;周刊;卜祥晒;刘鹏;王莹;章健;沈德元 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶激光级倍半氧化物透明陶瓷的制备方法，将Y2O3和含Cr掺杂剂按化学式(CrxY1‑x)2O3进行称重混合，得到混合粉料，其中，0.0002≤x≤0.02，并依次经过球磨、干燥、研碎、过筛和煅烧处理，得到Cr:Y2O3粉体；将Cr:Y2O3粉体进行成型处理，得到素胚；将素胚放置于1200‑1600℃的真空环境中烧结0.5‑50h，再于1200‑1600℃的惰性气体中热等静压烧结0.5‑8h，最后在1100‑1500℃的空气、氧气或还原性气氛下退火0.5‑30h，经两面精细抛光后，得到Cr:Y2O3透明陶瓷，本发明以适量的Cr为掺杂剂，可降低纯倍半氧化物陶瓷的烧结温度，同时又能够确保所制备的陶瓷材料具有纳米级的晶粒尺寸和激光级透明度，其具有优异的机械性能和红外透过率。
一种纳米激光级倍半氧化物透明陶瓷制备方法

[发明专利]钇过量的掺稀土元素YAG微波介质陶瓷材料及制备方法-CN202211116296.4在审
发明人：唐斌;周沫轲;司峰;李恩竹;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供钇过量的掺稀土元素的YAG微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为Y3.03‑xRexAl5O12，Re为La3+，Ce3+，Nd3+，Sm3+，Gd3+，Er3+，Yb3+，Lu3+多种稀土离子中的一种或多种；0.03≤x≤0.1；本发明的制备方法包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、干压、冷等静压成型、真空烧结、气氛控制退火。本发明材料为典型YAG微波介电陶瓷，所得材料在晶界处捕获刃型位错结构，实现低损耗特征，Q×f在160000GHz～200000GHz之间，相对介电常数εr在10～16之间，频率温度系数τf在‑36ppm/℃～‑25ppm/℃之间。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求，原材料在国内供应充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。
过量稀土元素 yag 微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种等离子喷涂氧化钇涂层粉的制备方法-CN202211071316.0在审
发明人：李起胜;李福山;刘兆恒;刘亚辉;刘官清 -专利权人：郑州振中电熔新材料有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子喷涂氧化钇涂层粉的制备方法，热喷涂用陶瓷粉体技术领域。本发明采用原晶尺寸较大的氧化钇粉体为原料，并引入少量铝溶胶做为烧结助剂，既可以大幅降低大尺寸原晶氧化钇的烧结温度，又可以保留大尺寸原晶氧化钇粉体的抗侵蚀性，氧化铝喷涂粉本身也能够做为半导体蚀刻的喷涂材料，所以不会影响粉体的最终使用效果。
一种等离子喷涂氧化钇涂层制备方法

[发明专利]一种Y2-CN202011002192.1有效
发明人：刘孟寅;李霄鹏;王跃忠;张高峰;荣景颂;李兴旺;甘硕文;张荣实;刘华松 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本申请提供有一种Y2O3窗口材料的制备方法，包括：基于球磨制备的方法获得Y2O3复合粉体；将球磨制备的Y2O3复合粉体置于石墨模具内，在常温下使用2‑10MPa的压力预先冷压，获得一定的初始密度；将经过预先冷压的石墨模具置于真空热压炉内，2‑4h升温至800‑1300℃；保温30‑60min后，施加20‑70MPa的压力，并保压10‑120min；得到素坯，取出后将素坯表面石墨去除；将处理后的素坯置于BN坩埚内，并用包埋粉完全覆盖，再将BN坩埚置于高温烧结炉内，在惰性气体气氛下，1500‑1700℃下烧结10‑50h，获得陶瓷坯体；而后自然冷却，取出陶瓷坯体，打磨抛光后得到Y2O3透明陶瓷。
一种 base sub

[发明专利]使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计-CN202110908948.7有效
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状。
使用相与应力控制等离子体喷涂设计